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福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過 打造中國內(nèi)存基地

  • 　　記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉，《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過專家論證，一個千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 　　據(jù)介紹，《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍圖，提出到2025年，將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。 　　論證會由工信部電子一所副所長萬鵬遠主持。在3個多小時的論證會上，中科院半導(dǎo)體所所長李樹深，中科院微
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  DRAM  

集邦科技：DRAM價格Q3將漲4~8%

  • 　　由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價格，集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4～8%。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，經(jīng)過近兩年的續(xù)跌，6月合約價已呈現(xiàn)持平，普遍用12.5美元價格議定完成。DRAMeXchange最新報價顯示，DDR3 4GB合約均價從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達62%。 　　吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價起漲，起因于標準
  • 關(guān)鍵字： 集邦科技  DRAM  

中國半導(dǎo)體存儲器市場前景

  • 本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  市場  DRAM  Flash  201607  

日經(jīng):PC用DRAM價格月增6%，能見度到九月

  • 　　行動記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時， PC用DRAM卻也因此受惠，現(xiàn)貨價格持續(xù)攀升。 　　據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，行情指標4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個月上漲6%，目前來到1.74美元，某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳，但PC用DRAM價格之所以還能往上攀升，是因為美光等記憶體大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動產(chǎn)品，以致供給減少。 　　PC制造商夏季機種目前已陸續(xù)上市，盡管此時季節(jié)性需求已開始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月，
  • 關(guān)鍵字： PC  DRAM  

臺灣IC產(chǎn)業(yè)要重蹈面板覆轍？這個鍋張忠謀背不背

  • 一個董事席位不至于讓知識產(chǎn)權(quán)輕松被轉(zhuǎn)移。不過一個錯誤的決定卻可能讓臺灣集成電路產(chǎn)業(yè)重蹈面板的覆轍。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  集成電路  

TrendForce：原廠控制產(chǎn)出，2017年DRAM價格止跌回穩(wěn)露曙光

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)因長期需求不振，合約價格已歷經(jīng)連續(xù)19個月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季個人電腦(PC)將進入出貨高峰、中國品牌智能手機出貨持續(xù)走揚，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動能，將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外，各家DRAM供貨商對于制程轉(zhuǎn)進的態(tài)度趨于
  • 關(guān)鍵字： TrendForce  DRAM  

NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動DRAM市場趨于健康

  • 　　蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年營運會比上半年好。 　　創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產(chǎn)品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 　　威剛董事長陳立白日
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

威剛：DRAM軍備賽三星帶頭喊卡　2年半空頭市場將走完

  • 　　臺存儲器模組廠威剛董事長陳立白指出，觀察國際龍頭大廠動向，全球DRAM軍備競賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節(jié)制資本支出的情況下停止，預(yù)計DRAM價格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景氣將好轉(zhuǎn)，為期兩年半的DRAM空頭市場將走完。 　　陳立白認為，三星在DRAM的資本支出上踩煞車，影響接近45%的供貨，接下來就要看SK海力士的態(tài)度，如果海力士也認同避免軍備競賽的移動，開始節(jié)制資本支出，對產(chǎn)業(yè)來說就是美事一樁。 　　據(jù)臺存儲器模組業(yè)者表示，SK海力士新董事長
  • 關(guān)鍵字： 威剛  DRAM  

三星海力士DRAM市場占有率繼續(xù)增長 營收不增反降

  • 　　市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。 　　盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。 　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率，從去年第四
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

三星+海力士移動DRAM逼近九成，美光瀕臨淘汰

  • 　　市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr) 　　盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。 　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

美光漲逾7%！應(yīng)材估DRAM資本支出降溫、三星傳縮手

  • 　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預(yù)估值擊敗分析師預(yù)估，帶動20日股價跳漲13.81%、收22.66美元，漲幅不但居費城半導(dǎo)體指數(shù)成分股30支成分股之冠，收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來收盤新高。 　　美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元，創(chuàng)4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報導(dǎo)，應(yīng)材在財報電話會議上指出，投資活動逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃記憶體
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

DRAM價格持續(xù)下跌，第一季全球DRAM總產(chǎn)值環(huán)比衰退16.6%

  • 　　TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，受到市況持續(xù)供過于求、平均銷售單價下降影響，2016年第一季全球DRAM總產(chǎn)值為85.6億美元，環(huán)比衰退16.6%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第一季為傳統(tǒng)淡季，除中國市場的智能手機略有庫存回補的需求以外，筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修，導(dǎo)致DRAM市場供過于求的現(xiàn)象更為明顯。 　　三星營收持續(xù)摘冠，美光集團開始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn) 　　三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭，第一季營收雖下跌16.6%，
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

DIGITIMES專欄：三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)

  • 　　2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導(dǎo)電膜形成技術(shù)，以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 　　三星于DRAM 18納米制程將運用自動對位QPT(Self A
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM   

福建晉華攜手聯(lián)電 開發(fā)制程DRAM技術(shù)

  • 　　晶圓代工廠聯(lián)電昨天宣布，與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路，簽署技術(shù)合作協(xié)議，由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。 　　聯(lián)電強調(diào)，所開發(fā)技術(shù)將應(yīng)用于利基型DRAM生產(chǎn)，但該公司沒有要進入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。外界解讀，聯(lián)電現(xiàn)階段雖然僅投入利基型記憶體技術(shù)開發(fā)，未來視兩岸政策與市場情況，說不定將進入相關(guān)代工領(lǐng)域。 　　聯(lián)電表示，這次的合作協(xié)議結(jié)合臺灣的半導(dǎo)體制造能力，及中國大陸的市場與資金，在臺灣進行技術(shù)研發(fā)。雙方合作開發(fā)的技術(shù)，主要應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn)，不僅能提供國內(nèi)IC設(shè)計公司使用，也能結(jié)合
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)電  DRAM  

大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當其沖

  • 　　工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。 　　聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發(fā)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù)，引起各界關(guān)注。 　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。 　　楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
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