首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mobile dram

海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過剩

  • 　　2月9日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告，認(rèn)為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 　　全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警告，看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告，將牽動南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計劃。 　　外電報道，海力士執(zhí)行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露，由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出，擔(dān)心DRAM芯片會供給過剩
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機密被捕

  • 　　據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機密并出售給了競爭對手海力士。 　　美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。 　　應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料  DRAM  NAND  

DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  • 　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。 　　Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。 　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  DDR2  

美國09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM

  • 　　湯森路透知識產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果，對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級公司中，無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一， 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權(quán)名單還包括11家日本公司，中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。 　　2009年美國專利權(quán)人 TOP25 　　亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權(quán)名單的56%，而日
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  芯片  LCD  DRAM  

三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認(rèn)證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 　　三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  30nm  DDR3   

三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產(chǎn)品

  • 　　導(dǎo)讀：《朝鮮日報》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產(chǎn)品，而芯片的營業(yè)利潤容易根據(jù)市場環(huán)境起伏不定，這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會面臨更大的危機。 　　以下為全文： 　　三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱：“從長遠來看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  芯片  LCD  DRAM  

40納米成DRAM廠流行口號

  • 　　近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉(zhuǎn)進50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過50納米，直接轉(zhuǎn)進45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒看到影子時，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機會大量生產(chǎn)，其它陣營的40納米技術(shù)，都是口頭說說成分居多。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  40納米  

LSI 針對企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲應(yīng)用擴展定制 IP 產(chǎn)品系列

  • 　　LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級網(wǎng)絡(luò)和存儲SoC 的開發(fā)。 　　定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應(yīng)用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
  • 關(guān)鍵字： LSI  DRAM  內(nèi)存模塊  PowerPC476   

DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”

  • 　　在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。 　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3來臨 　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  DDR2  

爾必達預(yù)計2010年DRAM將出現(xiàn)供應(yīng)短缺

  • 　　據(jù)國外媒體報道，日本芯片生產(chǎn)商爾必達記憶體(Elpida)公司今日表示，預(yù)計2010年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)將出現(xiàn)供應(yīng)短缺。 　　爾必達社長本幸雄在新聞發(fā)布會上接受采訪時表示，DRAM的價格可能將在截至2011年3月的會計年度企穩(wěn)。
  • 關(guān)鍵字： Elpida  DRAM  

DRAM跌價襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

  • 　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 　　存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  DDR3  

設(shè)備交期拉長 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長力道

  • 　　近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴產(chǎn)計劃不斷，不少業(yè)者的機臺進廠時間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個月來推算，部分機臺交貨時間恐怕落到2011年。 　　在2010年科技業(yè)大擴產(chǎn)風(fēng)潮下，市場紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績可望較2009年成長4~5成，不過近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長到6~9個月的隱憂下，設(shè)備業(yè)者已開始擔(dān)憂，交期拉長恐怕使部分原本可在2010年交貨的機臺，延后到2011年，使全年業(yè)績成長幅度受到壓抑。 　　設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn)，尤其是關(guān)鍵機臺包括LED的金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MO
  • 關(guān)鍵字： MOCVD，晶圓代工  DRAM  

DDR3來臨 2010年DRAM市場云開月明

  • 　　2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。 　　三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22 億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3 來臨 　　第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過DDR2。 　　三星在 DDR3
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  

機臺交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

  • 　　2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺設(shè)備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機臺交貨不及，公司則澄清前期機臺已順利拉進來，轉(zhuǎn)換制程進度一切正常。 　　DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問題，其中，機臺購置成本占相當(dāng)大比重，由于1臺機臺設(shè)備動輒要價新臺幣10億元，且每臺機器產(chǎn)能約僅1萬片，若1座產(chǎn)能達10萬片的12寸
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

  • 嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案,介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時序特征設(shè)計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： CPLD  解決方案  控制器  DRAM  系統(tǒng)  嵌入式  
共1911條 91/128 |‹ « 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 » ›|

mobile dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mobile dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473