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日本爾必達(dá)計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)
- 日本爾必達(dá)周四稱,計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。 爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組,結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用愈發(fā)增加。爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體。 爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示,該公司正在就獲得Spansion的閃存技術(shù),及意大利的四五十名工程師進(jìn)行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規(guī)模進(jìn)行評論。 日本經(jīng)濟(jì)新聞報導(dǎo)稱,爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
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美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)
- 據(jù)國外媒體報道,臺灣南亞科技總裁連日昌周三表示,公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手,共同為未來的DRAM生產(chǎn)開發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。 這 項先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產(chǎn)成本。連日昌周三在臺北的一次媒體活動中說,企業(yè)要想在未來五年的DRAM市場上 保持競爭力,擁有領(lǐng)先技術(shù)至關(guān)重要。 采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)三星電子展開更加有效的競爭。當(dāng)前,三星已經(jīng)在它的生產(chǎn)線上采用了30納米芯片制程技術(shù)。三星稱,使用30納米
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DDR3測試產(chǎn)能不足 DRAM封測廠加緊進(jìn)設(shè)備
- 隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3,對后段廠而言,封裝產(chǎn)能利用率處于高檔,然測試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象,各家封測廠上演搶機臺戲碼,希望能夠盡量提前讓機臺進(jìn)駐廠區(qū),隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常,存儲器封測廠3月接單熱絡(luò),預(yù)期單月營收應(yīng)可處于歷史高檔水平。 受惠于2010年存儲器市場復(fù)蘇,以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快,力成訂單能見度延展至6~7月,華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載,客戶端需求非常強勁,產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分,卡在測試機臺供應(yīng)不及,測試產(chǎn)能不足
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TIMC停擺傳言滿天飛 臺面下耳語連連
- 臺“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥今日將會見DRAM相關(guān)業(yè)者,業(yè)者最期待經(jīng)濟(jì)部如何處理臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)的問題。雖然再造方案面臨停擺,但市場風(fēng)風(fēng)雨雨的傳言卻從未停歇,包括之前傳出TIMC可能會藉瑞晶的殼,執(zhí)行B計畫來大復(fù)活,導(dǎo)致力晶堅持要買回瑞晶股份來提防;再者,TIMC員工并入瑞晶,在新竹辦公室更傳出清算的動作,更被解讀為掩護(hù)TIMC地下化的假動作,然這一切傳言,可望在施顏祥對外說明后,正式告一段落。 「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」回到1年前的原點,尤其在立法院堅持杯葛國發(fā)基金
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美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點
- 2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強變成四強鼎立,歐系代表奇夢達(dá)(Qimonda)正式退出市場,也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁,將會是美、日、韓陣營合寫歷史,但目前臺灣的DRAM版圖中,韓系已消失,未來臺灣分為美、日兩陣營來抵御三星電子(Samsung Electronics )的勢力坐大,惟產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點,最后一名很容易跟隨奇夢達(dá)的命運,因此美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)未來競爭會更為激烈,且臺灣將成為美、日兩陣營比劃武功的重要戰(zhàn)場。 DRAM產(chǎn)
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威剛董事長預(yù)計DRAM市場二季度起出現(xiàn)供應(yīng)短缺
- 據(jù)臺灣媒體報道,威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)今日表示,從第二季度開始,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)市場可能會面臨供應(yīng)短缺問題,到今年下半年,供需缺口可能會達(dá)到10%。 據(jù)報道,很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3,這推動DDR-2芯片價格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。 報道稱,自春節(jié)假期結(jié)束以來,DDR2現(xiàn)貨價格已上漲6.8%。 威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤驅(qū)動器。
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臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道,內(nèi)存(DRAM)補貨潮號角響起,DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài),農(nóng)歷年后上漲近7%,創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠,但科技大廠可能得要擔(dān)心,資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會出現(xiàn)缺貨潮。 威剛董事長陳立白指出,電子大廠都在談缺工,其實缺工問題不大,缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會面臨這個問題。 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報價,1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%,均價2.35美元,創(chuàng)近一個多月新
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計猛增51%
- 市場研究公司IC Insights預(yù)計,今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計增長67%,而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計為51%。 “如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產(chǎn)能翻倍,但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。 大
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2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計猛增51% 大型芯片廠商領(lǐng)跑
- 市場研究公司IC Insights預(yù)計,今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計增長67%,而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預(yù)計為51%。 “如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產(chǎn)能翻倍,但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。 大
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Gartner:今年全球半導(dǎo)體銷售額將增長20%
- 市場研究公司Gartner預(yù)計,2010年全球半導(dǎo)體營收將增長20%,達(dá)到2760億美元。 2009年,全球半導(dǎo)體營收下滑了10%。但Gartner周三指出,今年全球半導(dǎo)體銷售額有望達(dá)到2760億美元,與去年的2310億美元相比將增長19.5%。 Gartner表示,處理器和內(nèi)存是推動2010年半導(dǎo)體營收增長的主要動力。其中,DRAM芯片漲幅將達(dá)到55%。 Gartner預(yù)計,至少在2014年之前,半導(dǎo)體市場將持續(xù)增長。到2012年,全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到3040億美元。
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英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟
- 英飛凌科技股份公司今日宣布,該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)遞交起訴書,稱爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面四項重要發(fā)明專利,涉嫌不公平貿(mào)易。 英飛凌公司管理委員會成員兼銷售、營銷、技術(shù)與研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出:“英飛凌在業(yè)界一直處于先進(jìn)半導(dǎo)體制程的領(lǐng)先地位。我們將盡力保護(hù)我們通過持續(xù)研發(fā)所獲得的知識產(chǎn)權(quán)。&rdqu
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iSuppli:2010年DRAM內(nèi)存市場將增長40%
- 據(jù)市場研究公司iSuppli稱,經(jīng)過連續(xù)三年的下降之后,DRAM內(nèi)存市場2010年的銷售收入將達(dá)到319億美元,增長40%。 iSuppli負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)的高級分析師Mike Howard在聲明中說,2010年將在2009年第四季度增長的基礎(chǔ)上繼續(xù)增長。2009年第四季度整個DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。 2009年第四季度是DRAM內(nèi)存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個季度。據(jù)iSuppli稱,20
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海力士:DRAM恐供給過剩
- DRAM廠普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語,認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM龍頭三星上周才公開表示,看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè),海力士卻發(fā)布警語,看法與三星大為迥異。 外電報導(dǎo),海力士執(zhí)行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露,由于各大芯片廠都大舉擴大資本支出,擔(dān)心DRAM會供給過剩;不過,他認(rèn)為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM
美光、南亞科攜手42納米 加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局
- 美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn),今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世,同時也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù),與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(dá)(Elpida)45納米相比,美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多,預(yù)計在2010年第2季試產(chǎn),而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程,與爾必達(dá)旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時間點相仿。 2010 年DRAM市場50
- 關(guān)鍵字: Micron 40納米 DRAM
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