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內(nèi)存霸主三星擴(kuò)產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇
- 全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時(shí)間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過(guò)受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。 三星決定斥資87億美元,擴(kuò)充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示,新產(chǎn)線約需兩年時(shí)間建造,將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉(zhuǎn)換良率,決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。 對(duì)于今年DRAM供需,稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長(zhǎng)束崇萬(wàn),及威剛董事長(zhǎng)長(zhǎng)陳立白都表示,今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash),且只做DRAM
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
楊士寧:為何長(zhǎng)江存儲(chǔ)決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域?
- 長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧點(diǎn)出,為何長(zhǎng)江決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域?他表示,半導(dǎo)體組件可分為四大塊領(lǐng)域:首要運(yùn)算CPU、存儲(chǔ)、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測(cè)器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復(fù)雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢(shì),大舉跨入存儲(chǔ)這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準(zhǔn)點(diǎn)出了大陸發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出,大陸當(dāng)下大力發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是正確的。 楊士寧分析,從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)分類來(lái)看,目前DRAM和NAND閃存儲(chǔ)存的總產(chǎn)值占全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的95%
- 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ) DRAM
打造臺(tái)灣DRAM中心 美光27億買下達(dá)鴻廠房
- 美光昨(14)日以新臺(tái)幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺(tái)中廠房。美光表示,標(biāo)下的臺(tái)中廠房未來(lái)將用于DRAM先進(jìn)封測(cè)技術(shù)發(fā)展,與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合,打造中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)DRAM中心。 達(dá)鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設(shè)備昨由臺(tái)中法院委外法拍,最后由美光以新臺(tái)幣27.52億元得標(biāo),廠房占地約4公頃,土地面積約20,729坪。達(dá)鴻于2015年11月5日向臺(tái)中地方法院聲請(qǐng)重整及緊急處分,并于隔年7月22日宣告破產(chǎn),此后臺(tái)中法院隨即進(jìn)行強(qiáng)制拍賣廠房及設(shè)備的流程作業(yè)。 達(dá)鴻為F-
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
2017年整體DRAM市場(chǎng)供貨吃緊 第一季價(jià)格漲10~15%
- 臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,今年整體DRAM市場(chǎng)供貨吃緊,上半年平均銷售單價(jià)持續(xù)走揚(yáng),預(yù)期第一季平均銷售單價(jià)季增10~15%,公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升,第二季價(jià)格也將續(xù)揚(yáng),下半年仍看審慎樂觀,預(yù)期價(jià)格波動(dòng)不大。 南亞科指出,今年DRAM在供給方面,前三大廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主,并未大幅擴(kuò)張新產(chǎn)能。 預(yù)期2017年供給年成長(zhǎng)約20%。 在需求方面,預(yù)期2017年DRAM需求成長(zhǎng)穩(wěn)定,成長(zhǎng)主力來(lái)自手機(jī)及服務(wù)器的搭載量增加,預(yù)估整體年增率高于22%。 因此,今年DRAM市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: DRAM
DRAM漲價(jià)成為投資動(dòng)力 美光聯(lián)手華亞科求自保
- 華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺(tái)灣分公司桃園廠,美光也計(jì)劃擴(kuò)大投資臺(tái)灣,將在臺(tái)中建立后段DRAM封測(cè)廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購(gòu)達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動(dòng)。 美光目前主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)在桃園和臺(tái)中,合并后員工超過(guò)6,000人。 位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn),單月產(chǎn)能10萬(wàn)片;臺(tái)中廠以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬(wàn)片,但已進(jìn)行1x納米制程開發(fā)試產(chǎn),預(yù)定下半年正式生產(chǎn)出貨。 美光將以臺(tái)灣為DRAM主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),除制造端外,也計(jì)劃往后段和產(chǎn)品應(yīng)用和設(shè)計(jì)進(jìn)行整合
- 關(guān)鍵字: DRAM 美光
DRAM市場(chǎng)已邁入多元化發(fā)展
- 回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的歷史,市場(chǎng)經(jīng)常在供過(guò)于求與供不應(yīng)求之間擺蕩。 當(dāng)市場(chǎng)供不應(yīng)求之際,DRAM供應(yīng)商會(huì)積極擴(kuò)廠,大幅增加產(chǎn)能,當(dāng)新產(chǎn)能加入生產(chǎn)后,市場(chǎng)會(huì)陷入供過(guò)于求的狀況,DRAM價(jià)格快速下跌,DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值不增反減。 在歷經(jīng)多次市場(chǎng)的振蕩后,DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在1995年創(chuàng)下當(dāng)時(shí)的歷史新高,高達(dá)435億美元。隔年DRAM市場(chǎng)大崩盤,DRAM的平均售價(jià)大幅下跌,導(dǎo)致1996年DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值崩跌至260億美元。
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星
數(shù)項(xiàng)投資啟動(dòng) 我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)有望率先獲突破
- 2月12日,總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購(gòu)北京矽成100%股權(quán),矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新年伊始,我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)便連續(xù)爆出兩項(xiàng)重要消息,表明我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進(jìn)當(dāng)中。而隨著數(shù)項(xiàng)重大投資的啟動(dòng),存儲(chǔ)器正在成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。 國(guó)際存儲(chǔ)巨頭警惕中國(guó)存儲(chǔ)力量成長(zhǎng) 盡管存儲(chǔ)器屬于高度壟斷的行業(yè),但是我國(guó)在發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日,紫光集團(tuán)在南京正式建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,主要產(chǎn)品為3DNA
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
2017年DRAM出貨成長(zhǎng)率或?qū)⒌陀?0%
- 一般估計(jì),DRAM的位元出貨成長(zhǎng)率(bit growth)低于40%,DRAM廠商便可獲利,而2017年因?yàn)榇髲S沒有新的投資計(jì)劃,DRAM的出貨成長(zhǎng)率甚至可能低于20%,所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來(lái),出貨成長(zhǎng)率首度可能低于20%的年份,不少人甚至認(rèn)為,DRAM將有個(gè)不算短的好光景。 三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到,2017年位元成長(zhǎng)率可能為15~20%,對(duì)于2017年的獲利,抱持著高度的期待,而美光(Mi
- 關(guān)鍵字: DRAM
新型存儲(chǔ)器技術(shù)未來(lái)將主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場(chǎng)
- 存儲(chǔ)器主導(dǎo)著許多SoC,我們很少聽說(shuō)某個(gè)設(shè)計(jì)包含太多的存儲(chǔ)器。然而,存儲(chǔ)器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗,雖然這對(duì)于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問(wèn)題,但是對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言,總功耗是非常重要的。 幾乎所有系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求都在變化。雖然新的存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長(zhǎng)時(shí)間,但仍未被廣泛采用。然而,許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點(diǎn)已然將近。 過(guò)去50年中,SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)的主力,F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場(chǎng)”。所有這些存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
并購(gòu)ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在?
- 兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實(shí)現(xiàn)一定程度的進(jìn)口替代,如果進(jìn)一步出臺(tái)政策支持存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)與銷售,在國(guó)內(nèi)的DRAM市場(chǎng)分到一杯羹。
- 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新 DRAM
臺(tái)媒:大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵
- 中國(guó)大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場(chǎng),但自給自足率卻明顯偏低,必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國(guó)國(guó)務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國(guó)制造”(MIC 2025)計(jì)劃,目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo),到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過(guò)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為,這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成,而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 國(guó)家層級(jí)IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 根據(jù)IC Insights報(bào)導(dǎo)指出,現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
- 關(guān)鍵字: IC DRAM
國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機(jī)制
- 存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)周期波動(dòng)的產(chǎn)業(yè),同時(shí)也是一個(gè)高度壟斷和高風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開工建設(shè),同時(shí)福建晉華和合肥長(zhǎng)芯等存儲(chǔ)器項(xiàng)目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國(guó)將發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)作為國(guó)家戰(zhàn)略的大背景下,考慮到存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動(dòng)和不確定性,以及長(zhǎng)期大投入、高風(fēng)險(xiǎn)特性,研究認(rèn)為,盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測(cè)分析和預(yù)警機(jī)制,無(wú)論從國(guó)家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面,都是一件非常有意義的事情。 存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
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