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聯(lián)電:20nm不會成主流 28nm后直接跳14nm

作者: 時間:2013-05-14 來源:EEFOCUS 收藏

  近日消息,召開法說會,關(guān)于外界關(guān)注的先進(jìn)制程進(jìn)度,即使28nm之 路仍顛簸,而老大哥臺積電制程量產(chǎn)在即,但執(zhí)行長顏博文仍表示,他認(rèn)為28nm制程會是一個“強勁、且生命周期長"(strong, and long-life node)的制程,至于制程則不會成為主流制程(weak node)。他強調(diào),在28nm制程過后,下一個制程很可能直接跳過、往14nm走。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/145294.htm

  顏博文指出,對20nm制程而言,最大的變數(shù)并不是技術(shù)難以做到,而是雙層投影(double patterning)的成本太高,因此他不認(rèn)為客戶對20nm未來需求會很強勁。他表示,蘋果對20nm的需求是個例外,對多數(shù)客戶來說,20nm制程 可能還是不符合成本效益,因此聯(lián)電即使會有20nmSoC的產(chǎn)品,但也會配合客戶的需求來小量的推。

  而在28nm制程之后,顏博文也擘劃出下一步的先進(jìn)制程藍(lán)圖,預(yù)估聯(lián)電將于明年Q3進(jìn)行14nm的tape-out(設(shè)計定案),并預(yù)計于2015年試產(chǎn)14nm制程。

  顏博文表示,目前對28nm的營運目標(biāo)不變,仍以在今年底前占總體營收低個位數(shù)百分點為目標(biāo)。而相較于28nm,聯(lián)電顯然還是較看好40nm和特殊 制程今年的動能。顏博文強調(diào),他看好在40nm制程聯(lián)電還有很大的成長空間,而聯(lián)電的40nm市占率也將持續(xù)提升。他指出,近期聯(lián)電和快閃記憶體解決方案 領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion展開的40nm制程研發(fā)合作即是一個實例。

  關(guān)于今年Q1聯(lián)電40nm制程營收占比雖從去年Q4的15%升至18%,但65/55nm的營收占比卻從40%大降至32%,對此顏博文說明,一方面固然是65nm需求較差,不過聯(lián)電持續(xù)將機臺從65nm朝40nm轉(zhuǎn)移也是主因。

  至于現(xiàn)場有人提問,指出根據(jù)研調(diào)機構(gòu)IC Insights的數(shù)據(jù),聯(lián)電已落至全球晶圓代工的第四名,對此顏博文回應(yīng),根據(jù)聯(lián)電自己的估算,若僅就真正從wafer sales所得到的營收,聯(lián)電仍居第二、三星居第三、格羅方德則是第四。

  值得注意的是,聯(lián)電財務(wù)長劉啟東也預(yù)告,此次將是聯(lián)電最后一次的現(xiàn)場法說會,下一次于8月初舉行的法說,將采線上法說的形式進(jìn)行。



關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 20nm

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