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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

互補型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應(yīng)用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
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CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用

未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機電式電表復(fù)雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
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CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識解析方案

1、引言小型會議系統(tǒng)或語音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過音頻交換電路來控制各路音頻信號的輸出。音頻交換電路主要用于完成語音信號的切換。以實現(xiàn)同頻終端的話音通信。經(jīng)對可靠性、經(jīng)
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基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護電路設(shè)計

摘要基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計了一種ESD保護電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計，并在一款多功能故
關(guān)鍵字： ESD 保護電路設(shè)計芯片數(shù)字 CMOS 多功能基于

CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

CMOS針對CCD最主要的優(yōu)勢就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機是ld
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CMOS攝像機,什么是CMOS攝像機

CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機都是用了
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CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10
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一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運算放大器設(shè)計

摘要：設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)一個可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
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利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機方案

每年生產(chǎn)10多億部手機的手機市場已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競爭最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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AMD明年啟用28nm CMOS工藝

　　AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。　　在評論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來應(yīng)對英特爾和NVIDI
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CMOS器件抗靜電措施的研究

摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對整機應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設(shè)計人員提出了幾種在線路設(shè)計中如何抗靜電，以保護CMOS
關(guān)鍵字：研究措施抗靜電器件 CMOS

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計

摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
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一種新型高速CMOS全差分運算放大器設(shè)計

摘要：設(shè)計了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計基于SMIC 0．25mu;m CM
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聯(lián)電與星國微電子開發(fā)TSV技術(shù)

　　聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過這項技術(shù)，包括智慧手機、數(shù)位相機與個人平板電腦等行動電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬像素影像感測器，都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。　　聯(lián)電指出，市場上對于持續(xù)縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強，帶動CMOS影像感測技術(shù)興起，而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素，仍保有優(yōu)異效能的解決方案。　　聯(lián)電指出，這次專案目標(biāo)，希望提影像感測器靈敏度，支援更
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IMEC探討10nm以下制程變異

　　在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。　　明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路制造工藝，它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計算機領(lǐng)域，CMOS常指保存計算機基本啟動信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]