三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

　　韓國三星公司近日宣布將開始量產(chǎn)基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的32GB內(nèi)存條，這款內(nèi)存條產(chǎn)品將主要面向云計算以及高檔服務(wù)器應(yīng)用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3產(chǎn)品,三星30nm制程4Gb DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出量可提升大約50%。

　　在一年前啟動40nm級別制程4Gb DDR3內(nèi)存芯片的量產(chǎn)后，三星于今年2月份已經(jīng)開始量產(chǎn)30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，兩個月之后的四月份，三星又推出了總?cè)萘?6GB的DDR3內(nèi)存條產(chǎn)品，這種產(chǎn)品主要面向面向服務(wù)器制造商。

　　另外，不久前三星還剛剛推出了基于30nm制程 4Gb密度的LPDDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品(面向移動設(shè)備)。而本月三星又推出了基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的這款32GB總?cè)萘康膸Ъ拇嫫麟p線(RDIMM)內(nèi)存條,以及8GB容量的筆記本用SODIMM內(nèi)存條。其基于30nm制程內(nèi)存芯片的產(chǎn)品線基本已經(jīng)完備。

　　三星這次推出的新款32GB容量RDIMM DDR3內(nèi)存條額定工作電壓1.35V，峰值數(shù)據(jù)傳輸率1866 Mbits，性能比40nm制程32GB RDIMM內(nèi)存條的1333Mbits(工作電壓1.5V)提升了50%。另外，8GB SO-DIMM DDR3內(nèi)存條的工作電壓則為1.5V，峰值數(shù)據(jù)傳輸率為2133Mbits。

　　據(jù)三星預(yù)計，2012年三星將有10%的內(nèi)存芯片產(chǎn)品是基于4Gb及更高容量密度的芯片。

　　據(jù)IHS市調(diào)公司的統(tǒng)計，4Gb內(nèi)存芯片的銷量到2012年的市場占有率將達到10%左右，1314年這個數(shù)字則將先后提升至35%和57%。