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晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)

  • 　　聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經(jīng)理簡山杰認(rèn)為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪，但強調(diào)DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。 　　聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。 　　簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應(yīng)多言，但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡山杰質(zhì)疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認(rèn)罪后，妻子就復(fù)
  • 關(guān)鍵字： 晉華  DRAM  

將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  • 員工有無竊取機密資料可以查證，企業(yè)有無教唆員工偷竊，也可以透過證據(jù)來佐證，但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規(guī)范員工的行為，這十分兩難。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  存儲器  

看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

  • 　　你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
  • 關(guān)鍵字： RRAM  DRAM  

將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  • 　　聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”，因此視為共犯。 　　我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在這個合作案當(dāng)中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過程中，有無竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
  • 關(guān)鍵字： DRAM  聯(lián)電  

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢

  • 　　隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo)，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達(dá)20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢

  • 　　隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo)，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達(dá)20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
  • 關(guān)鍵字： DRAM  美光  

半導(dǎo)體，中國的芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)需要怎樣突破？

  • 世界集成電路三強：英特爾，三星，高通。光是高通和英特爾兩家，每年就能帶給美國八九百億美元的營收，養(yǎng)活數(shù)萬美國工程師，還能帶來一百多億美元的凈利潤。中國的經(jīng)濟(jì)升級最大的兩個領(lǐng)域是汽車制造工業(yè)和集成電路工業(yè)。未來怎樣能在這兩個超級產(chǎn)業(yè)完成逆襲？
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  

DRAM市場：海力士率先擴產(chǎn)，其他企業(yè)能否緊隨其后

  • 　　DRAM存儲器是有史以來價格波動最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動性強的又一例證， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時間，DRAM價格已經(jīng)翻了一番還要多。市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲價格(price per bit)漲幅將超過40%，為史上最高。 　　僅僅一年前，DRAM采購商還在盡可能利用產(chǎn)能過剩狀況來向DRAM制造商壓價，根本不管DRAM制造商在這樣低價合同上會賠多少錢?，F(xiàn)在，DRAM制造商正在“復(fù)仇”，不斷漲
  • 關(guān)鍵字： DRAM  海力士  

臺專家：中國半導(dǎo)體發(fā)展模式的探討

  • 　　大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進(jìn)時期、全面布局的重點建設(shè)時期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當(dāng)中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點。 　　  爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

美光：未來兩季 DRAM供不應(yīng)求

  • 　　美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來兩季DRAM仍是供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。 　　他強調(diào)，美光在上季公布財報時也預(yù)估本季營收和獲利展望，同時看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來營運表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁，但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無法滿足市場需求，預(yù)估未來兩季，DRAM仍供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。 　　艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著眼于制程技術(shù)推進(jìn)，短期內(nèi)不會增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠，包括三星、SK海力士，也是
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能

  • 　　中國臺灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會的核準(zhǔn)，總投資金額達(dá)新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時間預(yù)計3年的情況下，則新廠2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。 　　華邦電為臺灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片，2017年年底將擴增至4.8萬片，2018年底則擴增到5.3萬片。未來，最大的擴充能量到5.5萬片時就已經(jīng)將當(dāng)前臺中廠的剩余空間給全部用光。 　　因此，面
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莫大康：中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

  • 　　與美國在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 　　01引言 　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標(biāo)奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。 　　此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 　　一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。 　　另一個是西方千方百計的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

存儲器價格為何居高不下？

  • 存儲器價格較高不再只是因為供需失衡。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

存儲器“漲”勢不停 中國有望填補產(chǎn)能缺口

  • 存儲器作為智能手機，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會導(dǎo)致整個產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的尷尬。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

服務(wù)器DRAM大熱賣、報價季季漲 南亞科宜鼎受惠

  • 　　今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺，英特爾Purley平臺已經(jīng)開始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開始放量出貨，而在云端運算、人工智能的帶動下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報價又調(diào)漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢無疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢下，專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會大受益。 　　DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開出，業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長，帶動今年以來DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價今年上半年已大漲逾4成幅度
  • 關(guān)鍵字： 服務(wù)器  DRAM  
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