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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 　　英飛凌

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。 　　獨(dú)具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開關(guān)和效率界限

  • 　　英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需求。 　　近年來，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設(shè)計(jì)者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機(jī)、太陽能逆變器、開關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應(yīng)用，幫助最大
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英飛凌在汽車電子芯片領(lǐng)域獨(dú)占鰲頭

  • 　　根據(jù)Strategy Analytics公布的最新研究結(jié)果，英飛凌科技股份公司成為當(dāng)今世界頭號汽車電子芯片供應(yīng)商。這家位于美國的市場研究機(jī)構(gòu)稱，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場份額，總銷售額達(dá)到13.1億美元。盡管2009年汽車行業(yè)遭遇重創(chuàng)，但英飛凌卻進(jìn)一步鞏固了自己的市場地位。2009年，汽車芯片市場規(guī)模縮小21%，從2008的183億美元降至144億美元。 　　英飛凌公司汽車部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業(yè)困難時(shí)期，我們憑借廣泛的產(chǎn)品創(chuàng)新占據(jù)汽車電子芯片領(lǐng)域第一
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傳英飛凌計(jì)劃將無線芯片業(yè)務(wù)售予英特爾

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，《金融時(shí)報(bào)》德國版(Financial Times Deutschland)周一援引消息人士的話稱，德國芯片制造商英飛凌正在與英特爾進(jìn)行談判，考慮向后者出售自己的無線芯片業(yè)務(wù)。 　　英飛凌無線芯片業(yè)務(wù)的供貨對象包括了蘋果、諾基亞、三星電子和RIM。英飛凌目前尚不明確剝離無線芯片業(yè)務(wù)，是否會(huì)對自身有一定的意義。截至目前，上述兩家公司均對此未置可否。 　　一些分析師認(rèn)為，英特爾收購英飛凌無線芯片業(yè)務(wù)有一定的意義。不過英飛凌首席執(zhí)行官彼得•鮑爾(Peter Bauer)在今年3
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英飛凌在汽車電子芯片領(lǐng)域獨(dú)占鰲頭

  • 　　根據(jù)Strategy Analytics公布的最新研究結(jié)果，英飛凌科技股份公成為當(dāng)今世界頭號汽車電子芯片供應(yīng)商。這家位于美國的市場研究機(jī)構(gòu)稱，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場份額，總銷售額達(dá)到13.1億美元。盡管2009年汽車行業(yè)遭遇重創(chuàng)，但英飛凌卻進(jìn)一步鞏固了自己的市場地位。2009年，汽車芯片市場規(guī)模縮小21%，從2008的183億美元降至144億美元。 　　英飛凌公司汽車部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業(yè)困難時(shí)期，我們憑借廣泛的產(chǎn)品創(chuàng)新占據(jù)汽車電子芯片領(lǐng)域第一的
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英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3

  • 　　英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實(shí)現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計(jì)的新款I(lǐng)GBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 　　英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
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英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)

  • 　　英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機(jī)將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無管腳SMD

  • 　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。 　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場對時(shí)
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英飛凌預(yù)計(jì)2010財(cái)年?duì)I收增幅將高達(dá)30%

  • 　　英飛凌科技股份公司近日公布2010財(cái)年(截至2010年3月31日)第二季度的財(cái)務(wù)結(jié)果。 　　英飛凌第二季度的營收為10.35億歐元，相對于第一季度大幅提高10%，同比提高55%。各業(yè)務(wù)部的合并財(cái)務(wù)結(jié)果1為1.1億歐元，較上一季度增長25%。凈收入為7,900萬歐元，而上一季度的凈收入為6,600萬歐元。 　　2010財(cái)年第三季度，英飛凌預(yù)計(jì)公司銷售額的增長百分比將會(huì)達(dá)到較高的個(gè)位數(shù)，相對于第二季度，各業(yè)務(wù)部的合并利益率將提高兩至四個(gè)百分點(diǎn)。 　　2010財(cái)年，英飛凌調(diào)整了對本年度的展望，因?yàn)?0
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英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命，

  • 　　英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求，并為提高功率密度和實(shí)現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。 　　英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的技術(shù)
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英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)

  • 　　英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機(jī)將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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英飛凌第二財(cái)季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財(cái)報(bào)顯示，結(jié)束于3月份的本財(cái)年第二財(cái)季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財(cái)季營收為 10億歐元，同比增長55%。 　　第二財(cái)季凈利潤好于分析師預(yù)期，營收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計(jì)，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財(cái)季為英飛凌連續(xù)第三季度實(shí)現(xiàn)盈利，而在那之前10個(gè)季度該公司累計(jì)虧損額高達(dá)39億歐元。 　　英飛凌上調(diào)了
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英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。 　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 　　飛兆半
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英飛凌第二季度業(yè)績強(qiáng)勁且前景看好

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布公司2009/10財(cái)年(截止到2010年9月30日)第二季度業(yè)績和營收優(yōu)于預(yù)期水平，并且前景看好。 　　2009/10財(cái)年第二季度，英飛凌預(yù)計(jì)公司營收額將環(huán)比增長約10%。與此同時(shí)，英飛凌還預(yù)計(jì)，在剛結(jié)束的這個(gè)季度，公司分部利潤率有望達(dá)到10%以上。 　　在本財(cái)年第三季度，英飛凌預(yù)計(jì)公司營收將取得持續(xù)增長，而分部業(yè)績將實(shí)現(xiàn)大幅攀升。 　　英飛凌有望上調(diào)2009/10全年預(yù)期。公司將于4月28日公布第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)時(shí)提供相關(guān)細(xì)節(jié)。 　　英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Pet
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