美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點

　　爾必達的40納米制程初期會由6F2制程技術切入，目前已宣布研發(fā)成功，到了40納米4F2制程階段，研發(fā)重心會由日本廣島移到臺灣，日前爾必達與瑞晶宣布成立研發(fā)中心，預計2009、2010兩年合計投資8,000萬美元，落實臺日雙方的生產(chǎn)及研發(fā)工作。

　　海力士黯然退出臺灣成為整合下最大苦主

　　此外，評斷2010年各家DRAM廠勢力變化的關鍵因素時，可不能遺忘海力士的存在。海力士在全球記憶體產(chǎn)業(yè)中，一直有獨特的生存之道，例如海力士對NAND Flash即投注相當大的財力與技術研發(fā)。過去海力士由于48納米制程不順，因此NAND Flash技術發(fā)展不順，再加上海力士很多NAND Flash產(chǎn)能都是在8吋廠生產(chǎn)，不具競爭力，因此將旗下8吋廠大量退役，這些因素都使得海力士的NAND Flash產(chǎn)能受到影響。

　　在此同時，競爭對手三星和東芝(Toshiba)在NAND Flash市場戰(zhàn)斗力十足，市占率持續(xù)擴大，都各自保持在30%，且原本市占率落后的美光和英特爾(Intel)的IM Flash陣營， 2009年憑借著34納米制程量產(chǎn)，是全球第1個跨入30納米世代的NAND Flash業(yè)者，對海力士形成極大威脅。

　　2009年下半美光在NAND Flash市場的市占率一度超越海力士，搶下全球3哥寶座，但目前海力士32納米制程已正式量產(chǎn)成功，目前也開始小量出貨，預計海力士可重拾產(chǎn)業(yè)競爭力，因此2010年各家NAND Flash市占的變化將精采可期。尤其最近持有海力士股權28%的債權銀行，打算出脫部分持股，日前也傳出阿拉伯聯(lián)合大公國有興趣投資部分海力士股權，此消息顯示海力士的產(chǎn)業(yè)競爭力備受肯定，2010年美光、爾必達等對手得多加把勁，才有機會超越海力士。

　　臺灣成美、日重要戰(zhàn)場

　　整體來看，南韓、美國、日本在DRAM產(chǎn)業(yè)的競爭賽，未來仍會如火如荼進行。走過金融風暴的摧殘，DRAM價格也開始反彈，各廠開始賺錢，整裝待發(fā)進行下一輪比賽，臺灣DRAM業(yè)者的未來，也跟隨著國際大廠的勢力消長而不斷變動中。

　　未來臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展確定是臺美、臺日雙線出擊，最大敵人是三星，除了依賴母廠技術的優(yōu)劣外，最大的關鍵仍是資金，也因此市場格外看好美光和南亞科、華亞科陣營，認為有臺塑集團的支持，等于有龐大的銀庫做支援。

　　短期之內(nèi)，臺灣還是維持臺美、臺日兩陣營最有利，畢竟美、日都是全球第3、第4，在還沒有分出勝負前，倉促壓寶恐賠上臺灣累積數(shù)10年的DRAM產(chǎn)業(yè)根基。

　　爾必達在臺灣產(chǎn)能之爭上收獲豐富，未來40納米若能成功量產(chǎn)，全球競爭力不可小覷;美光有臺塑集團的財力加持，在資金競爭力上明顯勝出，在此美、日兩陣營的壯大下，臺灣成為DRAM重要的戰(zhàn)場，臺廠也應該借著與國際大廠合作的機會，增加自己的競爭力、研發(fā)實力和價值，彼此才能并駕齊驅，達到挑戰(zhàn)三星的目標。