存儲器產(chǎn)線加速半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)展

　　根據(jù)市場研究公司IC Insights的資料，新的半導(dǎo)體制造產(chǎn)線——特別是DRAM存儲器的導(dǎo)入，預(yù)計(jì)將推動(dòng)2018年和2019年的晶圓總產(chǎn)能高于平均水準(zhǔn)。

　　IC Insights最新的全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告顯示，2018年和2019年晶圓產(chǎn)能預(yù)計(jì)將成長8%，較2018年至2019年間晶圓產(chǎn)業(yè)的年平均成長更高約5%。

　　去年由于DRAM和NAND閃存庫存短缺導(dǎo)致價(jià)格上漲，這使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的銷售額首次突破了4,000億美元。據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)統(tǒng)計(jì)，去年存儲器營收成長了61.5%，其中，DRAM銷售額增加76.8%，NAND銷售額則增加了47.5%。

　　IC Insights表示，韓國三星電子(Samsung Electronics)和海力士(SK Hynix)都計(jì)劃在2018、2019年提高DRAM產(chǎn)能。除了美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)和中國長江存儲科技(Yangtze River Storage Technology)，這些存儲器廠商也計(jì)畫在未來幾年大幅提升3D NAND閃存容量。

　　根據(jù)IC Insights的資料，從2017年到2022年，晶圓產(chǎn)能預(yù)計(jì)每年將成長6%。

　　IC Insights表示，如果2019年規(guī)劃的新產(chǎn)能按計(jì)劃上線，該年度所增加的半導(dǎo)體制造產(chǎn)能將達(dá)到相當(dāng)于2007年創(chuàng)紀(jì)錄的1,800萬片晶圓。IC Insights認(rèn)為，這一預(yù)估數(shù)字是在假設(shè)中國的NAND產(chǎn)能將較預(yù)期更慢的前提下統(tǒng)計(jì)而來的。(編按：IC Insight先前曾估計(jì)中國在自行研發(fā)的3D NAND量產(chǎn)之前會先遇到大規(guī)模的專利訴訟問題，以至量產(chǎn)時(shí)間延后。參考閱讀：中國拼存儲器得先打?qū)＠麘?zhàn)?)