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1α dram
1α dram 文章 進(jìn)入1α dram 技術(shù)社區(qū)
2012年全球存儲(chǔ)器模組廠營(yíng)收排名
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營(yíng)收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查,該年度全球模組市場(chǎng)總銷(xiāo)售金額為
- 關(guān)鍵字: 記憶體儲(chǔ)存 金士頓 DRAM
提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法
- 行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 子系統(tǒng)效率 DRAM
DDR的前世與今生(一)
- DDR SDRAM全稱(chēng)為Double Data Rate SDRAM,中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái),嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR。 說(shuō)到這里,很多人可能會(huì)問(wèn)SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼,怎么區(qū)別的?小編還是來(lái)簡(jiǎn)單普及下關(guān)于存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)吧。 ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM是只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種只能讀出事先
- 關(guān)鍵字: DDR DRAM
存儲(chǔ)器需求動(dòng)能強(qiáng)勁,第四季DRAM合約價(jià)有望再漲逾一成
- 受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動(dòng),存儲(chǔ)器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長(zhǎng)期價(jià)格頹勢(shì)。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,存儲(chǔ)器在筆電需求回溫、智能手機(jī)延續(xù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)與服務(wù)器需求增溫帶動(dòng)下,DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格預(yù)計(jì)將同步上揚(yáng),特別是DRAM合約價(jià)第四季估將再漲逾一成。 供應(yīng)持續(xù)吃緊,DRAM市場(chǎng)至2017年維持健康供需狀態(tài) 由于今年中國(guó)品牌智能手機(jī)表現(xiàn)超乎預(yù)期,服務(wù)器出貨也受惠于中國(guó)大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫,下半年臺(tái)系服務(wù)器代工廠
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言,存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前,我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM
2016 DRAM市場(chǎng)回溫優(yōu)于預(yù)期 美光贏得外資青睞
- 繼上周日系外資提高存儲(chǔ)器廠美光(Micron)自每股16元的目標(biāo)價(jià)到每股20元之后,30日另一家美系外資的最新研究報(bào)告也指出,在當(dāng)前DRAM市場(chǎng)價(jià)格逐步回穩(wěn)的情況下,加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉(zhuǎn)變,也將美光的目標(biāo)價(jià)由原本的每股18美元,提高至每股20美元的價(jià)位。 該外資報(bào)告一開(kāi)始便提及,看好2016年以來(lái)DRAM市場(chǎng)的回溫與產(chǎn)品價(jià)格的回穩(wěn),而且實(shí)際上的表現(xiàn)還比當(dāng)時(shí)預(yù)估的要好一些。不過(guò),在當(dāng)前許多供應(yīng)商的產(chǎn)能不足的情況下,2017年DRAM的供應(yīng)依舊是吃緊的。尤其,是在3D NAND閃存
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
美大學(xué)突破相變化存儲(chǔ)器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍
- 在全球持續(xù)突破存儲(chǔ)器運(yùn)行速度的努力進(jìn)程中,全球各研究人員均對(duì)于“相變化存儲(chǔ)器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣,并投入大量時(shí)間從事研發(fā),最新則是美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破,據(jù)稱(chēng)可讓PCM的運(yùn)行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 據(jù)Techspot網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),所謂的相變化存儲(chǔ)器運(yùn)作原理,是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng),雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲(chǔ)存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
中國(guó)投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢(qián)就能解決的問(wèn)題
- 8月27日消息,中國(guó)目前大力推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,目標(biāo)是在將來(lái)成為全球電腦芯片制造業(yè)的領(lǐng)軍者。這一宏偉計(jì)劃似乎遇到了難以逾越的障礙。 在2014年,中國(guó)就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設(shè)計(jì)和制造產(chǎn)業(yè),以期在未來(lái)占據(jù)行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢(xún)公司(Bain & Company )的最新分析顯示,中國(guó)僅僅依靠這1000億美元的投資是無(wú)法保證自己在芯片行業(yè)取得領(lǐng)先的。 中國(guó)國(guó)有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
- 關(guān)鍵字: 芯片 DRAM
三星承包Q2全球61.5%移動(dòng)DRAM市場(chǎng)
- 韓聯(lián)社首爾8月17日電 據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange消息,三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)19.4%至24.18億美元,全球市場(chǎng)占有率升至61.5%,創(chuàng)下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨(dú)統(tǒng)計(jì)以來(lái)的歷史最高紀(jì)錄。 三星2015年后三季度的移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額均未突破60%關(guān)口,分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后,第二季又提升1.1個(gè)百分點(diǎn)。三星移動(dòng)DRAM的市場(chǎng)份額更是比DRAM市場(chǎng)份額(47.4%)高出14.1個(gè)百分點(diǎn)
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
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