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通脹沖擊消費電子終端買氣，2022年DRAM模組廠營收年減4.6%

  • 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應(yīng)的領(lǐng)域不同，使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

  • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應(yīng)增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕

  • IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當(dāng)前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

  • 面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
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集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

  • IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？

  • 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發(fā)生變化，而且經(jīng)常會在用戶未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產(chǎn)，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
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美光訂價能力升 營運露曙光

  • 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場需求轉(zhuǎn)強，AI服務(wù)器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務(wù)長Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測價格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評等及目標(biāo)價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標(biāo)價從75美元調(diào)高到
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存儲廠商持續(xù)減產(chǎn)，市場何時迎來供需平衡？

  • 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過，由于市場需求持續(xù)衰弱，2023年存儲市況仍未復(fù)蘇，價格不斷下跌，廠商業(yè)績承壓。這一背景下，部分存儲廠商期望通過繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價格，推動市場供需平衡。近日，臺灣地區(qū)《工商時報》等媒體報道，DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產(chǎn)策略，調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出，根據(jù)客戶需求和市場變化動態(tài)調(diào)整，以應(yīng)對市場疲軟，預(yù)計產(chǎn)能將動態(tài)調(diào)降20％以內(nèi)。此前，全球市場
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3D DRAM 設(shè)計能否實現(xiàn)？

  • 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
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DRAM的變數(shù)

  • 一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營收約 114.3 億美元，環(huán)比增長 20.4%，終結(jié)連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時傳遞給整個半導(dǎo)體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應(yīng)商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，日本廠未來也會導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強調(diào)，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
  • 關(guān)鍵字： 三星  12納米  DDR5  DRAM  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

  • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
  • 關(guān)鍵字： 3D DRAM  泛林  
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