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三星內(nèi)存霸占手機(jī)：市場(chǎng)份額創(chuàng)紀(jì)錄
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2016年第三季度的全球移動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)上，三星電子的份額已經(jīng)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個(gè)百分點(diǎn)。 當(dāng)季，三星移動(dòng)內(nèi)存業(yè)務(wù)收入達(dá)29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。 作為三星的頭號(hào)對(duì)手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規(guī)模，不過兩家合計(jì)已經(jīng)占到了87.3%。 美光位列第三，但形勢(shì)也不太好，跌落到10.6%。臺(tái)灣南亞有所上升，但也不過1.3%。 上
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第三季移動(dòng)DRAM內(nèi)存產(chǎn)值季增16.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于全球智能手機(jī)進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價(jià)格同步上揚(yáng)，第三季行動(dòng)式內(nèi)存總產(chǎn)值達(dá)45.88億美元，季成長(zhǎng)約16.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋果iPhone 7與三星Note 7旗艦機(jī)型發(fā)布，讓全球行動(dòng)式內(nèi)存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動(dòng)作已為第三季行動(dòng)式內(nèi)存的營(yíng)收做出貢獻(xiàn)。 以三大DRAM廠行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收市占來
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兆易創(chuàng)新即將與ISSI整并 成國(guó)產(chǎn)DRAM新?lián)?dāng)？
- 中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體在存儲(chǔ)始終無法取得突破性進(jìn)展，現(xiàn)在有關(guān)廠商團(tuán)隊(duì)都積極動(dòng)起來，近來相關(guān)整并、建廠消息一樁接一樁。早前曾報(bào)導(dǎo)過，中國(guó)NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新(Gigadevice)可能與武岳峰等中國(guó)基金所收購的美國(guó)DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息! 19 日上海交易所上市的兆易創(chuàng)新再發(fā)停牌公告，以正在籌劃重大事項(xiàng)為由，即日起將持續(xù)停牌，今年9 月中開始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時(shí)，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原
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TrendForce：價(jià)格漲勢(shì)不停，第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長(zhǎng)，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格呈上漲走勢(shì)，同時(shí)帶動(dòng)其他類別內(nèi)存的價(jià)格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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價(jià)格漲勢(shì)不停，第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長(zhǎng)，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格呈上漲走勢(shì)，同時(shí)帶動(dòng)其他類別內(nèi)存的價(jià)格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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DRAM戰(zhàn)國(guó)時(shí)代 長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電、合肥長(zhǎng)芯三大勢(shì)力將對(duì)決
- 近期大陸三股勢(shì)力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳已評(píng)估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長(zhǎng)芯，由前中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)操刀，大陸這三股DRAM勢(shì)力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
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SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲(chǔ)器解決方案，實(shí)現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時(shí)啟動(dòng)
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其一款用于支持瞬時(shí)啟動(dòng)應(yīng)用的全新小尺寸存儲(chǔ)器解決方案已驗(yàn)證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲(chǔ)器。該方案在一個(gè)低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴(kuò)展便箋式存儲(chǔ)器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設(shè)計(jì)。 該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別，包括
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三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動(dòng)DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預(yù)估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動(dòng)DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進(jìn)。 韓聯(lián)社等外媒報(bào)導(dǎo)，根據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動(dòng)DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 到目前三星移動(dòng)DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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TrendForce：十月DRAM價(jià)格月漲逾20%，4GB模組均價(jià)來到17.5美元
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價(jià)格，4GB模組均價(jià)來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場(chǎng)也依然維持強(qiáng)勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場(chǎng)對(duì)于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場(chǎng)面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存后，
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韓國(guó)成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲(chǔ)器研發(fā)
- 南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國(guó)家隊(duì)，由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 三星、SK海力士是全球前兩大存儲(chǔ)器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對(duì)制價(jià)與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”，預(yù)料以存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先，臺(tái)灣南亞科、華邦電等存儲(chǔ)器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。 業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機(jī)吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績(jī)!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對(duì)手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，技術(shù)差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時(shí)，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
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