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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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西部數(shù)據(jù)宣布進一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，在內(nèi)存半導體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示，2023 財年設(shè)備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消費性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角，市調(diào)機構(gòu)集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價后，已與半年前256GB報價相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據(jù)存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計了狀態(tài)機電路，靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設(shè)計進行測試驗證。
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全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

  • 12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶端等主流PC平臺上提升應(yīng)用程序的運行速度和響應(yīng)靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
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韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價甩賣：SK海力士、三星虧到家

  • 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是，全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb

  • 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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存儲系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)

  • NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如傳感器和控制器。 在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中，這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施，包括數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。 因此，在選擇或設(shè)計 NAND 閃存存儲系統(tǒng)時，必須確保存儲器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統(tǒng)所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備

  • SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力。”美國商務(wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開啟存儲技術(shù)創(chuàng)新浪潮

  • 如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對的挑戰(zhàn)。隨著各國對數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計算、邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實時大數(shù)據(jù)更新，以及移動設(shè)備、消費電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu)，高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu)，通過增加NAN
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集邦：第四季NAND Flash價格續(xù)跌15～20％

  • 根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
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庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％

  • 市調(diào)機構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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拆機證實，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產(chǎn) NAND 閃存

  • IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經(jīng)進入蘋果供應(yīng)鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進一步
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