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東芝為功率半導體設備提供無鉛封裝

作者:電子設計應用 時間:2004-01-18 來源:電子設計應用 收藏
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助無鉛提供對環(huán)境友好的產(chǎn)品的計劃時宣布,該公司眾多功率半導體的很多類型都將采用無鉛或無鉛涂層進行生產(chǎn)。由公司 (Toshiba Corp.) 生產(chǎn)的各種系列的功率設備中包含高功率的 IGBT 模塊和采用壓力包裝 (pressure packs) 的產(chǎn)品以及各種中等功率的設備(包括 MOSFET、雙極晶體管、肖特基勢壘二極管、智能型功率模塊、硅控整流器與三端雙向可控硅開關以及其他多種整流器)。其高功率設備適用于工業(yè)控制應用產(chǎn)品,而其中等功率的設備則旨在用于小尺寸和高效能屬于重要因素的便攜式應用產(chǎn)品中。

TAEC 認為有一些客戶還沒有實行向無鉛生產(chǎn)的過渡,所以該公司將繼續(xù)以先前的涂層提供功率半導體部件。

日本公司的無鉛功率設備將以錫/銀或錫/銅無鉛電鍍推出,這些無鉛產(chǎn)品達到或超出 IPC/JEDEC 共同標準 J-STD-020B 的要求。這種封裝同時還符合將于2005年生效的歐盟的相關要求。

TAEC 分散的業(yè)務部門銷售總監(jiān) Jay Heinecke 指出:“為了更好地支持我們的全球客戶,公司已經(jīng)實施了一項積極的生產(chǎn)計劃,以便在管理部門的計劃開始實施之前就開始提供無鉛的功率產(chǎn)品。東芝致力于對我們的客戶需求做出反應,同時也致力于通過提供對環(huán)境友好的產(chǎn)品而成為有環(huán)境意識的企業(yè)公民?!?/P>



關鍵詞: 東芝 封裝

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