首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mobile dram

2011年DRAM位元成長率上看50%

  • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。 　　三星電子201
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  

金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢

  • 　　據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購買力擴(kuò)大了市場份額。 　　2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場，后者同期增長26%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 金士頓  DRAM  

三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實現(xiàn)商用化

  • 　　據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品，10月時已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上，完成產(chǎn)品測試。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

爾必達(dá)與Rambus簽署新一期專利授權(quán)協(xié)議

  • 　　Rambus雖說是專利官司大戶，但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。 　　此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛，從久遠(yuǎn)的SDR內(nèi)存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協(xié)議為期五年，爾必達(dá)將向Rambus總共支付1.8億美元的授權(quán)費，首次付賬4700萬美元。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

海力士期望大陸市場能給其帶來轉(zhuǎn)機(jī)

  • 　　全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示，公司計劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。 　　　　
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場預(yù)測

  • 　　按VLSI市場調(diào)研公司的最新報告，今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價格下降。 　　同時，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測，為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為2486億美元，以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預(yù)測2011年半導(dǎo)體增長8%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

  • 　　11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%，讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%，1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%，其實只是以補(bǔ)跌來反應(yīng)品牌顆粒的價格;然此跌價情況若再延續(xù)，不排除各家DRAM廠會有擴(kuò)大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。 　
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  

全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨二次崩盤潮危機(jī)

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī)，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報價達(dá)到頂峰，但下半年卻意外遇上個人計算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境，時至11月，上、下旬合約價連番重挫，且上旬跌幅高達(dá)12~13%，較上旬不到10%合約價持續(xù)擴(kuò)大。 　　
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  

產(chǎn)能過剩導(dǎo)致DRAM價格持續(xù)下滑

  • 　　根據(jù)分析師和市場研究人員表示，個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價格在2011年將會呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測，2011年中期DRAM市場仍將供過于求，但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示， DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復(fù)之前，在第一季度探底。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

DRAM供需待調(diào)整　

  • 　　南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿，預(yù)期2010年底前DDR3合約價將下跌至20美元水平，隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn)，以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整，預(yù)計2011年下半DRAM市場可望走向供需平衡。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

三星計劃2011年下半推出20納米級制程DRAM

  • 　　三星電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升DRAM存儲器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平，再拉大與其它競爭業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示，2010年采用30納米級制程制造DRAM，2011年上半計劃采行20納米級制程推出產(chǎn)品。三星計劃每年提升DRAM制程技術(shù)，維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

臺塑力挺南亞科

  • 　　臺塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南科辦理現(xiàn)金增資的時間點算是生不逢時，DRAM合約價和現(xiàn)貨價持續(xù)崩盤，16日是南亞科現(xiàn)增案原股東繳款的最后截止日，但股價跌破現(xiàn)增價每股新臺幣16.5元，所幸有臺塑集團(tuán)出面宣布力挺決心，臺塑、南亞、臺塑石化及臺化等相關(guān)企業(yè)都出資認(rèn)購，不足的部分預(yù)計會洽特定人吃下，這次南亞科募資的總金額為新臺幣99億元，目前臺塑集團(tuán)對南亞科持股比重已超過60%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 臺塑  DRAM  

11月上旬DRAM合約價續(xù)跌逾7%

  • 　　11月上旬DRAM合約價再跌超過7%，雖然跌幅較10月大幅縮減，但仍擋不住DRAM市場嚴(yán)重供不于求的事實，雖然DRAM廠這次再度發(fā)動減產(chǎn)策略，但仍抵擋不住這波DRAM價格崩盤潮，主要是轉(zhuǎn)換制程所產(chǎn)出的新產(chǎn)能太多，加上目前終端個人計算機(jī)(PC)搭載的存儲器仍是以2GB為主，消化的DRAM產(chǎn)能有限，加上三星電子(Samsung Electronics)的生產(chǎn)成本大幅低于臺廠，使得這一波DRAM合約價和現(xiàn)貨價都快速下向修正。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

  • 　　2010年對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預(yù)估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。 　　
  • 關(guān)鍵字： SAMSUNG  DRAM  NAND  

爾必達(dá)赴臺融資 引發(fā)DRAM臺商恐慌

  • 　　爾必達(dá)(Elpida)申請來臺發(fā)行存托憑證(TDR)獲得“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局核準(zhǔn)，爾必達(dá)社長坂本幸雄親自來臺，并與“經(jīng)濟(jì)部”達(dá)成共識，引發(fā)臺DRAM廠高度關(guān)注。盡管證交所與金管會招商成功，爾必達(dá)風(fēng)光成為第1家來臺發(fā)行TDR的半導(dǎo)體大廠，但從當(dāng)初政府積極整并臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的初衷來看，爾必達(dá)來臺發(fā)行TDR，不但對臺系DRAM廠未來募資之路造成排擠，且可能讓爾必達(dá)來臺募資，之后再拿這些錢收編臺廠12寸DRAM產(chǎn)能，政府到底是在整合臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，還是把臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)白白送給日廠，在業(yè)界造成熱烈討論。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  
共1913條 78/128 |‹ « 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 » ›|

mobile dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mobile dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473