- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進科技的拍賣資產，并將以此建立Micron在臺之后段生產基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產基地之所有權。
經由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據點，并專注于建立集中式的后段封測營運。
全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結合在同一地點，構建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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Micron DRAM
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據) 工作原理 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的?！ ?nbsp;
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DRAM NAND
- 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲存電容的高深寬比，為了要延長DRAM這種內存的壽命，在短時間內必須要采用3D DRAM解決方案。
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DRAM NAND
- 全球內存龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產計劃，業(yè)界認為，由于建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
三星決定斥資87億美元，擴充南韓華城廠DRAM產能。 三星表示，新產線約需兩年時間建造，將視研發(fā)進度和制程轉換良率，決定生產18nm或更先進制程的DRAM。
對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠將產能挪移生產儲存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM
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三星 DRAM
- 長江存儲執(zhí)行長楊士寧點出，為何長江決定跨入存儲領域?他表示，半導體組件可分為四大塊領域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領域。然CPU領域行業(yè)生態(tài)較為復雜、通訊芯片領域也已經形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領域仍是大有可為的。楊士寧精準點出了大陸發(fā)展存儲產業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當下大力發(fā)展存儲產業(yè)是正確的。
楊士寧分析，從半導體存儲器技術分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產值占全球存儲器產業(yè)的95%
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長江存儲 DRAM
- 美光昨(14)日以新臺幣27.52億元標下TPK-KY宸鴻轉投資公司達鴻臺中廠房。美光表示，標下的臺中廠房未來將用于DRAM先進封測技術發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進行資源整合，打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。
達鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設備昨由臺中法院委外法拍，最后由美光以新臺幣27.52億元得標，廠房占地約4公頃，土地面積約20，729坪。達鴻于2015年11月5日向臺中地方法院聲請重整及緊急處分，并于隔年7月22日宣告破產，此后臺中法院隨即進行強制拍賣廠房及設備的流程作業(yè)。
達鴻為F-
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美光 DRAM
- 臺灣南亞科總經理李培瑛表示，今年整體DRAM市場供貨吃緊，上半年平均銷售單價持續(xù)走揚，預期第一季平均銷售單價季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升，第二季價格也將續(xù)揚，下半年仍看審慎樂觀，預期價格波動不大。
南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠皆以提高新制程比例增加產出為主，并未大幅擴張新產能。 預期2017年供給年成長約20%。 在需求方面，預期2017年DRAM需求成長穩(wěn)定，成長主力來自手機及服務器的搭載量增加，預估整體年增率高于22%。
因此，今年DRAM市場
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DRAM
- 華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠,美光也計劃擴大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠,相關投資將在標購達鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動。
美光目前主要生產據點在桃園和臺中,合并后員工超過6,000人。
位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產DRAM生產重鎮(zhèn),單月產能10萬片;臺中廠以25納米為主力,月產能逾8萬片,但已進行1x納米制程開發(fā)試產,預定下半年正式生產出貨。
美光將以臺灣為DRAM主要生產據點,除制造端外,也計劃往后段和產品應用和設計進行整合
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DRAM 美光
- 回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)的歷史，市場經常在供過于求與供不應求之間擺蕩。
當市場供不應求之際，DRAM供應商會積極擴廠，大幅增加產能，當新產能加入生產后，市場會陷入供過于求的狀況，DRAM價格快速下跌，DRAM產業(yè)的產值不增反減。
在歷經多次市場的振蕩后，DRAM產業(yè)的產值在1995年創(chuàng)下當時的歷史新高，高達435億美元。隔年DRAM市場大崩盤，DRAM的平均售價大幅下跌，導致1996年DRAM產業(yè)的產值崩跌至260億美元。
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DRAM 三星
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰(zhàn)略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導體產業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權，矽成的主要業(yè)務為SDRAM。新年伊始，我國存儲器產業(yè)便連續(xù)爆出兩項重要消息，表明我國存儲產業(yè)的布局正在加速推進當中。而隨著數項重大投資的啟動，存儲器正在成為我國集成電路產業(yè)發(fā)展的重要突破口。
國際存儲巨頭警惕中國存儲力量成長
盡管存儲器屬于高度壟斷的行業(yè)，但是我國在發(fā)展存儲器產業(yè)道路上已經邁出了第一步。2月12日，紫光集團在南京正式建立半導體產業(yè)基地，主要產品為3DNA
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存儲器 DRAM
- 一般估計，DRAM的位元出貨成長率(bit growth)低于40%，DRAM廠商便可獲利，而2017年因為大廠沒有新的投資計劃，DRAM的出貨成長率甚至可能低于20%，所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產業(yè)成形以來，出貨成長率首度可能低于20%的年份，不少人甚至認為，DRAM將有個不算短的好光景。
三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到，2017年位元成長率可能為15~20%，對于2017年的獲利，抱持著高度的期待，而美光(Mi
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DRAM
- 存儲器主導著許多SoC，我們很少聽說某個設計包含太多的存儲器。然而，存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗，雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關鍵問題，但是對于物聯(lián)網(IoT)邊緣設備而言，總功耗是非常重要的。
幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構已經籌劃了很長時間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內人士認為臨界點已然將近。
過去50年中，SRAM和DRAM已經成為存儲器層次結構的主力，F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結構在往較小的幾何結構縮放的
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存儲器 DRAM
dram 介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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