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一種OTP存儲器片上時序信號產(chǎn)生電路的設(shè)計

作者: 時間:2012-09-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

當(dāng)EN為低電平時,屏蔽ATD_OUT信號,脈沖寬度調(diào)整電路不工作;
當(dāng)EN為高電平,但是ATD_OUT沒有低電平脈沖輸入(即地址信號沒有變化),脈沖寬度調(diào)整電路不工作;
當(dāng)EN為高電平,且ATD_OUT有低電平脈沖輸入(即地址信號有變化),脈沖寬度調(diào)整電路正常工作。下面介紹其工作原理,N0~N8代表NMOS管、P0~P6代表PMOS管。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/193301.htm

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第一,EN為高電平且ATD_OUT端口輸入低電平脈沖,則NET0上為低電平脈沖信號,低電平到來時先將P0、P1開啟,將NET1、NET2拉到VDD,使N2、N4開啟,從而將WOUT和NET3拉到GND,迫使N6管關(guān)斷;同時,NET0上的低電平脈沖經(jīng)過反相器INV0后使NET4為一個高電平脈沖,迫使N8開啟一個高電平脈沖寬度的時間(此處為2.5ns),將NET5拉到GND;因為P6是常開的,只要N6管關(guān)斷,NET5的電位就會逐漸被抬升,所以增加N8來放電NET5。



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