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中芯國際有望超過聯(lián)電 成為全球晶圓代工三哥

作者: 時(shí)間:2016-11-24 來源:柏銘視角 收藏

  是中國最大的半導(dǎo)體代工廠,其代表著中國半導(dǎo)體制造的最先進(jìn)水平,近期其先后發(fā)布兩大消息--2018年量產(chǎn)16nm和今年投資金額提升到25億,兩項(xiàng)指標(biāo)都超過了全球第三大代工廠聯(lián)電,這似乎預(yù)示著它正有望超過聯(lián)電成全球第三大代工廠。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201611/340683.htm
中芯國際有望超過聯(lián)電 成為全球晶圓代工三哥

 

  目前在制造工藝方面,三星已取得領(lǐng)先地位,剛剛量產(chǎn)了10nm工藝,而臺積電預(yù)計(jì)在年底量產(chǎn)10nm,這兩家處于第一陣營,是直接的競爭對手。

  格羅方德通過購買三星的14nmFinFET工藝成為第三家量產(chǎn)該工藝的代工廠,不過它多年虧損,發(fā)展前景并不明朗,更傳出要出售給中國企業(yè)的消息,在當(dāng)前全球發(fā)展最快并已成為全球最大芯片市場的中國市場并沒贏得多少客戶,與的競爭并不明顯。

  相比之下,與競爭最直接的就是聯(lián)電了。聯(lián)電在過去十多年時(shí)間一直是前年老二,位居臺積電之下,其將希望放在中國市場,希望在這一市場獲得“第二春”,早早在大陸市場設(shè)立了和艦科技,目前在大陸廈門正努力建設(shè)其12英寸廠,本欲在今年底投產(chǎn)并引入28nm工藝的,但是目前由于其14nm工藝尚未量產(chǎn)而臺灣當(dāng)局要求它在臺灣采用領(lǐng)先一代的工藝,讓它陷入兩難。

  即使聯(lián)電明年上半年如期量產(chǎn)14nmFinFET工藝,其在廈門引入的也只是28nm工藝,與中芯國際處于同一水平,鑒于本地化因素的影響估計(jì)大陸多數(shù)客戶在比較之下還是會選擇選擇中芯國際的,聯(lián)電在大陸的競爭力并不大。

  在投資金額方面,聯(lián)電今年的投資金額為22億美元,在中芯國際將今年的投資額提升到25億美元后,這是中芯國際首次在投資金額方面超越聯(lián)電,這將加速中芯國際的半導(dǎo)體制造工藝研發(fā)進(jìn)程,或許真能如它所愿趕在2018年量產(chǎn)14nmFinFET工藝,那時(shí)候中芯國際相較聯(lián)電的競爭優(yōu)勢會更明顯。

  臺積電計(jì)劃于2018年投產(chǎn)的南京工廠也正是引入16nmFinFET工藝,面對中芯國際14nmFinFET工藝的投產(chǎn),其要么是引入更先進(jìn)的10nm工藝不然由于本地化的關(guān)系同樣難以與中芯國際競爭。

  2015年前五大半導(dǎo)體代工廠中,中芯國際以13.1%的增速位居第一,IC insights預(yù)計(jì)其今年的銷售額可以達(dá)到28.5億美元同比增長達(dá)到27%,繼續(xù)在前五大半導(dǎo)體代工廠中位居增速第一,如以20%的增速計(jì)算到2020將接近60億美元。

  而聯(lián)電去年的營收為45.6億美元,同比下滑1.3%,是前五大代工廠中唯一一家同比出現(xiàn)下滑的,在其寄予厚望的大陸市場遭受中芯國際和臺積電搶單的情況下其能否保持增長成為疑問,因此業(yè)界認(rèn)為中芯國際最快將在2020年趕超聯(lián)電成為全球第三大半導(dǎo)體代工廠。



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