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三星計(jì)劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價(jià) 漲幅約10%

  • 　　全球DRAM龍頭韓國(guó)三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計(jì)劃調(diào)漲第4季行動(dòng)式存儲(chǔ)器(Mobile DRAM)合約價(jià)，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢(shì)可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強(qiáng)勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲(chǔ)器的整合架構(gòu)，帶動(dòng)DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價(jià)居高不下，
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三大內(nèi)存罕見同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%

  • 　　DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長(zhǎng)漲勢(shì)。 　　內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過(guò)DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì)排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 　　這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價(jià)格上漲，主要來(lái)自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及計(jì)算機(jī)三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強(qiáng)，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
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國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)分析 該如何走存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化道路？

  • 近年來(lái)，隨著移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲(chǔ)器產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)也隨之逐步開拓，市場(chǎng)需求越來(lái)越大。
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內(nèi)存價(jià)格暴漲一整年：徹底沒(méi)法買了

  • 內(nèi)存、固態(tài)盤這一年來(lái)不斷漲價(jià)，但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)那是相當(dāng)?shù)膰樔恕?/li>
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2017年全球IC市場(chǎng)規(guī)模年增16% 成長(zhǎng)幅度創(chuàng)近年新高

  • 　　隨著DRAM與NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)，調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場(chǎng)規(guī)模將較2016年大幅成長(zhǎng)16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來(lái)，最佳年增紀(jì)錄。亦為2000年以來(lái)，第5度IC市場(chǎng)規(guī)模年增幅度達(dá)到雙位數(shù)百分比。 　　2017年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)年增55%，NAND Flash年增35%。不過(guò)該機(jī)構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場(chǎng)大幅成長(zhǎng)的最主要因素，是來(lái)自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
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半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過(guò)哪些難關(guān)

  • 　　過(guò)去兩年來(lái)，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了新一輪熱潮。中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場(chǎng)，且下游需求良好，前景可期。 　　通盤來(lái)看，全球前十大半導(dǎo)體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 　　國(guó)外對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施 　　眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來(lái)自于美日韓半導(dǎo)體廠商的，他們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術(shù)成熟，專利頗多，而對(duì)于中國(guó)近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
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DRAM 第三季度合約價(jià)持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價(jià)格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強(qiáng)勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價(jià)來(lái)到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價(jià)亦來(lái)到27美元，亦有超過(guò)一成的漲幅。7月PC DRAM合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)約4.6%，預(yù)估下半年價(jià)格將會(huì)維持小幅上漲態(tài)勢(shì)。 　　旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢(shì) 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時(shí)序進(jìn)入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場(chǎng)更
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存儲(chǔ)器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，就是它不需要刷新電路，不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做C
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ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年

  • 　　IC Insights的報(bào)告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。 　　 不過(guò)因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會(huì)加入戰(zhàn)場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當(dāng)高。   　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

回顧美日DRAM芯片之爭(zhēng)

  • 盛極而衰是自然規(guī)律，商業(yè)領(lǐng)域也是這樣。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  東芝  

1970-2017 DRAM芯片市場(chǎng)的生死搏殺

  • 自1970年，美國(guó)英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來(lái)，已經(jīng)過(guò)去47年，美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進(jìn)來(lái)，卻在輸光光之后黯然離場(chǎng)。目前，只有韓國(guó)三星和海力士，占據(jù)絕對(duì)壟斷地位，在DRAM市場(chǎng)呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  Flash  

手機(jī)零組件供貨缺口恐?jǐn)U大 PC產(chǎn)業(yè)營(yíng)運(yùn)難逃沖擊

  • 第3季零組件缺貨情況持續(xù)，而終端廠商考量營(yíng)運(yùn)壓力續(xù)轉(zhuǎn)嫁到PC終端售價(jià)之上，預(yù)料也將讓PC銷售回溫的力道受到影響，經(jīng)此相關(guān)廠商得更強(qiáng)化零組件缺貨所可能造成的風(fēng)險(xiǎn)管控等才是。
  • 關(guān)鍵字： SSD  DRAM  

存儲(chǔ)芯片銷售飆升：SK海力士第二季度獲利創(chuàng)新高

  • 　　北京時(shí)間7月25日上午消息，韓國(guó)芯片制造商SK海力士周二稱，由于存儲(chǔ)芯片需求強(qiáng)勁，其第二季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)較上年同期飆升574%，創(chuàng)有史以來(lái)新高，符合市場(chǎng)預(yù)期。 　　該財(cái)報(bào)刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位，SK海力士因而有望朝分析師所預(yù)估的史上最高年?duì)I業(yè)利潤(rùn)13萬(wàn)億韓元(約合786.54億人民幣)邁進(jìn)。 　　SK海力士表示，4-6月獲利為3.1萬(wàn)億韓元(約合187.56億人民幣)。營(yíng)收增長(zhǎng)70%至6.7萬(wàn)億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長(zhǎng)3%，平均售價(jià)上漲11%;NAND芯
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士今年投資規(guī)模上看62億美元 致力于技術(shù)提升

  • 　　以往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)要素在產(chǎn)能擴(kuò)大與降低成本，但制程愈趨于先進(jìn)，研發(fā)難度提高，投資規(guī)模擴(kuò)大不保證能帶來(lái)對(duì)等獲利。面對(duì)產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術(shù)創(chuàng)新開拓全球市場(chǎng)。 　　據(jù)韓媒每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士計(jì)劃在2017年下半提高10納米級(jí)DRAM生產(chǎn)比例，并持續(xù)增加14納米NAND Flash產(chǎn)量，以取得更具優(yōu)勢(shì)的成本競(jìng)爭(zhēng)力，提高事業(yè)獲利性。 　　SK海力士將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。 　　資通訊技術(shù)發(fā)達(dá)帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求成長(zhǎng)，移動(dòng)裝置用DRAM及NAND Flash
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

Gartner預(yù)測(cè)2017年全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到4千億美元

  • 　　根據(jù)全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的最新預(yù)測(cè)，2017年全球半導(dǎo)體總體收入將首度突破4,000億美元大關(guān)，達(dá)到4014億美元，較2016年增加16.8%。2010年全球半導(dǎo)體收入曾創(chuàng)下3000億美元的紀(jì)錄，更早之前則是在2000年超過(guò)了2000億美元?！　artner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲(chǔ)器的短缺正在帶動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)的整體繁榮。由于存儲(chǔ)器廠商抬高DRAM和NAND的價(jià)格，其收入和利潤(rùn)亦隨之增長(zhǎng)。”　　Gartner預(yù)計(jì)2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的收入漲幅
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  
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