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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術創(chuàng)新產品獎

  • 近日，?業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術創(chuàng)新產品獎?！爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥茸罹邫嗤耘c影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產品參與報名，基本涵蓋國內最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產品，是國內集成電路產品和技術發(fā)展的風向標和大檢閱。此次SPI NOR Flash產品
  • 關鍵字： NOR  Flash  

東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術

  • 據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC，XL-Flash將為數據中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預計將于下月送樣檢測，或將于2020年量產。
  • 關鍵字： 東芝  存儲器  XL-Flash  

中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產

  • 網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
  • 關鍵字： 3D NAND  

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

  • 受到東芝工廠停產及日韓貿易戰(zhàn)導致存儲器價格將反轉契機出現(xiàn)，NAND Flash價格調漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術競爭更是暗潮洶涌。
  • 關鍵字： 三星電子  東芝存儲器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  

日韓貿易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關注原廠庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經連續(xù)三個季度快速下滑，下游
  • 關鍵字： 日韓貿易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開賣

  • SK海力士于26日宣布，將量產全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開始銷售。
  • 關鍵字： SK海力士  4D NAND  128層  

停電余威沖擊NAND Flash出貨　價格維持小跌

  • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當地營運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
  • 關鍵字： ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

NAND閃存連跌一年半 減產也阻止不了跌價

  • NAND閃存價格已經連跌了6個季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產能。在群聯(lián)臺北電腦展上，群聯(lián)公司董事長潘建成也預測NAND閃存價格已經跌破了成本，未來跌幅會收窄，需求則會升溫。
  • 關鍵字： NAND  減產  

長江存儲64層NAND量產在即　與紫光集團角力戰(zhàn)漸起

  • 市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團的銷售管道，采取自產自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
  • 關鍵字： 紫光集團  長江存儲  3D NAND  

數據存儲很重要，這塊把錢省不掉？

  • 多日后，當李工在領導面前拍著桌子指責我的時候，我才知道，原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
  • 關鍵字： 數據存儲  EEPROM  Flash  

為物聯(lián)網行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻，Entegris用了哪些方法？

  • 當前，我們正在經歷第四次工業(yè)革命的歷史進程，在這里催生了很多新技術和新市場，比如物聯(lián)網、人工智能、新能源、3D打印、納米技術等等。這么多新的技術和產品相互激勵、互相融合，共同推動半導體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變人類的生活方式。
  • 關鍵字： 物聯(lián)網  Entegris  3D NAND  

集邦咨詢：受惠需求回溫及產能調節(jié)，第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

  • 　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季?！　≌雇诙荆珼RAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應商
  • 關鍵字： NAND  UFS  SSD  

東芝和西數正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

  • 　　根據外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。　　　　據介紹，芯片將實現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數據密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產?！　蟮?，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
  • 關鍵字： 東芝  西數  NAND  

存儲市場寡頭競爭，中國能否突出重圍

  • 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金，因此，我國廠商的數字分攤到每年，還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經歷幾年內虧損，但若想實現(xiàn)存儲器的國產替代，這種投入十分必要。
  • 關鍵字： NAND  存儲器  
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