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第三季度服務器DRAM合約價續(xù)揚，預估季增3%~8%

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于內存供應吃緊態(tài)勢尚未改變，今年第一季合約價上揚近四成，第二季合約價更進一步上揚約一成水位;放眼第三季，出貨至一線廠的32GB服務器模組價格將來到260美元大關，二線廠更會高于此價格水位，使得整體第三季價格將會持續(xù)季增3%~8%的幅度。 　　DRAMeXchange分析師劉家豪指出，受到服務器內存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年單機容量上的提升與
  • 關鍵字： 服務器  DRAM  

如何玩轉DDR？要先從這五大關鍵技術下手

  • 差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計，但大家對CK#（CKN）的作用認識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。
  • 關鍵字： DDR  差分時鐘  DRAM  DDR2  

存儲“芯”動態(tài)：美光擴產廣島DRAM廠 三星擬擴充西安NAND Flash產能

  • 　　多數(shù)手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標準版，而不同版本之間的差價可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。 　　   　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  • 　　量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。 　　半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機服務。 　　Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 　　同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)在
  • 關鍵字： 微軟  DRAM  

第一季PC DRAM合約價格上漲約三成

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于去年第四季嚴重供不應求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價再度上漲超過三成，亦帶動其他內存類別同步上揚，如服務器內存在第一季的價格上揚也相當可觀，移動式內存價格也有近一成的漲幅。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察，原廠產能增加的效應最快在
  • 關鍵字： DRAM  

麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  • 　　據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 　　他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。 　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。 　　整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。 　　他指出，建構數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
  • 關鍵字： DRAM  Flash  

傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導體大廠

  • 　　全球硅晶圓缺貨嚴重，已成為半導體廠營運成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 　　硅晶圓已成為半導體產業(yè)的關鍵物資，過去10年來硅晶圓產能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導體廠生產線運作，尤其是12吋規(guī)
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  

一文看懂3D Xpoint！ 它估將在未來引爆內存市場革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個技術都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
  • 關鍵字： 內存  DRAM  

高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉跌

  • 　　據(jù)外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉跌，決定調降內存大廠美光評等。 　　巴倫周刊8日報導，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經驗顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點，比以往更高。 　　Delaney強調，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產業(yè)人士表示，NAND價
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

后PC時代 移動型DRAM成市場主力

  • 　　三星挾帶存儲器產業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產業(yè)興起，讓原先并未擴產的存儲器產業(yè)成為炙手可熱的領域，也使得三星更加壯大。 　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢，半導體制造事業(yè)可望躍居產業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增，在制程轉換及產能已數(shù)年未擴充等因素作用下，帶動存儲器報價上漲。 　　從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產出晶圓的僅有三星、
  • 關鍵字： 英特爾  DRAM  

三星投26億擴展Line 17工廠10nm級DRAM內存產能

  • 　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內存生產。 　　三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產品將是64層堆棧的3D NAN
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

新興內存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續(xù)進入小量生產階段。 不
  • 關鍵字： 內存  DRAM  

2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導體產業(yè)的營收成長2%，而前十大半導體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產業(yè)平均水平。以個別產品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 　　IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內存市場的營收規(guī)模可望再創(chuàng)新高，車用半導體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
  • 關鍵字： DRAM  NANDFlash  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  • 　　量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。 　　半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機服務。 　　Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 　　同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)
  • 關鍵字： 微軟  DRAM  

力晶：大陸DRAM做不起來　5G時代存儲器會長缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 　　黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業(yè)已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
  • 關鍵字： DRAM  5G  
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