華亞科被高薪挖角 大陸存儲(chǔ)點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)

　　中國(guó)大陸紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫及福建晉華都積極爭(zhēng)取大陸存儲(chǔ)主導(dǎo)權(quán)，隨著三大體建廠計(jì)劃預(yù)定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對(duì)決。

　　長(zhǎng)鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺(tái)廠DRAM設(shè)計(jì)公司相關(guān)人員，構(gòu)成中日臺(tái)的存儲(chǔ)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。長(zhǎng)鑫日前正式曝光相關(guān)投資計(jì)劃，預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動(dòng)工，目前團(tuán)隊(duì)已逾50位員工，預(yù)定明年要達(dá)千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對(duì)臺(tái)挖角的關(guān)鍵。

　　大陸發(fā)展自主存儲(chǔ)已列入大陸國(guó)家發(fā)展目標(biāo)，多方勢(shì)力積極主導(dǎo)地位，其中，紫光列名國(guó)家級(jí)發(fā)展存儲(chǔ)廠商外，也獲大基金支持，今年8月整并武漢新芯成立長(zhǎng)江存取公司，由紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司董事長(zhǎng)，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長(zhǎng)，武漢新芯執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧擔(dān)任執(zhí)行長(zhǎng)。

　　三大存儲(chǔ)布局重讀

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期大陸三股勢(shì)力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳已評(píng)估到南京設(shè)立12吋廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長(zhǎng)鑫，由前中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)操刀，大陸這三股DRAM勢(shì)力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

　　盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現(xiàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與已購(gòu)并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門(mén)檻較高，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍有機(jī)會(huì)急起直追國(guó)際存儲(chǔ)器大廠，然值得注意的是，全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭(zhēng)DRAM主導(dǎo)權(quán)戲碼。

　　目前大陸DRAM勢(shì)力處于戰(zhàn)國(guó)時(shí)代，至少有三股DRAM勢(shì)力全面競(jìng)逐版圖，除了長(zhǎng)江存儲(chǔ)之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤(pán)手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢(shì)力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國(guó)人馬成立的合肥長(zhǎng)芯。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲(chǔ)器中心角色，將統(tǒng)籌3DNAND和DRAM兩大存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)DRAM布局進(jìn)行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3DNAND，但若對(duì)外購(gòu)買(mǎi)技術(shù)則無(wú)此限制，使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)積極與國(guó)際大廠合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專(zhuān)利保護(hù)傘。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專(zhuān)利授權(quán)，業(yè)界亦傳出正著手評(píng)估自建或購(gòu)并現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺(tái)積電腳步評(píng)估在南京設(shè)立12吋晶圓廠，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧則表示，將以購(gòu)并現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

　　近期武漢新芯12吋新廠已經(jīng)動(dòng)起來(lái)，單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬(wàn)片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業(yè)界預(yù)期長(zhǎng)江存儲(chǔ)兩大產(chǎn)品線(xiàn)的生產(chǎn)基地，最終仍會(huì)分開(kāi)進(jìn)行。至于大陸另外兩個(gè)DRAM陣營(yíng)亦加快腳步展開(kāi)研發(fā)自制，希望搶在長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭(zhēng)取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

　　聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動(dòng)工，預(yù)計(jì)2018年進(jìn)入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺(tái)幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時(shí)進(jìn)行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預(yù)計(jì)2017年底完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機(jī)，屆時(shí)聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。

　　盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機(jī)會(huì)獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹(jǐn)慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開(kāi)發(fā)面臨失敗風(fēng)險(xiǎn)，遂同時(shí)研發(fā)30納米作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢(shì)力系由王寧國(guó)操刀的合肥長(zhǎng)鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)，然近期業(yè)界傳出該陣營(yíng)將豪擲逾新臺(tái)幣1，000億元，同時(shí)進(jìn)行DRAM研發(fā)和制造。

　　目前大陸這三股DRAM勢(shì)力持續(xù)進(jìn)行招兵買(mǎi)馬，并雙頭并進(jìn)朝向技術(shù)專(zhuān)利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導(dǎo)權(quán)還未底定之前先卡好位，預(yù)期2018年這三大DRAM陣營(yíng)將力拚量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。

　　齊齊挖角華亞科

　　中國(guó)大陸兩大體系紫光和合肥長(zhǎng)鑫同步鎖定挖角華亞科制程相關(guān)人才，其中由合肥市政府主導(dǎo)的存儲(chǔ)研發(fā)團(tuán)隊(duì)合肥長(zhǎng)鑫，開(kāi)出三倍高薪和紫光集團(tuán)的雙倍薪較勁，在存儲(chǔ)界丟出一顆震撼彈，凸顯中國(guó)大陸建立存儲(chǔ)自主技術(shù)的決心。

　　大陸高薪挖角的行動(dòng)，也將讓本月才正式并入美光的華亞科，甚至臺(tái)塑集團(tuán)旗下的南亞科，明年將有大批人才跳槽，如何挽留這些人才，將成為首要課題。

　　中國(guó)大陸已將存儲(chǔ)列為國(guó)家發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重項(xiàng)扶植項(xiàng)目，除了明定紫光集團(tuán)為指標(biāo)廠外，各地方政府也積極整合，希望列入國(guó)家級(jí)補(bǔ)助計(jì)劃之列。

　　不過(guò)在爭(zhēng)取和國(guó)外技術(shù)授權(quán)后，以武岳鋒為首的大陸基金，和國(guó)家大基金都各自積極整合尋求突圍，其中以合肥與中國(guó)大陸NANDFlash設(shè)計(jì)公司兆易創(chuàng)新(Gigadevice)合作的合肥長(zhǎng)鑫和清華紫光集團(tuán)最為積極。

　　消息人士透露，合肥長(zhǎng)鑫除了計(jì)劃和武岳鋒基金并入的美商矽成(ISSI)合并，也挖角華亞科前資深副總劉大維，展開(kāi)大批挖角華亞科人才行動(dòng)。據(jù)了解，合肥長(zhǎng)鑫開(kāi)出現(xiàn)有華亞科三倍的高薪進(jìn)行挖角，且鎖定人數(shù)高達(dá)兩百人，遠(yuǎn)高于紫光集團(tuán)出的雙倍薪，已有不少人決定投效。

　　另外，華亞科前董事長(zhǎng)高啟全跳槽紫光集團(tuán)擔(dān)任資深副總裁，紫光納入武漢新芯整合成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司后，也挖角前華亞科主管廠務(wù)的子弟兵施能煌擔(dān)任紫光集團(tuán)高級(jí)副總裁，并相繼帶走近十位子弟兵，投入在武漢興建3DNANDFlash的建廠及后續(xù)自主研發(fā)DRAM技術(shù)作業(yè)。臺(tái)系存儲(chǔ)人才面臨空前的挖角行動(dòng)。

　　而連同瑞晶前總經(jīng)理陳正坤帶領(lǐng)的臺(tái)系團(tuán)隊(duì)，投入為福建晉華興建利基型DRAM代工廠，明年可謂臺(tái)系DRAM人才大舉向大陸靠攏的一年。