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基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器

基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國(guó)際衡量汽車先進(jìn)水平的重要標(biāo)準(zhǔn)，也正是由于這個(gè)原因推動(dòng)和刺激當(dāng)前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展，各國(guó)都競(jìng)相發(fā)展，不斷應(yīng)用高新技術(shù)，提高汽車電氣化性能
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）

3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來(lái)越小，管子的柵氧層厚度越來(lái)越
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用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

摘要：在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
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數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識(shí)介紹

標(biāo)簽：數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個(gè)靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號(hào)為EOS D30的專業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)后，人們對(duì)CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因?yàn)?，CMOS影像傳感器過(guò)去有著信噪比小、分辨率
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CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標(biāo)

CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個(gè)主要類別，都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來(lái)，CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場(chǎng)。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢？評(píng)價(jià)一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標(biāo)有哪些？下面來(lái)為大家詳細(xì)說(shuō)明。CCD和CMOS圖
關(guān)鍵字：性能技術(shù)指標(biāo) 傳感器圖像 CMOS CCD

淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

標(biāo)簽：CMOS CCD無(wú)論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此?；窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
關(guān)鍵字：原理差異結(jié)構(gòu) 內(nèi)部 CMOS CCD 淺析

基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計(jì)

本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
關(guān)鍵字： CMOS 1.0 工藝鋸齒波

采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏電流
關(guān)鍵字： CMOS 單相乘法器能量回收

CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
關(guān)鍵字： CMOS 數(shù)字隔離器智能電表中的應(yīng)用

基于CMOS電路的IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

引言　　測(cè)試CMOS電路的方法有很多種，測(cè)試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測(cè)試，即通常所說(shuō)的功能測(cè)試。功能測(cè)試可診斷出邏輯錯(cuò)誤，但不能檢查出晶體管常開(kāi)故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路
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小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420

XC6420系列是實(shí)現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個(gè)...
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基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

1　概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
關(guān)鍵字： CMOS 5510 TLC 工藝

CMOS與CCD圖像傳感器特性對(duì)比分析

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
關(guān)鍵字：對(duì)比分析特性傳感器 CCD 圖像 CMOS

CMOS圖像傳感器再見(jiàn)增長(zhǎng)

10年以前拍照手機(jī)盛行，加上便攜筆記本電腦和個(gè)人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機(jī)，促使CMOS圖像傳感器銷售獲得巨大增長(zhǎng)，2006年登頂，達(dá)45億美元。但隨后產(chǎn)品市場(chǎng)走向成熟，制造商激增，圖像傳感器特別是用于拍照手機(jī)的產(chǎn)品供過(guò)于求而陷入困境，增速不穩(wěn)，起伏不定，直至2011年才重新走上增長(zhǎng)的道路。
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS 201207

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]