臺積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機

臺積電在北美技術論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結構，取代FinFET。期間，臺積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。

此前，Intel曾說自己是第一個訂購ASML下一代EUV光刻機的廠商，計劃2025年前使用上。三星這邊也是不甘示弱，本周副會長李在镕親赴荷蘭會見ASML高層，據(jù)說至少爭取到了18臺（ASML今年預計出貨51臺EUV）。資料顯示，荷蘭ASML正在研發(fā)新款光刻機High-NA EXE:5200（0.55NA），所謂High-NA也就是高數(shù)值孔徑，2nm之后的節(jié)點都得依賴它實現(xiàn)。這款光刻機價值高達4億美元（約合26億元人民幣），雙層巴士大、重超200噸。