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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

制程良率影響產(chǎn)能提升，美光看好DRAM價格維持高檔

  • 　　美光2017年第3季財報營收大幅優(yōu)于預期，這要因DRAM、NAND Flash價格上漲，美光認為存儲器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定，價格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示，國內(nèi)相關個股中，華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K，估下半年 DRAM價格維持高檔，2018年上半年在供給改善后將趨緩，因此維持族群中立建議。 　　永豐投顧表示，今年上半年存儲器業(yè)務需求強勁，DRAM報價從去年第3季的起漲點已累積約40%的漲幅，雖然Gartner預估供給速度還未在第3季追上需求，但下半年報價的漲幅由于各大廠擴產(chǎn)完成使貨源逐漸充足
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

中國DRAM夢初現(xiàn)曙光

  • 　　中國半導體業(yè)要實現(xiàn)制造DRAM夢己經(jīng)初現(xiàn)曙光，近期由臺灣咨詢時報報道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業(yè)界的廣泛興趣。 　　一直低調(diào)行事的合肥“睿力”DRAM項目，由前應用材料公司資深副總裁David王寧國領軍。 　　匯總消息，“睿力”做DRAM，采用19納米制程工藝。該項目總占地面積約1582畝，一期總投資額約80億美元，一期的兩層廠房預計2017年三季度完工。目前已開始下設備的PO訂單，計劃今年10月設備開始安裝，有望2
  • 關鍵字： DRAM  存儲器  

中國半導體裝備企業(yè)自強之路仍充滿艱辛

  • 現(xiàn)階段，由于我國發(fā)展半導體行業(yè)的時機與全球不同步，并釆用國家資金為主來推動，遭到了西方部分從業(yè)者的質(zhì)疑。再加上近期投資越來越大更是進一步引起了美國、韓國、日本等先進國家的關注。
  • 關鍵字： 半導體  DRAM  

存儲“芯”動態(tài)：美光擴產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　多數(shù)手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標準版，而不同版本之間的差價可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。 　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

存儲器產(chǎn)品供應持續(xù)吃緊 下半年價格依然看漲

  • 　　隨著應用不斷擴大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴增，今年來半導體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項產(chǎn)品市況熱絡，在供應持續(xù)吃緊下，各項產(chǎn)品下半年價格依然看漲。 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛說，第2季DRAM市場狀況穩(wěn)定，下半年需求將比上半年好，對第3季并不悲觀。 聯(lián)合報系數(shù)據(jù)照 　　需求增加，供應端產(chǎn)能卻未同步增加，導致半導體硅晶圓、磊晶、動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)、儲存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現(xiàn)罕見同時供應吃緊的情況。 　　隨著時序逐漸步入傳統(tǒng)旺季，加上短時間新產(chǎn)能
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

第三季度服務器DRAM合約價續(xù)揚，預估季增3%~8%

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于內(nèi)存供應吃緊態(tài)勢尚未改變，今年第一季合約價上揚近四成，第二季合約價更進一步上揚約一成水位;放眼第三季，出貨至一線廠的32GB服務器模組價格將來到260美元大關，二線廠更會高于此價格水位，使得整體第三季價格將會持續(xù)季增3%~8%的幅度。 　　DRAMeXchange分析師劉家豪指出，受到服務器內(nèi)存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年單機容量上的提升與
  • 關鍵字： 服務器  DRAM  

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關鍵技術下手

  • 差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計，但大家對CK#（CKN）的作用認識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。
  • 關鍵字： DDR  差分時鐘  DRAM  DDR2  

存儲“芯”動態(tài)：美光擴產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　多數(shù)手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標準版，而不同版本之間的差價可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。 　　   　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  • 　　量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。 　　半導體技術公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機服務。 　　Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 　　同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)在
  • 關鍵字： 微軟  DRAM  

第一季PC DRAM合約價格上漲約三成

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于去年第四季嚴重供不應求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價再度上漲超過三成，亦帶動其他內(nèi)存類別同步上揚，如服務器內(nèi)存在第一季的價格上揚也相當可觀，移動式內(nèi)存價格也有近一成的漲幅。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察，原廠產(chǎn)能增加的效應最快在
  • 關鍵字： DRAM  

麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  • 　　據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 　　他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。 　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。 　　整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。 　　他指出，建構數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
  • 關鍵字： DRAM  Flash  

傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導體大廠

  • 　　全球硅晶圓缺貨嚴重，已成為半導體廠營運成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 　　硅晶圓已成為半導體產(chǎn)業(yè)的關鍵物資，過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導體廠生產(chǎn)線運作，尤其是12吋規(guī)
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  

一文看懂3D Xpoint！ 它估將在未來引爆內(nèi)存市場革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個技術都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

  • 　　據(jù)外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。 　　巴倫周刊8日報導，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點，比以往更高。 　　Delaney強調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價
  • 關鍵字： 三星  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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