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IEK:DRAM去年單價(jià)上漲55%,今年再漲32%

  • 　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)引用市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查報(bào)告指出，去年全球DRAM價(jià)量飆揚(yáng)，產(chǎn)值年增達(dá)約77%、達(dá)725億美元，平均銷售單價(jià)上漲55%;今年預(yù)估還是供不應(yīng)求，雖然漲幅力道不如去年大，但在主要供貨商仍有節(jié)制增產(chǎn)下， 預(yù)估今年平均銷售單價(jià)仍會(huì)漲逾32%，年產(chǎn)值估約年增23%、達(dá)近900億美元，為歷年來新高。 　　IEK看好今年內(nèi)存仍將會(huì)是價(jià)量齊揚(yáng)的一年，主因人工智能將從云端運(yùn)算往下落到邊緣運(yùn)算，預(yù)估到2022年，將會(huì)有高達(dá)75%的數(shù)據(jù)處理工作不在云端數(shù)據(jù)中心完成， 而是透過靠近用戶的邊緣運(yùn)
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SK海力士2017利潤暴漲319%，2018年繼續(xù)創(chuàng)紀(jì)錄

  • 2017年第四季度存儲(chǔ)市場(chǎng)依舊火爆，受全球數(shù)據(jù)中心增長驅(qū)動(dòng)，服務(wù)器存儲(chǔ)器需求尤其強(qiáng)勁，將繼續(xù)推動(dòng)公司2018年利潤的增長，SK海力士也將擴(kuò)展新生產(chǎn)線來滿足市場(chǎng)需求。
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海力士：去年第四季DRAM平均價(jià)格漲9%

  • 　　全球第二大內(nèi)存芯片廠韓國SK海力士受惠DRAM價(jià)格大漲，以及市況持續(xù)暢旺，去年第4季獲利創(chuàng)單季新高，看好今年服務(wù)器內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁。 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦則預(yù)期，盡管智能手機(jī)銷售不如預(yù)期，恐導(dǎo)致本季移動(dòng)內(nèi)存合約價(jià)漲幅收斂為3%，但第2季將重啟拉貨動(dòng)能，價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲。 　　SK海力士昨天舉行發(fā)布會(huì)并公布去年財(cái)報(bào)，去年第4季獲利和去年全年獲利都創(chuàng)新高。 該公司分析，去年第4季獲利創(chuàng)高，主因DRAM芯片出貨季增3%，平均價(jià)格漲9%;NAND芯片出貨增16%，均價(jià)漲4%。 　　SK海力士預(yù)估，2018年DRAM芯
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

  • 大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想。
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紫光國芯:DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平

  • 　　紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者提問時(shí)介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì)降低工作電壓，有利于更低的功耗。 　　同時(shí)，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場(chǎng)份額不大。 　　針對(duì)投資者關(guān)于公司DDR4存儲(chǔ)器芯片相比DDR3優(yōu)勢(shì)的詢問，紫光國芯作出上述回應(yīng)。 　　1月26日紫光國芯在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

  • 　　2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì)那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。 　　DRAM無新增產(chǎn)能 　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
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南亞科：DRAM上半年還會(huì)漲

  • 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價(jià)格持續(xù)看漲，但漲幅會(huì)收斂些，下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實(shí)際增產(chǎn)內(nèi)容才能做明確分析。 目前來看，韓國二大廠都表明將依市場(chǎng)需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。 　　李培瑛表示，服務(wù)器和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM今年市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁，南亞科內(nèi)部預(yù)估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數(shù)據(jù)中心對(duì)服務(wù)器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機(jī)搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運(yùn)來臨，刺激電視與機(jī)頂盒等需求，帶動(dòng)利基型D
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上演第二梯隊(duì)大逆襲 武漢存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)“國家隊(duì)效應(yīng)”

  • 　　武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處，一個(gè)被稱為“黃金大道”的T字形結(jié)構(gòu)的芯屏組合的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)已悄然形成。而這其中的“1號(hào)工程”正是在中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已掀起“巨浪”的長江存儲(chǔ)科技責(zé)任有限公司(以下簡稱“長江存儲(chǔ)”)。 　　2018年1月17日，陰冷兩天的武漢再度放晴，而長江存儲(chǔ)的一期工廠已經(jīng)竣工，已然組建的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正在東湖高新區(qū)(以下簡稱“高新區(qū)”)的另一處辦公地址加緊推進(jìn)研發(fā)工作
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RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

  • 　　RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 　　按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。 　　SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 　　SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
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IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開始下滑

  • 　　研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預(yù)估達(dá)到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來，可能經(jīng)歷長期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價(jià)格將開始下滑，跌勢(shì)更恐達(dá)2年之久。 　　回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時(shí)智能手機(jī)與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長，2017年DRAM價(jià)格報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)
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揭露DRAM和電容炒貨內(nèi)幕，三星兜底策略縱容漲價(jià)

  • 缺貨漲價(jià)固然有產(chǎn)能不足的因素，但原廠聯(lián)合渠道商炒貨，是其中更為重要的潛在影響因素。
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兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

  • 　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

  • 　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4   

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • 　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 　　DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。 　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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