nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報導(dǎo)，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍(lán)圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應(yīng)商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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長江存儲：128層3D NAND技術(shù)會按計劃在今年推出

據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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集邦咨詢：受新冠肺炎疫情擴(kuò)大沖擊，NAND Flash均價可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長收斂至三成，加上各大供應(yīng)商資本支出保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲器大廠華邦電近日宣布，開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束？

據(jù)IDC預(yù)測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲器將具有極大的市場。半導(dǎo)體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲器的
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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。
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引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平，推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當(dāng)前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時代即將到來，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
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?？煽菔蔂€，程序存儲的空間也會變

現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個更為專業(yè)一點的術(shù)語，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎。“中國芯”獎項是目前國內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名，基本涵蓋國內(nèi)最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計將于下月送樣檢測，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
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中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND