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5nm工藝可能無法實(shí)現(xiàn)？存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片
- 根據(jù)三星最新財(cái)報(bào)顯示，三星Q3凈利潤(rùn)更是高達(dá)98.7億美元，增長(zhǎng)145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財(cái)報(bào)的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品。” 三星在聲明中稱，這是全球第一個(gè)第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運(yùn)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂觀，價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià)，報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長(zhǎng)的多頭行情。 事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫史上新高
- 今年內(nèi)存供給吃緊，推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 據(jù)IC Insights估計(jì)，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。 全年來看，DRAM市場(chǎng)預(yù)估成長(zhǎng)74%，較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn)，也是繼1994年成長(zhǎng)78%以來最強(qiáng)成長(zhǎng)動(dòng)能。 許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動(dòng)與游戲設(shè)備對(duì)高效能內(nèi)存的需求大
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南亞科：明年DRAM市場(chǎng)穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊
- 今年DRAM市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)，南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價(jià)走勢(shì)穩(wěn)健;展望2018，預(yù)期明年整體DRAM市場(chǎng)供需均衡且健康，市場(chǎng)將持續(xù)維持穩(wěn)健。 隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運(yùn)算等應(yīng)用，促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動(dòng)今年內(nèi)存市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)逾50%。 展望2018年，南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長(zhǎng)率在20%~25%，預(yù)估2018年需求將較2017
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研調(diào)：預(yù)計(jì)2017年DRAM市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)74％至720億美元
- 縱觀2017年，隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)和其他移動(dòng)產(chǎn)品對(duì)DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求，平均售價(jià)也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預(yù)計(jì)2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績(jī)，與2016年第四季度的128億美元相比增長(zhǎng)65%。 圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營(yíng)收 IC Insights預(yù)計(jì)2017年全年DRAM的銷售額將達(dá)720億美元，年增長(zhǎng)率達(dá)74%。這是自1993年(1994年的年增長(zhǎng)率為78%)以來的歷史最好
- 關(guān)鍵字： DRAM
2021年全球IC市場(chǎng)規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長(zhǎng)最快
- 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新報(bào)告預(yù)估，全球整體IC市場(chǎng)規(guī)模將由2016年的2,977億美元，成長(zhǎng)為2021年的4,345億美元。合計(jì)2016~2021年規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為7.9%。 在12類IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中，僅游戲機(jī)與平板電腦產(chǎn)品用IC市場(chǎng)規(guī)模會(huì)出現(xiàn)下滑，其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機(jī)等IC應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模都會(huì)呈現(xiàn)成長(zhǎng)。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)最快，成長(zhǎng)幅度較整體IC高出70%。 預(yù)估2017年全球車用IC市場(chǎng)規(guī)模，將繼2016年成長(zhǎng)11%(達(dá)2
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢(shì)最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。 手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題，論道存儲(chǔ)未來，讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國(guó)及全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國(guó)計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專委會(huì)主任馮丹作為開場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢(shì)及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢(shì)，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢(shì)最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。 手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預(yù)測(cè)明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯(cuò)看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見此)，IHS Markit報(bào)告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí)，明年全球NAND需求提高36.7
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