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HBM4持續(xù)加速：AI時代競爭新焦點

  • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計算的應(yīng)用至關(guān)重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務(wù)器。
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臺積電要抄三星的后路

  • 在芯片制造領(lǐng)域，先進制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域，拓展到最先進的存儲芯片制造，這在臺積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當(dāng)下的 3nm 制程晶圓代工，臺積電的市場統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會越來越困難。在高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術(shù)難度和制造難度提高了不少，需要更先進的制程工藝參與進來。2nm 制程針鋒相對據(jù)報道，臺積電將于 7 月中旬開始試生產(chǎn) 2n
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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巨頭搶奪戰(zhàn)，HBM被徹底引爆

  • 在英偉達一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上，少不了兩項關(guān)鍵技術(shù)支持，其中之一是由臺積電主導(dǎo)的 CoWoS 先進封裝，另一個便是席卷當(dāng)下的 HBM（高帶寬存儲）。英偉達 H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內(nèi)存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內(nèi)存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語言模型，提高高性能計算（HPC）的工作負載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

  • 《科創(chuàng)板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
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HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲廠商們準備好了嗎？

  • 在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標準制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標準的下一個版本：HBM4標準即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高的帶寬、
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信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無需中介層實現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成

  • IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案?！?nbsp;蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進封裝流程。▲ 2.5D 集成結(jié)構(gòu)對比信越表示，該新型后端設(shè)備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細度。結(jié)合信越化學(xué)開發(fā)的光
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全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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三星HBM芯片據(jù)稱通過英偉達測試

  • 財聯(lián)社7月4日電，韓國媒體NewDaily報道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產(chǎn)品測試，三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應(yīng)給英偉達一事展開談判。
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HBM、先進封裝利好硅晶圓發(fā)展

  • 隨著人工智能技術(shù)快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動先進封裝以及HBM技術(shù)不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期，環(huán)球晶董事長徐秀蘭對外透露，AI所需的HBM內(nèi)存芯片，比如HBM3以及未來的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時結(jié)構(gòu)下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報道，AI浪潮之下全球HBM嚴重供不應(yīng)求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術(shù)，HBM高帶寬存儲芯片晶圓
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HBM之后存儲器市場掀起新風(fēng)暴

  • AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當(dāng)之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴產(chǎn)。與此同時，存儲器市場新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動存儲器市場穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計算提供強大支持，不過GDDR7與HBM在技術(shù)、應(yīng)用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲

  • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進一步上揚，以及他們供應(yīng)給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
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HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴產(chǎn)

  • 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動市場對于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時擴大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟新聞20日報導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴大其愛達荷州博伊
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

  • IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
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