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兆易創(chuàng)新：MCU只是個(gè)“過渡故事”

A股市場向來熱衷炒作預(yù)期。投資者樂于為概念買單，愿意給一家公司提前多年的估值。國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)龍頭兆易創(chuàng)新(SH:603986)，就曾是一個(gè)被預(yù)期打滿的例子。2020年初，兆易創(chuàng)新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營收。過度估值的結(jié)果就是，當(dāng)抱團(tuán)瓦解，兩年之內(nèi)兆易創(chuàng)新股價(jià)經(jīng)歷三次大起大落。圖片：兆易創(chuàng)新剛到千億市值，到如今來源：雪球當(dāng)下，作為A股閃存設(shè)計(jì)龍頭的兆易創(chuàng)新，再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng)新的新故事，看清
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2021全球NOR Flash市場：兆易創(chuàng)新銷售額暴增100%，份額升至23.2%

6月21日消息，半導(dǎo)體市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布的最新研究報(bào)告指出，2021年NOR Flash市場銷售額雖然僅占整個(gè)Flash市場的銷售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長了33%，同時(shí)平均售價(jià)也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%，達(dá)到了29億元。根據(jù)IC Insights的預(yù)測(cè)， 2022年NOR Flash市場還將繼續(xù)增長 21%，使得總銷售金額達(dá)到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數(shù)據(jù)顯示，華邦電子、旺宏
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國際巨頭把控全球存儲(chǔ)市場，國內(nèi)企業(yè)如何破局

根據(jù)斷電之后數(shù)據(jù)是否依舊被保存對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩大類。我們熟知的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）屬于易失性存儲(chǔ)器，其中RAM又可分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。而ROM（只讀存儲(chǔ)器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲(chǔ)器，即斷電之后存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)仍然能被保存的存儲(chǔ)設(shè)備。據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2022年、2023年全球存儲(chǔ)芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1804億和2196億美元，市場成長空間廣闊。但在全球的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，市
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汽車缺芯帶來確定性上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)兆易創(chuàng)新活力

作為國內(nèi) MCU 產(chǎn)商的領(lǐng)先公司，兆易創(chuàng)新將直接受益于 MCU 國產(chǎn)化，強(qiáng)化其領(lǐng)先地位，擴(kuò)寬其成長潛力。全球汽車缺芯帶來公司估值的上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來全新的創(chuàng)新方向，國產(chǎn)化擴(kuò)寬公司的成長潛力。1. 確定性與創(chuàng)新性是公司估值擴(kuò)張最有力的保障半導(dǎo)體行業(yè)庫存結(jié)構(gòu)性緊張帶來確定性的估值上漲。半導(dǎo)體存貨緊張引起供應(yīng)不足，帶來市場的高景氣。汽車電子市場需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續(xù)與消費(fèi)電子等芯片市場產(chǎn)能擠壓共同影響，汽車芯片產(chǎn)能釋放不及時(shí)，存貨市場將帶來公司估值確定性擴(kuò)張。圍繞最具活力的創(chuàng)新性方向擴(kuò)張其估值。創(chuàng)新
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中國DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測(cè)，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲(chǔ)芯片企業(yè)長江存
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長江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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中國SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖

全球范圍看，2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計(jì)，2021年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模將達(dá)1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲(chǔ)存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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長江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢姡瑖a(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲(chǔ)跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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美光針對(duì)數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載設(shè)計(jì)的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗(yàn)的第 11 代 SATA 架構(gòu)，支持廣范的應(yīng)用場景，提供相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能，并延長了 SATA 平臺(tái)的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”

“獨(dú)立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運(yùn)營，以創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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針對(duì)勒索軟件與網(wǎng)絡(luò)攻擊 IBM打造新一代儲(chǔ)存產(chǎn)品

IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)日益嚴(yán)峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測(cè)勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊并從中恢復(fù)；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲(chǔ)模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò)復(fù)原力和應(yīng)用程序性能。 IBM 推出下一代儲(chǔ)存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò)攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡(luò)彈性機(jī)構(gòu)的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡(luò)攻
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SK海力士與英特爾已完成收購交易的第一階段：NAND閃存市場會(huì)有什么變化？

據(jù)韓國媒體消息，中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)審查了SK海力士壟斷的可能，并就該家韓國芯片制造商從英特爾手中收購NAND閃存業(yè)務(wù)進(jìn)行評(píng)估，并決定批準(zhǔn)該收購，這為SK海力士掃清了最后一個(gè)障礙。
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