s8+ gen 1 文章進(jìn)入s8+ gen 1技術(shù)社區(qū)

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來(lái)，快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng)新升級(jí)，每一次技術(shù)的躍進(jìn)都為充電的效率與安全性帶來(lái)革命性變革。特別是USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)的引入，更是為該行業(yè)的發(fā)展樹(shù)立了新的里程碑。該標(biāo)準(zhǔn)不僅將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增多組固定和可調(diào)輸出電壓檔位，可為各種電子設(shè)備提供更加靈活
關(guān)鍵字：友尚集團(tuán) ST 140W USB PD3.1 快充方案

2024Q4 對(duì)決，聯(lián)發(fā)科天璣 9400、高通驍龍 8 Gen 4 被曝已流片

7 月 9 日消息，根據(jù) UDN 報(bào)道，高通驍龍 8 Gen 4 和聯(lián)發(fā)科天璣 9400 兩款旗艦芯片將于 2024 年第 4 季度同臺(tái)競(jìng)技，均采用臺(tái)積電的 3nm 工藝，目前已經(jīng)進(jìn)入流片階段。天璣 9400 芯片此前消息稱天璣 9400 將采用 Cortex-X5、Cortex-X4 和 Cortex-A7xx 全大核設(shè)計(jì)。相關(guān)爆料并未透露具體的 CPU 架構(gòu)，但如果與天璣 9300 相似，則可能是一顆 Cortex-X5 超大核、三顆 Cortex-X4 大核和四顆 Cortex-A730 大核。聯(lián)發(fā)
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科天璣 9400 高通驍龍 8 Gen 4 流片

研華發(fā)布RK3588 SMARC 2.1核心模塊ROM-6881助力機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用智能升級(jí)

研華發(fā)布核心模塊ROM-6881，采用SGeT協(xié)會(huì)SMARC2.1標(biāo)準(zhǔn)，集成瑞芯微全新一代AIOT旗艦處理器RK3588/RK3588J，具備強(qiáng)大的計(jì)算性能，高AI算力，滿足多媒體處理需求。憑借低功耗，豐富的IO接口設(shè)計(jì)，ROM-6881實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比、工規(guī)可靠、10年生命周期支持，助力機(jī)器人，醫(yī)療，能源行業(yè)打造更快速，更高效的智能邊緣AI方案。
關(guān)鍵字：研華 RK3588 SMARC 2.1 ROM-6881 機(jī)器視覺(jué)

驍龍 8 Gen 4 旗艦處理器要來(lái)了！高通驍龍峰會(huì) 2024 定檔 10 月 21~23 日

IT之家 6 月 13 日消息，高通官網(wǎng)宣布，Snapdragon Summit 2024（驍龍峰會(huì) 2024）將于 10 月 21 日~10 月 23 日在夏威夷毛伊島舉行。按照高通歷年的發(fā)布節(jié)奏，驍龍 8 Gen 4 旗艦手機(jī)處理器將在驍龍峰會(huì) 2024 上推出，IT之家將跟進(jìn)后續(xù)消息。博主 @數(shù)碼閑聊站爆料曾稱，高通驍龍 8 Gen 4 芯片（SM8750）重新設(shè)定的頻率較為激進(jìn)，自研超大核來(lái)到了 4.2GHz。他還透露，手機(jī)廠商實(shí)驗(yàn)室樣機(jī)跑 GeekBenc
關(guān)鍵字：高通驍龍 8 gen 4

三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過(guò)材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
關(guān)鍵字：三星 1.4nm 晶圓代工

Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級(jí)工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級(jí)版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè)。In
關(guān)鍵字：英特爾晶圓芯片先進(jìn)制程 1.4nm

三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項(xiàng)目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
關(guān)鍵字：三星 AI Mach-1 原型試產(chǎn) 4nm 工藝

臺(tái)積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)

幾個(gè)月前，臺(tái)積電發(fā)布了 2023 年年報(bào)，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來(lái)談?wù)勁_(tái)積電的 A14，或者說(shuō)被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺(tái)積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺(tái)積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(zhǎng)的路要走，很可能會(huì)在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會(huì)在未來(lái)五年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。著
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 Angstrom 14 1.4納米工藝

大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布，USB充電技術(shù)迎來(lái)了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下，傳統(tǒng)的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無(wú)法滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求。設(shè)備制造商需要更新他們的
關(guān)鍵字：大聯(lián)大詮鼎立锜 PD3.1 快充

Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設(shè)計(jì)（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
關(guān)鍵字： Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz

iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺(tái)積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定

4月11日消息，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺(tái)積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解，臺(tái)積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始，而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺(tái)積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺(tái)積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺(tái)積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋(píng)果率先采用。按照臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
關(guān)鍵字： iPhone 17 Pro 臺(tái)積電 2nm 1.4nm 工藝

One UI 6.1 導(dǎo)致 Galaxy S23 系列手機(jī)指紋識(shí)別出問(wèn)題

4 月 8 日消息，近日，三星為 Galaxy S23 系列機(jī)型推送的 One UI 6.1 更新意外導(dǎo)致了手機(jī)的指紋識(shí)別功能出現(xiàn)故障。有用戶反映，使用指紋識(shí)別解鎖手機(jī)時(shí)，會(huì)出現(xiàn)第一次識(shí)別失敗，手指離開(kāi)后再重新識(shí)別才能解鎖的情況。還有用戶表示，每次使用指紋識(shí)別解鎖手機(jī)時(shí)，系統(tǒng)都會(huì)崩潰，需要連續(xù)嘗試兩次才能成功。據(jù) AndroidAuthority 報(bào)道，三星韓國(guó)社區(qū)論壇的一位社區(qū)經(jīng)理已經(jīng)確認(rèn)了該問(wèn)題的存在。他表示：“對(duì)于設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)的不便，我們深表歉意。我們已經(jīng)確認(rèn)，部分情況下鎖屏的指紋識(shí)別功能
關(guān)鍵字： One UI 6.1 Galaxy S23 手機(jī)指紋識(shí)別

小米 Redmi 新系列手機(jī)正面曝光：驍龍 8s Gen 3、無(wú)塑料支架直屏

3 月 27 日消息，Redmi 品牌總經(jīng)理王騰今日開(kāi)通抖音賬號(hào)，并曝光了 Redmi 新系列手機(jī)的正面實(shí)拍畫(huà)面，搭載驍龍 8s Gen 3 處理器?！鳵edmi 驍龍 8s 新系列手機(jī)這款 Redmi 新機(jī)采用無(wú)塑料支架直屏設(shè)計(jì)，下巴比左右邊框略寬，整體屏占比與 Redmi K70E 手機(jī)接近。IT之家昨日?qǐng)?bào)道，小米型號(hào)為 24069RA21C 的手機(jī)通過(guò)了國(guó)家 3C 質(zhì)量認(rèn)證，由西安比亞迪電子代工，支持 90W 有線快充。根據(jù)其他數(shù)碼博主補(bǔ)充，這款新機(jī)為搭載驍龍 8s Gen 3 處理器的Redmi
關(guān)鍵字：小米 Redmi 驍龍 8s Gen 3 直屏

三星計(jì)劃推出Mach-1：輕量級(jí)AI芯片，搭配LPDDR內(nèi)存

三星電子DS部門(mén)負(fù)責(zé)人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在第55屆股東大會(huì)上宣布，將于2025年初推出人工智能（AI）芯片Mach-1，正式進(jìn)軍AI芯片市場(chǎng)。三星希望，能夠在快速增長(zhǎng)的人工智能硬件領(lǐng)域與其他公司進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，比如英偉達(dá)。據(jù)SeDaily報(bào)道，Mach-1屬于ASIC設(shè)計(jì)，被定為為輕量級(jí)人工智能芯片，搭配LPDDR內(nèi)存產(chǎn)品。其擁有一項(xiàng)突破性的功能，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)相比，能顯著降低了推理應(yīng)用的內(nèi)存帶寬需求，僅為原來(lái)的八分之一，降低了87.5%。三星認(rèn)為，這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)將使Mach-1在效率和成本效益
關(guān)鍵字：三星 Mach-1 AI芯片 LPDDR內(nèi)存

xAI宣布開(kāi)源大語(yǔ)言模型Grok-1并開(kāi)放下載

3月18日消息，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周日，埃隆·馬斯克（Elon Musk）旗下的人工智能初創(chuàng)企業(yè)xAI宣布，其大語(yǔ)言模型Grok-1已實(shí)現(xiàn)開(kāi)源，并向公眾開(kāi)放下載。感興趣的用戶可通過(guò)訪問(wèn)GitHub頁(yè)面github.com/xai-org/grok來(lái)使用該模型。xAI介紹稱，Grok-1是一款基于混合專家系統(tǒng)（Mixture-of-Experts，MoE）技術(shù)構(gòu)建的大語(yǔ)言模型，擁有3140億參數(shù)。近期，公司發(fā)布了Grok-1的基本模型權(quán)重和網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)詳情。該公司表示，Grok-1始終由xAI自行訓(xùn)練，其預(yù)訓(xùn)練階段于
關(guān)鍵字： xAI 開(kāi)源大語(yǔ)言模型 Grok-1