力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺(tái)塑 臺(tái)廠勿再死守DRAM
力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí),也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長黃崇仁表示,不要再說臺(tái)灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺(tái)灣唯一自產(chǎn)自銷,同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科,臺(tái)廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè),才有一起得救的機(jī)會(huì);再者,他也暗示面板業(yè)資金借貸遠(yuǎn)比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大,是政府和市場要重視之處。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/125778.htm力晶的NAND Flash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas),早期幫是做代工,后來瑞薩退出后就將技術(shù)賣給力晶,力晶接手后自己銜接技術(shù)研發(fā),目前已量產(chǎn)40奈米制程,年底導(dǎo)入30奈米制程,且2012年還要轉(zhuǎn)進(jìn)28奈米制程。黃崇仁相當(dāng)自豪表示,雖然很多臺(tái)廠都說要做NAND Flash,包括很多NOR Flash廠也說要跨足NAND Flash技術(shù),但力晶是臺(tái)灣第1家擁有NAND Flash自有技術(shù)和產(chǎn)品的公司,以后不要再說臺(tái)灣內(nèi)存完全沒有自有技術(shù)了!
黃崇仁分析,同樣一片晶圓,做NAND Flash比做標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格高出許多,NAND Flash產(chǎn)業(yè)受惠智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、固態(tài)硬盤(SSD)、輕薄型筆記本電腦Ultrabook等行動(dòng)裝置應(yīng)用,NAND Flash產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值也快追上標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值,NAND Flash產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是大勢所趨。
黃崇仁進(jìn)一步分析,國際大廠通常不愿意把NAND Flash技術(shù)授權(quán)給臺(tái)廠,因?yàn)橐耘_(tái)廠的生產(chǎn)功力和產(chǎn)能規(guī)模,NAND Flash價(jià)格很快會(huì)被打爛,國際大廠刻意維持這種平衡的策略,目的也是保持自己的高利潤,而低毛利的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品就留給臺(tái)廠生產(chǎn)。
因此,黃崇仁積極呼吁,美光應(yīng)該趕快把NAND Flash技術(shù)授權(quán)給南亞科和華亞科,這2家臺(tái)廠不應(yīng)該再把這么多產(chǎn)能都死守在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上,這樣不但不利于全球DRAM產(chǎn)業(yè)的供需平衡,同時(shí)也不利于自己,臺(tái)塑集團(tuán)與其花這么多錢去升級(jí)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程,這如拿去投NAND Flash技術(shù)。
對(duì)于臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)未來會(huì)如何發(fā)展?是否還有整并機(jī)會(huì)?黃崇仁表示,就如上述所言,不是沒機(jī)會(huì),是要趕快轉(zhuǎn)型,不能死守標(biāo)準(zhǔn)型DRAM,力晶已經(jīng)在朝此方向前進(jìn),再者,外界都把焦點(diǎn)放在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)的財(cái)務(wù)壓力,其實(shí)面板產(chǎn)業(yè)借貸資金壓力更大,外界和政府應(yīng)該多多專注。
他也分析,過去DRAM產(chǎn)業(yè)生存的不二法門是制程微縮,過去是1、2年轉(zhuǎn)進(jìn)1個(gè)世代,但現(xiàn)在因?yàn)镈RAM廠要籌資蓋廠、擴(kuò)產(chǎn)相當(dāng)困難,因此在制程微縮上下足功夫,幾乎是1年前進(jìn)2個(gè)世代,導(dǎo)致雖然很多DRAM廠都不生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM了,但全球DRAM產(chǎn)能仍是過剩,全是制程微縮惹的禍!
像是掌握全球60%市占率的韓系大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),三星也將標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能降至30%,海力士也一樣,但全球DRAM供需仍是嚴(yán)重供過于求,價(jià)格持續(xù)下滑。
以力晶為例,年初的制程是65奈米制程,年中進(jìn)展到40奈米制程,2012年初會(huì)再轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米制程,這樣的制程微縮是非??膳碌模Ш蜖柋剡_(dá)(Elpida)陣營的優(yōu)勢是40奈米轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米不會(huì)再投資錢,但其他廠不一樣,每一次制程轉(zhuǎn)換都是百億的投資金額。
黃崇仁指出,除了供給端因?yàn)橹瞥涛⒖s導(dǎo)致產(chǎn)能大增外,PC產(chǎn)業(yè)也面臨內(nèi)存搭載率提升不上來,像是平板計(jì)算機(jī)等對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM需求減少,都是產(chǎn)業(yè)積弱不振主因,既有臺(tái)系DRAM廠的解決之道光是轉(zhuǎn)進(jìn)Mobile RAM和服務(wù)器DRAM是不夠的,要像力晶一樣轉(zhuǎn)進(jìn)NAND Flash才是可行之道。
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