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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
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Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心
- Micron 宣布于本月14日成功標(biāo)得達(dá)鴻先進(jìn)科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。 經(jīng)由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設(shè)備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據(jù)點，并專注于建立集中式的后段封測營運。 全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結(jié)合在同一地點，構(gòu)建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)) 工作原理 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的?！ ?nbsp;
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內(nèi)存霸主三星擴產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇
- 全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴產(chǎn)計劃，業(yè)界認(rèn)為，由于建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。 三星決定斥資87億美元，擴充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線約需兩年時間建造，將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉(zhuǎn)換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。 對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM
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楊士寧：為何長江存儲決定跨入存儲領(lǐng)域？
- 長江存儲執(zhí)行長楊士寧點出，為何長江決定跨入存儲領(lǐng)域?他表示，半導(dǎo)體組件可分為四大塊領(lǐng)域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復(fù)雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準(zhǔn)點出了大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當(dāng)下大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是正確的。 楊士寧分析，從半導(dǎo)體存儲器技術(shù)分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%
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打造臺灣DRAM中心 美光27億買下達(dá)鴻廠房
- 美光昨(14)日以新臺幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺中廠房。美光表示，標(biāo)下的臺中廠房未來將用于DRAM先進(jìn)封測技術(shù)發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合，打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。 達(dá)鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設(shè)備昨由臺中法院委外法拍，最后由美光以新臺幣27.52億元得標(biāo)，廠房占地約4公頃，土地面積約20，729坪。達(dá)鴻于2015年11月5日向臺中地方法院聲請重整及緊急處分，并于隔年7月22日宣告破產(chǎn)，此后臺中法院隨即進(jìn)行強制拍賣廠房及設(shè)備的流程作業(yè)。 達(dá)鴻為F-
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2017年整體DRAM市場供貨吃緊 第一季價格漲10~15％
- 臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場供貨吃緊，上半年平均銷售單價持續(xù)走揚，預(yù)期第一季平均銷售單價季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升，第二季價格也將續(xù)揚，下半年仍看審慎樂觀，預(yù)期價格波動不大。 南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴張新產(chǎn)能。 預(yù)期2017年供給年成長約20%。 在需求方面，預(yù)期2017年DRAM需求成長穩(wěn)定，成長主力來自手機及服務(wù)器的搭載量增加，預(yù)估整體年增率高于22%。 因此，今年DRAM市場
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DRAM漲價成為投資動力 美光聯(lián)手華亞科求自保
- 華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠,美光也計劃擴大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動。 美光目前主要生產(chǎn)據(jù)點在桃園和臺中,合并后員工超過6,000人。 位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn),單月產(chǎn)能10萬片;臺中廠以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬片,但已進(jìn)行1x納米制程開發(fā)試產(chǎn),預(yù)定下半年正式生產(chǎn)出貨。 美光將以臺灣為DRAM主要生產(chǎn)據(jù)點,除制造端外,也計劃往后段和產(chǎn)品應(yīng)用和設(shè)計進(jìn)行整合
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
DRAM市場已邁入多元化發(fā)展
- 回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)的歷史，市場經(jīng)常在供過于求與供不應(yīng)求之間擺蕩。 當(dāng)市場供不應(yīng)求之際，DRAM供應(yīng)商會積極擴廠，大幅增加產(chǎn)能，當(dāng)新產(chǎn)能加入生產(chǎn)后，市場會陷入供過于求的狀況，DRAM價格快速下跌，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值不增反減。 在歷經(jīng)多次市場的振蕩后，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在1995年創(chuàng)下當(dāng)時的歷史新高，高達(dá)435億美元。隔年DRAM市場大崩盤，DRAM的平均售價大幅下跌，導(dǎo)致1996年DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值崩跌至260億美元。
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數(shù)項投資啟動 我國存儲器產(chǎn)業(yè)有望率先獲突破
- 2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán)，矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新年伊始，我國存儲器產(chǎn)業(yè)便連續(xù)爆出兩項重要消息，表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進(jìn)當(dāng)中。而隨著數(shù)項重大投資的啟動，存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。 國際存儲巨頭警惕中國存儲力量成長 盡管存儲器屬于高度壟斷的行業(yè)，但是我國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日，紫光集團在南京正式建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，主要產(chǎn)品為3DNA
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2017年DRAM出貨成長率或?qū)⒌陀?0%
- 一般估計，DRAM的位元出貨成長率(bit growth)低于40%，DRAM廠商便可獲利，而2017年因為大廠沒有新的投資計劃，DRAM的出貨成長率甚至可能低于20%，所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來，出貨成長率首度可能低于20%的年份，不少人甚至認(rèn)為，DRAM將有個不算短的好光景。 三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到，2017年位元成長率可能為15~20%，對于2017年的獲利，抱持著高度的期待，而美光(Mi
- 關(guān)鍵字： DRAM
新型存儲器技術(shù)未來將主導(dǎo)存儲器市場
- 存儲器主導(dǎo)著許多SoC，我們很少聽說某個設(shè)計包含太多的存儲器。然而，存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗，雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題，但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言，總功耗是非常重要的。 幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點已然將近。 過去50年中，SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結(jié)構(gòu)的主力，F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
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