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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr5 dram

后PC時(shí)代 移動(dòng)型DRAM成市場(chǎng)主力

  • 　　三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車(chē)產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢(shì)，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動(dòng)存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)上漲。 　　從DRAM角度來(lái)看，存儲(chǔ)器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
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三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

  • 　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收只增加1.5%的情況下凈利潤(rùn)大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門(mén),也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒(méi)有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級(jí)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 　　三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個(gè)是針對(duì)NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
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新興內(nèi)存百家爭(zhēng)鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(zhǎng)2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營(yíng)收則成長(zhǎng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類(lèi)型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長(zhǎng)幅度超過(guò)30%;車(chē)用半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模也比2015年成長(zhǎng)9.7%。 　　IHS預(yù)期，由于市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模則有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NANDFlash  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)

  • 　　量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭(zhēng)奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。 　　Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。 　　同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)
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力晶：大陸DRAM做不起來(lái)　5G時(shí)代存儲(chǔ)器會(huì)長(zhǎng)缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢(qián)就可以，但未來(lái)用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來(lái)扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲(chǔ)器，包括紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì)放緩，配合韓國(guó)2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(zhǎng)期缺貨的走勢(shì)! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對(duì)10納米晶圓代工和NAND F
  • 關(guān)鍵字： DRAM  5G  

力晶：大陸DRAM做不起來(lái)　5G時(shí)代存儲(chǔ)器會(huì)長(zhǎng)缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢(qián)就可以，但未來(lái)用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來(lái)扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲(chǔ)器，包括紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì)放緩，配合韓國(guó)2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(zhǎng)期缺貨的走勢(shì)! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對(duì)10納米晶圓代工和NAND F
  • 關(guān)鍵字： DRAM  5G  

三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限

  • 　　三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國(guó)業(yè)者追上。 　　韓媒 etnews 18 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開(kāi)始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開(kāi)發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 　　三星從 20 納米制程(28→25&rar
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？

  • 　　三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國(guó)業(yè)者追上。 　　韓媒etnews 18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開(kāi)發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 　　三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
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中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)的“春天”來(lái)了？

  • 目前說(shuō)中國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)的”春天”已經(jīng)到來(lái)可能還為時(shí)尚早，確切地說(shuō)，應(yīng)該是中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)一定要跨入全球存儲(chǔ)器的行列之中。
  • 關(guān)鍵字： 3DNAND  DRAM  

DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

  • 　　第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷(xiāo)售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷(xiāo)售額中的占比不斷成長(zhǎng)。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷(xiāo)售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 　　調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷(xiāo)售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過(guò)去6年DDR3占比持續(xù)維持第
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

  • 　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開(kāi)始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。 　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢(shì)，開(kāi)始出現(xiàn)下跌的情況。 　　Gart
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IC Insights :DRAM價(jià)格下半年要下滑

  • 　　IC Insights 對(duì)DRAM后市提出示警，預(yù)期下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價(jià)格恐將下滑，DRAM 市場(chǎng)無(wú)可避免將展開(kāi)周期性修正。 　　IC Insighta 指出，DRAM 價(jià)格自 2016 年中以來(lái)快速走高，據(jù)統(tǒng)計(jì)，DRAM 平均售價(jià)已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達(dá)至 54%。 　　在產(chǎn)品價(jià)格大漲帶動(dòng)下，IC Insights 預(yù)估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達(dá) 573 億美元規(guī)模，將較去年成長(zhǎng)達(dá) 39%。 　　IC Insight
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高啟全：長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入

  • 　　臺(tái)灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團(tuán)操盤(pán)存儲(chǔ)器大計(jì)劃超過(guò)1年，日前晉升長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)，接受DIGITIMES獨(dú)家專(zhuān)訪公開(kāi)未來(lái)規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開(kāi)發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì)在技術(shù)開(kāi)發(fā)具競(jìng)爭(zhēng)力后才開(kāi)始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)有利! 　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃存儲(chǔ)器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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中國(guó)半導(dǎo)體遭圍堵 晉華并沒(méi)有DRAM試產(chǎn)線？

  • 美光此次提起訴訟無(wú)非是為了防止其存儲(chǔ)技術(shù)遭到泄露，間接給大陸廠商和相關(guān)員工施壓，其行為也是國(guó)際大廠圍堵中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的縮影之一
  • 關(guān)鍵字： 晉華  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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