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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

  • 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
  • 關鍵字： 存儲芯片  SK海力士  HBM  

Marvell 推出定制 HBM 計算架構：XPU 同 HBM 間 I/O 接口更小更強

  • 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當?shù)貢r間 10 日宣布推出“定制 HBM 計算架構”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實現(xiàn)更高的計算和內(nèi)存密度。Marvell 表示這項可提升性能、能效、成本表現(xiàn)的新技術對其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內(nèi)存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計算架構”采用了非行業(yè)標準的 HBM I/O 接口設計，可帶來更優(yōu)秀性能和最多 70% 的接口
  • 關鍵字： Marvell  HBM  XPU  

三星擴大高帶寬存儲器封裝產(chǎn)能

  • 據(jù)外媒報道，三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產(chǎn)能，主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領域激增的需求，下一代高帶寬存儲器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過提升封裝能力，確保他們未來的技術競爭力，并縮小與SK海力士在這一領域的差距?！?蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠，業(yè)內(nèi)人士透露他們在三季度已同相關廠商簽署了設備采購協(xié)議，合同接近200億韓元，目的是擴大工廠的產(chǎn)能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議，計劃在韓國天安市新建一座專門
  • 關鍵字： 三星  高帶寬存儲器  封裝  HBM  

如何獲得足夠的HBM，并將其堆疊的足夠高？

  • 任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
  • 關鍵字： HBM  

AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達的供應商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達到17.6萬億韓元，而市場預期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設計和供應為英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
  • 關鍵字： AI  HBM  SK海力士  

消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
  • 關鍵字： SK 海力士  CIS  HBM  內(nèi)存  

HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

  • TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
  • 關鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  

HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察

  • 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望于今年底完成
  • 關鍵字： HBM3e 12hi  良率  驗證  HBM  TrendForce  

HBM外另一大關注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？

  • 隨著GDDR7存儲器標準規(guī)格于今年確定，存儲器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
  • 關鍵字： HBM  存儲器  GDDR7  

SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內(nèi)存業(yè)務的副總裁 Ryu Seong-soo 當?shù)貢r間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
  • 關鍵字： 海力士  HBM  內(nèi)存  

HBM 帶動，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導體 IDM 企業(yè)營收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。▲ 圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
  • 關鍵字： 內(nèi)存  存儲  HBM  

因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預計價格會有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
  • 關鍵字： 海力士  HBM  存儲  

美光將在中國臺灣加碼投資，或聚焦HBM

  • 行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。據(jù)悉，中國臺灣經(jīng)濟部門于2021年5月申請領航企業(yè)研發(fā)深耕計劃（大A+），提出DRAM先進技術暨高帶寬存儲器研發(fā)領航計劃，在中國臺灣設立第一個研發(fā)中心，獲補助47億元新臺幣，將研發(fā)先進制程落腳在中國臺灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國臺灣申請
  • 關鍵字： 美光  HBM  

存儲技術，掀起一輪新革命

  • 內(nèi)存市場迎來新一輪 DRAM 技術「革命」。
  • 關鍵字： HBM  

存儲產(chǎn)業(yè)的下一個“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節(jié)當?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內(nèi)存模組
  • 關鍵字： 存儲產(chǎn)業(yè)  HBM  MRDIMM  MCRDIMM  
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