三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實現(xiàn)商用化

　　據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品，10月時已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上，完成產(chǎn)品測試。

　　之前雖有應(yīng)用3D-TSV技術(shù)成功開發(fā)出產(chǎn)品的案例，但這是首次開發(fā)出真正能商用化的產(chǎn)品。3D-TSV技術(shù)是將數(shù)十微米厚的硅晶圓(Silicon Wafer)直接在薄芯片上穿洞，同樣的芯片以垂直方式集積穿透，是相當(dāng)尖端的封裝技法。

　　集積2顆2Gb DRAM時容量增加至4Gb，若集積4顆，則容量為8Gb。一般為擴(kuò)充內(nèi)存容量，皆采用制程微細(xì)化方式增加單項產(chǎn)品容量，近來該技術(shù)面臨瓶頸，因此內(nèi)存業(yè)者正嘗試運用TSV技術(shù)增加容量。

　　TSV以線路連接層迭的芯片，相較于以前使用電子封線(Wire Bonding)方式制作的產(chǎn)品速度較快且減小芯片厚度及耗電量。此外，新產(chǎn)品可呈現(xiàn)較舊產(chǎn)品多2~4倍大容量，搭載在服務(wù)器的內(nèi)存容量增加，服務(wù)器系統(tǒng)的功能至少可提升50%以上。

　　將2Gb芯片以電子封線方式層積的大容量RDIMM產(chǎn)品在服務(wù)器中以800Mps速度運作，運用3D-TSC方式層積的大容量RDIMM反應(yīng)速度提升近70%，達(dá)1,333Mbps。

　　三星2011年后將會在4Gb以上大容量DDR3 DRAM產(chǎn)品采用3D-TSV技術(shù)，以因應(yīng)32GB以上大容量服務(wù)器用內(nèi)存產(chǎn)品需求。

　　三星半導(dǎo)體事業(yè)部內(nèi)存商品企劃專務(wù)金昌鉉表示，2008年開發(fā)出3D-TSV層積芯片，這次將開發(fā)服務(wù)器用內(nèi)存模塊，提供客戶最佳性能的親環(huán)境服務(wù)器。未來也將以3D-TSV技術(shù)為基礎(chǔ)，持續(xù)推出大容量內(nèi)存解決方案，主導(dǎo)能牽引高性能服務(wù)器市場成長的親環(huán)境內(nèi)存市場。