美國放松限制！三星及SK海力士在華晶圓廠獲“無限期豁免”！

10月9日，據(jù)韓國總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國商務(wù)部已經(jīng)同意向三星電子和SK海力士位于中國的晶圓廠提供“無限期豁免”，即美國供應(yīng)商無需任何許可，就可向三星和SK還來在中國的晶圓廠供應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備。

韓國總統(tǒng)經(jīng)濟(jì)首席秘書崔尚木（ Choi Sang-mok）表示：“韓國半導(dǎo)體企業(yè)在中國運(yùn)營和投資的不確定性已大大緩解；他們將能夠冷靜地尋求長期的全球經(jīng)營戰(zhàn)略?！?/p>

崔尚木表示，美國已經(jīng)將這一決定通知了三星和SK海力士，這表明該決定已經(jīng)立即生效。

據(jù)悉，針對三星電子和SK海力士在華工廠的“無限期豁免”將通過更新 Validated End-User（VEU）清單來取得。只要被納入這份清單，就無需另外取得單獨(dú)許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被永久暫停。

對此，三星電子在一份聲明中回應(yīng)稱：“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，三星電子在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營的不確定性已經(jīng)大大消除。公司將繼續(xù)密切與所有相關(guān)政府保持密切合作，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維護(hù)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈。”

SK海力士則在聲明中表示：“我們歡迎美國政府延長出口管制法規(guī)豁免的決定。我們相信這一決定將有助于全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。”

2022年10月7日，美國出臺了新的對華半導(dǎo)體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠商獲取先進(jìn)邏輯制程芯片、128層NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片所需的制造設(shè)備的能力，除非獲得美國商務(wù)部的許可。這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業(yè)在中國大陸的晶圓廠。

雖然在數(shù)日之后的，三星電子、SK海力士、臺積電均獲得了美國商務(wù)部的1年豁免期的許可，他們可以在之后1年內(nèi)無需辦理任何額外的手續(xù)即可獲得美國半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)，這也使得他們位于中國大陸的工廠的生產(chǎn)都將暫時(shí)不會受到禁令的影響。但是，隨著這1年豁免時(shí)間即將到期，是否還能順利延長豁免許可，則成為了他們未來在華發(fā)展的首要的問題。

目前主流的NAND Flash芯片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數(shù)，主流的DRAM芯片也在進(jìn)入10納米級。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產(chǎn)能，如果無法獲得美系先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備，那么不僅現(xiàn)有的產(chǎn)線運(yùn)營將受影響，未來也將無法繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)升級和擴(kuò)大產(chǎn)能，這勢必將會影響到他們在華工廠的正常運(yùn)營，以及未來的產(chǎn)能布局和市場競爭力。

隨著此番三星和SK海力士在華工廠成功獲得“無限期豁免”，這也意味著未來三星、SK海力士在華工廠將可以繼續(xù)升級和擴(kuò)產(chǎn)，原有的不確定性被大大消除。

有相關(guān)業(yè)內(nèi)人士表示，此舉勢必會讓三星和SK海力士加大產(chǎn)能，而為了重新?lián)寠Z市場，雙方可能會進(jìn)一步在中國市場開打價(jià)格戰(zhàn)。

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項(xiàng)目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至目前，西安廠兩期項(xiàng)目總投資已高達(dá)270億美元。數(shù)據(jù)顯示，三星西安工廠月產(chǎn)能將達(dá)到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產(chǎn)量的42%。2022年，三星半導(dǎo)體西安工廠產(chǎn)值將突破1000億元人民幣。

SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計(jì)在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設(shè)。隨著C2F項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)，無錫工廠將承擔(dān)SK海力士DRAM芯片全球生產(chǎn)總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無錫，預(yù)計(jì)2022年全部投產(chǎn)后將月產(chǎn)11.5萬片8吋晶圓，高于原來韓國M8工廠的10萬片月產(chǎn)能。

研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，截至今年6月底，三星與SK海力士一起占據(jù)了全球近70%的DRAM和50%的NAND Flash市場。另有數(shù)據(jù)顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量占該公司 NAND Flash總產(chǎn)能的 42.3%，全球產(chǎn)能占比也高達(dá) 15.3%。SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產(chǎn)能和20%的NAND Flash產(chǎn)能在中國大陸。

同樣，對于韓國來說，中國也是其最大的芯片出口國。數(shù)據(jù)顯示，韓國芯片廠商將大約 60% 的芯片出口到了中國大陸，并且韓國芯片制造商在中國工廠的產(chǎn)能也遠(yuǎn)高于其他國家和地區(qū)的芯片制造商?？傮w而言，包括三星和SK海力士等韓國芯片制造商對中國市場的依賴程度要遠(yuǎn)大于其他國家和地區(qū)。這也促使韓國政府一直在積極與美國政府進(jìn)行斡旋，三星和SK海力士過去一年來也一直在積極的對美國政府進(jìn)行游說，最終成功獲得了“無限期豁免”。

需要指出的是，目前三星正斥資170億美元在美國德克薩斯州泰勒市建設(shè)4nm制程的新晶圓廠，計(jì)劃在2023年完成，并在2024年年底開始大規(guī)模生產(chǎn)。目前尚不清楚三星是否有在申請美國的芯片法案補(bǔ)貼，如果三星有申請的話，那么其在中國大陸的晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)有可能將會受到一定的影響。畢竟獲得美國芯片法案補(bǔ)貼的企業(yè)在未來十年內(nèi)將被限制擴(kuò)大在華先進(jìn)制程的產(chǎn)能。

編輯：芯智訊-浪客劍