基于閃存的星載大容量存儲(chǔ)器的研究和實(shí)現(xiàn)

摘要：就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲(chǔ)器時(shí)的寫入速度慢、存在無效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個(gè)基于閃存的大容量存儲(chǔ)器的演示樣機(jī)的實(shí)現(xiàn)。

無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是衛(wèi)星上的關(guān)鍵設(shè)備之一。自２０世紀(jì)９０年代初起，各航天大國(guó)開始研制固態(tài)記錄器（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｒｅｃｏｒｄｅｒ，簡(jiǎn)稱ＳＳＲ）。由于ＳＳＲ使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)，所以其存儲(chǔ)密度高、無轉(zhuǎn)動(dòng)部件、可靠性高、體積小、重量輕，因而逐漸成為空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄器的主流方案。閃速存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱閃存）作為一種新興的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，以其獨(dú)有的特點(diǎn)得到了迅猛的發(fā)展，其主要特點(diǎn)有：（１）具有非易失性，掉電時(shí)數(shù)據(jù)不丟失，可靠性高；（２）功耗小，不加電的情況下可長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)信息；（３）壽命長(zhǎng)，可以在在線工作情況下進(jìn)行寫入和擦除，標(biāo)準(zhǔn)擦寫次數(shù)可達(dá)十萬次；（４）密度大、成本低，存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)成，具有很高的容量密度，且價(jià)格也在不斷降低；（５）適應(yīng)惡劣的空間環(huán)境，具有抗震動(dòng)、抗沖擊、溫度適應(yīng)范圍寬等特點(diǎn)。由于閃存的這些特點(diǎn)，使它受到了航天領(lǐng)域研究人員的關(guān)注。２０世紀(jì)９０年代中期，Ｆｉｒｅｃｈｉｌｄ公司就曾為Ｆ－１６偵察星成功設(shè)計(jì)了ＳＳＲ２，使用的主要存儲(chǔ)芯片就是閃存；國(guó)內(nèi)的ＦＹ－２衛(wèi)星也曾采用閃存作為該星的固態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)。雖然有這些成功的應(yīng)用案例，但是閃存也存在一些明顯的缺點(diǎn)，如寫入速度較慢、使用過程中會(huì)出現(xiàn)無效塊等。本文將探討如何解決和突破這些缺點(diǎn)，并依此給出一個(gè)具體的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方案。

１ 閃存構(gòu)成星載大容量存儲(chǔ)器的關(guān)鍵問題

１．１ 寫入速度問題

目前閃存有多種技術(shù)架構(gòu)，其中以ＮＯＲ技術(shù)和ＮＡＮＤ技術(shù)為主流技術(shù)３。ＮＯＲ型閃存是隨機(jī)存取的設(shè)備，適用于代碼存儲(chǔ)；ＮＡＮＤ型閃存是線性存取的設(shè)備，適用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)４。ＮＡＮＤ型閃存有一定的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，具有一些統(tǒng)一的特點(diǎn)，現(xiàn)以三星公司的Ｋ９Ｋ１Ｇ０８Ｕ０Ｍ型芯片為例進(jìn)行介紹。該芯片容量為１Ｇｂｉｔ，由８１９２個(gè)塊組成，每塊又由３２個(gè)頁組成，一頁有（５１２＋１６）×８ｂｉｔ，該片的８位Ｉ／Ｏ總線是命令、地址、數(shù)據(jù)復(fù)用的。讀寫操作均以頁為單位，擦除操作則以塊為單位，寫入每頁的典型時(shí)間為２００μｓ４，平均每寫一個(gè)字節(jié)約需４００ｎｓ，即約２０Ｍｂ／ｓ。這樣的寫入（編程）速度對(duì)于要求高速的應(yīng)用場(chǎng)合來講是難以滿足的，因此必須采取一定的技術(shù)措施。

１．１．１ 并行總線技術(shù)

并行總線技術(shù)亦稱寬帶總線技術(shù)，即通過拓寬數(shù)據(jù)總線的帶寬實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)宏觀上的并行操作。比如，由四片Ｋ９Ｋ１Ｇ０８Ｕ０Ｍ型閃存芯片組成一個(gè)３２位寬的閃存子模塊，它們共用相同的控制信號(hào)，包括片選信號(hào)、讀寫信號(hào)、芯片內(nèi)部地址等。子模塊總是被看做一個(gè)整體而進(jìn)行相同的操作，只是數(shù)據(jù)加載的時(shí)候是不同的數(shù)據(jù)。這樣，數(shù)據(jù)量將是使用單獨(dú)一塊芯片時(shí)的４倍，所以理論上速度也將是非并行時(shí)的４倍。

１．１．２ 流水線技術(shù)

借鑒現(xiàn)今高性能計(jì)算機(jī)中的流水線操作原理，可在時(shí)間片上實(shí)現(xiàn)微觀并行。針對(duì)閃存的寫入速度慢的問題，可以對(duì)其進(jìn)行流水處理。Ｋ９Ｋ１Ｇ０８Ｕ０Ｍ型閃存的寫入操作可分為三個(gè)步驟：（１）加載操作，即完成命令、地址和數(shù)據(jù)的載入工作；（２）自動(dòng)編程操作，即由閃存芯片自動(dòng)完成編程操作，將載入到頁寄存器的數(shù)據(jù)寫到內(nèi)部存儲(chǔ)單元的；（３）檢測(cè)操作，即在自動(dòng)編程結(jié)束后檢測(cè)寫入的數(shù)據(jù)是否正確。如果不正確，需要重新編程；如果正確，繼續(xù)下一步的操作。寫流水原理圖如圖１所示。由圖１可以看到，流水線運(yùn)行起來后，在任一時(shí)間片上總有若干小操作在同時(shí)進(jìn)行，即在時(shí)間片上實(shí)現(xiàn)了復(fù)用，因此從整體上看速度將會(huì)提高。