- 芯研所6月29日消息，據韓國媒體報道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量制造，在生產世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。在此之前這家韓國科技巨頭在向更小的工藝節(jié)點轉移時出現了很多產量問題，以至于影響了它的一些最大客戶的業(yè)務，如高通公司，該公司現在正考慮將臺積電用于未來的移動芯片。NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率后，正為其下一代產品選擇臺積電，這些GPU原本是在三星的8nm工藝節(jié)點上制造的。來自韓國當地媒體的報道顯示，三星正準備宣布開始3納米的批量制造，可能最快
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三星 5nm 芯片
- 據國外媒體報道，推進3nm制程工藝今年下半年量產的臺積電，在更先進的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進展，預計在明年年中就將開始風險試產 ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產又更近了一步。業(yè)界估計，臺積電2nm試產時間點最快在2024年，并于2025年量產，之后再進入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃，設廠面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng)造4500個工作機會。以投資規(guī)模及近百公頃設廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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- 繼蘋果之后，AMD發(fā)布5納米個人電腦（PC）芯片。5月23日臺北電腦展（Computex）上，AMD CEO蘇姿豐發(fā)表主題演講，正式發(fā)布新銳龍?zhí)幚砥鱎yzen 7000系列，采用臺積電5納米工藝Zen 4架構打造，該芯片預計將于2022年秋季面市。 蘇姿豐稱，與前一代產品相比，Ryzen 7000系列的Zen 4架構內核擁有翻倍的L2緩存，容量從前三代Zen架構的512KB增加到1MB，處理器的單線程性能提升超過15%，并且擁有5GHz+的加速頻率。此外Zen 4架構還進一步提升了AI性能，AMD還
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- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
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- 業(yè)界經常議論摩爾定律接近終點，但是由于站立角度不同，看法各異，也很正常。推動半導體業(yè)進步有兩個“輪子”，分別是尺寸縮小及硅片直徑增大，其中尺寸縮小為先。從邏輯工藝制程觀察，由1987年的3微米制程到2022年的3納米量產，平均每2年開發(fā)一代新的制程，是邏輯工藝制程激蕩的35年。在邏輯工藝的進程中，英特爾曾作出過巨大的貢獻，如在2001年發(fā)明了稱為應變硅（strained silicon）用在90納米中，及2007年推出了45納米的HKMG（高k金屬柵極），以及于2011年在22納米時推出了3D Tri-G
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- 此前，AMD賣掉半導體封測廠，轉交給通富微電，后者負責AMD大量銳龍及Radeon顯卡芯片的封裝，日前該公司確認AMD的芯片產能有望緩解，公司封裝的5nm產品也即將量產。根據該公司的年報，2021年全年，通富微電實現營業(yè)收入158.12億元，同比增長46.84%；歸母凈利潤超過去6年之和，為9.54億元，同比增長181.77%；凈資產收益率為9.51%，較2020年大幅提升4.55個百分點。通富微電副總經理夏鑫表示，隨著臺積電持續(xù)加大先進制程擴產力度，2021年占公司收入44.5%的客戶AMD，所面臨的產
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- 據 wccftech 報道，半導體制造公司臺積電（TSMC）已經增加了其 5nm 工藝技術系列的出貨量。這是臺積電產品組合中最先進的技術，該工廠希望在今年晚些時候向 3nm 工藝邁進。DigiTimes 聲稱，增加產量是為了促進來自個人計算行業(yè)的幾家公司的訂單，特別是在韓國芯片制造商三星代工廠目前面臨產量問題的報道之后。三星和臺積電是世界上僅有的兩家向第三方提供芯片制造服務的公司，在這種雙頭壟斷的情況下，臺積電因其一貫可靠的交付和定期的技術升級而占據了強有力的領先地位。DigiTimes 的報告表示，臺積
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- 據韓國媒體報道，三星電子新人聯合CEO Kyung Kye-hyun日前在股東大會上表態(tài)，稱三星今年芯片及零件部門的增長率有望優(yōu)于全球芯片市場的9%，三星會設法提高產能，滿足市場需求。針對5nm及以下工藝良率偏低的問題，Kyung
Kye-hyun表示芯片擴產需要時間，但三星已經在改善中，他強調半導體芯片工藝越來越精密，復雜度也提高了，5nm以下的芯片工藝正在逼近半導體物理極限。Kyung
Kye-hyun稱三星計劃將生產線運營最佳化，以改善盈利及供應，并持續(xù)提升已經量產的工藝。此外，Kyun
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- 2022年會有更多的廠商進入5nm節(jié)點，除了蘋果之外，AMD今年推出的Zen4處理器也會升級臺積電5nm，具體產品就是銳龍7000，最快9月份之前就上市了，不過這一代處理器的成本大增，因為5nm代工價格實在是太貴。 根據之前喬治敦大學沃爾什外交學院安全與新興技術中心（CSET）發(fā)布的一篇報告，臺積電7nm工藝代工的12英寸晶圓價格要9300美元左右，5nm工藝代工價格則要17000美元左右，3nm工藝將進一步增加到30000美元?！ MD的Zen4升級到了5nm工藝，理論上成本增加將近一倍，而且這
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- 日前，由于蘋果、AMD、聯發(fā)科等客戶5nm訂單積累太多，臺積電不得不先把3nm工廠臨時拉出來給5nm擴產。今年有大量芯片會升級5nm工藝或者改進版的4nm工藝，蘋果這邊有M1/M1 Pro/M1 Max，M2系列很快也要量產了，產能需求很高。 除了蘋果這個VVVIP客戶之外，AMD今年也會有5nm Zen4架構處理器及5nm RDNA3架構GPU芯片，他們也是最重要的5nm工藝客戶之一。聯發(fā)科今天發(fā)布了天璣8100/8000處理器，也是臺積電5nm工藝，投片量也不低，NVIDIA
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- 如今，大家都知道芯片是nm級的進階，但大家并不是了解的是芯片燒錢的程度。從90nm工藝開始使用12英寸晶圓之后，每一代工藝的建設成本都在急劇增加，28nmg工藝建廠就要60億美元，14nm工藝需要100億美元。 如果是10nm以下節(jié)點，7nm工藝要120多億美元，5nm節(jié)點則要160億美元，約合人民幣1019億元。 上千億的投入建成的還是50K月產能的，也就是每月生產5萬片晶圓，如果追求更高產能，10萬片晶圓的大型工
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- 在2021開放創(chuàng)新平臺（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺積電（TSMC）宣布推出N4P工藝，這是以目前5nm制程節(jié)點為基礎，以性能為重點的增強型工藝。采用N4P技術生產的首批產品預計于2022年下半年完成產品設計定案。N4P制程工藝的推出強化了臺積電的先進邏輯半導體技術組合，其中的每項技術皆具備獨特的效能、功耗效率以及成本優(yōu)勢。經過優(yōu)化的N4P可提供高性能運算（HPC）與移動設備應用一個更強化且先進的技術平臺。N4N4P是繼N5、N4后，臺積電5nm家族的第三個主要強化版本。臺積電稱，N4P的性能較原先的N5增
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- 臺積電目前查明蘋果A15代工廠產線污染原因：氣體被污染的主要原因是，氧氣中被混入了惰性氣體氬氣（Ar2），影響輕微。8月10日消息，前段時間，蘋果A15芯片的主力代工廠：南科18A工廠疑似污染。許多方面都擔心，臺積電5nm產線會因此暫時停產，蘋果A15芯片的量產將受到重創(chuàng)。對此，有媒體了解到最新消息稱，臺積電表示該事件造成的影響十分輕微，氣體被污染的主要原因是，氧氣中被混入了惰性氣體氬氣（Ar2）。不過，盡管受到污染，但由于氬氣不參與化學反應，所以對生產過程沒有影響，工廠端只需要清洗存儲槽即可。業(yè)內人士認
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- 在遭遇了西方的芯片技術封鎖后，我國自主研發(fā)高端光刻機的呼聲越來越高，雖然近日來很多權威人士對這樣的做法潑來了冷水，但是國際巨頭ASML卻對國產高端光刻機的研發(fā)充滿了“信心”。眾所周知，我國在光刻機研發(fā)領域起步較晚，相比于西方仍然具有較大差距，并且根據數據統(tǒng)計，一臺EUV光刻機價值上億美元，并且零件數量高達上萬件，分別來自全球5000多家供應商。更不利的是，美國、日本、德國都是光刻機核心零件的主要供應國，而目前它們對中國的科技發(fā)展態(tài)度并不友好，所以這也給國產光刻機零件的供應增添了不少難度。即便如此，國產光刻
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- 據韓媒援引業(yè)內人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設立EUV半導體工廠，以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導體計劃。該工廠將采用5nm制程，計劃于今年Q3開工，2024年投產，預計耗資180億美元，同時也是三星電子首次在韓國之外設立EUV產線。去年，臺積電去宣布將在美國建設芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關的客戶代工芯片，目標是2024年投產。最新消息稱，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠，是否采用更先進的3nm制程工藝，為相關的客戶代工芯片。
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5nm 工藝介紹
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