存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體STM32F103RET7單片機(jī)的工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)、應(yīng)用、引腳

ST(意法半導(dǎo)體)的型號(hào)STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器，采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，在72MHz頻率下工作，高速嵌入式存儲(chǔ)器(閃存高達(dá)512千字節(jié)，SRAM高達(dá)64千字節(jié))，以及廣泛的增強(qiáng)I/ o和連接到兩個(gè)APB總線的外設(shè)。STM32F103RET7提供3個(gè)12位adc，4個(gè)通用16位定時(shí)器加上兩個(gè)PWM定時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：最多兩個(gè)i2c，三個(gè)spi，兩個(gè)I2Ss，一個(gè)SDIO, 5個(gè)usart，一個(gè)USB和一個(gè)CAN。STM32F10
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干貨｜必看的單片機(jī)知識(shí)

前言1946年2月15日，第一臺(tái)電子數(shù)字計(jì)算機(jī)?ENIAC問世，這標(biāo)志著計(jì)算機(jī)時(shí)代的到來。ENIAC?是電子管計(jì)算機(jī)，時(shí)鐘頻率雖然僅有 100 kHz，但能在1s?的時(shí)間內(nèi)完成 5000 次加法運(yùn)算。與現(xiàn)代的計(jì)算機(jī)相比，ENIAC有許多不足，但它的問世開創(chuàng)了計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)的新紀(jì)元，對(duì)人類的生產(chǎn)和生活方式產(chǎn)生了巨大的影響。在研制?ENIAC?的過程中，匈牙利籍?dāng)?shù)學(xué)家馮·諾依曼擔(dān)任研制小組的顧問，并在方案的設(shè)計(jì)上做出了重要的貢獻(xiàn)。1946年6月，馮·諾依曼又提
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OptiFlash存儲(chǔ)器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對(duì)軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機(jī)械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機(jī)械鎖后，用戶可以通過手機(jī)應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進(jìn)行控制，同時(shí)制造商可通過軟件更新、改進(jìn)或校正智能鎖的功能。在這種趨勢(shì)下，人們對(duì)存儲(chǔ)器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲(chǔ)器的微控制器 (MCU) 中，存儲(chǔ)器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢(shì)外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢(shì)（包括更高的計(jì)算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當(dāng)出現(xiàn)無線更新的需求時(shí)，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲(chǔ)，上述的這
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存儲(chǔ)器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

今年以來，ChatGPT持續(xù)推動(dòng)生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場(chǎng)青睞，存儲(chǔ)器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場(chǎng)的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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新興內(nèi)存技術(shù)：半導(dǎo)體廠商的革命

半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展是由一個(gè)基本原則驅(qū)動(dòng)的：存儲(chǔ)器。內(nèi)存技術(shù)是數(shù)字時(shí)代背后的無名英雄，支撐著從智能手機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到超級(jí)計(jì)算機(jī)的效率的一切。隨著對(duì)更快、更可靠、更節(jié)能的存儲(chǔ)器的需求激增，新一波新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)有望重塑半導(dǎo)體工廠并增強(qiáng)我們的數(shù)字體驗(yàn)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的現(xiàn)狀要了解新興存儲(chǔ)技術(shù)的重要性，了解其前輩至關(guān)重要。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲(chǔ)器，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)，可提供快速數(shù)據(jù)訪問，但需要持續(xù)供電才能保留信息。非易失性存儲(chǔ)器，例如 NAND 閃存，可以在沒
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存儲(chǔ)器報(bào)價(jià) 明年H1抬頭

三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續(xù)舉行法說，釋出對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)看法，兩大廠商均表示，PC、手機(jī)終端庫存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務(wù)器需求依然疲弱，而AI服務(wù)器需求則較為強(qiáng)勁。業(yè)界人士認(rèn)為，存儲(chǔ)器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷，在獲利數(shù)字翻正前，應(yīng)會(huì)持續(xù)減產(chǎn)策略，預(yù)期2024年上半年內(nèi)存報(bào)價(jià)向上趨勢(shì)不變。臺(tái)系存儲(chǔ)器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見、十銓、宇瞻等有望受惠。時(shí)序進(jìn)入第四季，三星認(rèn)為，市場(chǎng)復(fù)蘇將加速，在旺季帶動(dòng)之下，市場(chǎng)DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
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樹立新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品標(biāo)桿，兆易創(chuàng)新開拓高能效應(yīng)用賽道

近日，第11屆EEVIA年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)在深圳隆重開啟。兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理張靜受邀出席，以“持續(xù)開拓，兆易新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題，分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域的廣泛布局，以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考，共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)周期”下的存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)。GD Flash的開拓之路：十四載達(dá)成212億顆出貨成就眾所周知，F(xiàn)lash是一種非易失性的存儲(chǔ)器，在斷電和掉電的情況下，存儲(chǔ)的內(nèi)容不會(huì)發(fā)生丟失，是絕大多數(shù)電子系統(tǒng)必備的元器件。作為一家以存
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存儲(chǔ)器大廠：HBM4，2025年供貨！

人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺(tái)前，市場(chǎng)需求持續(xù)看漲。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長(zhǎng)約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢(shì)，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計(jì)算場(chǎng)景，因而備受青睞，存儲(chǔ)大廠也在積極推動(dòng)HBM技術(shù)迭代。存儲(chǔ)大廠持續(xù)發(fā)力，三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世至今，HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)亟待“翻身仗”，四大廠商最新營(yíng)收幾何？

2023年已過去一大半，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)雖仍處于待復(fù)蘇階段，但歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，業(yè)界期盼的暖風(fēng)或許正在到來。從多家廠商最新營(yíng)收來看，整體營(yíng)收仍是下降趨勢(shì)，但各廠商營(yíng)收出現(xiàn)了環(huán)比增長(zhǎng)的跡象，預(yù)示著需求正在慢慢升溫。群聯(lián)電子：9月營(yíng)收月增25%存儲(chǔ)器控制芯片商群聯(lián)電子公布，其9月營(yíng)收為50.04億元新臺(tái)幣，月增25.38%，年增4.05%，重返50億元新臺(tái)幣大關(guān)，創(chuàng)14個(gè)月新高。根據(jù)數(shù)據(jù)，群聯(lián)電子第三季營(yíng)收為123.88 億元新臺(tái)幣，較第二季成長(zhǎng)近24%，年減15%；2023年前三季累計(jì)營(yíng)收324.74 億元新臺(tái)幣
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存儲(chǔ)芯片的「寒冬期」即將過去

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售最差時(shí)期已過，價(jià)格已止跌。
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UCODE標(biāo)簽存儲(chǔ)器擴(kuò)展對(duì)供應(yīng)鏈及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的影響

每年有數(shù)百億個(gè)RAIN RFID標(biāo)簽穿梭于價(jià)值鏈，識(shí)別跟蹤各類物品。在大多數(shù)情況下，只需少量的存儲(chǔ)空間便可以存儲(chǔ)產(chǎn)品和標(biāo)簽ID，從而區(qū)分各個(gè)物品，并報(bào)告物品在系統(tǒng)中的位置和/或狀態(tài)。那么，為什么某些RAIN RFID標(biāo)簽提供額外的存儲(chǔ)空間呢？因?yàn)樵谀承┣闆r下，特別是在供應(yīng)鏈和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中（IoT），即使一點(diǎn)點(diǎn)額外的存儲(chǔ)空間也會(huì)帶來很大的影響。除了產(chǎn)品和標(biāo)簽ID外，擴(kuò)展存儲(chǔ)器標(biāo)簽可以存儲(chǔ)其他信息，有助于提升效率、提高自動(dòng)化水平并降低運(yùn)營(yíng)成本。什么是擴(kuò)展存儲(chǔ)器標(biāo)簽？提供擴(kuò)展存儲(chǔ)器的RAIN RFI
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新的存儲(chǔ)器研究使密度躍升100倍

存儲(chǔ)密度躍升 10 到 100 倍？
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三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案

今日，三星電子宣布，已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲(chǔ)器最低的功耗，可助力汽車制造商為消費(fèi)者打造優(yōu)秀的出行體驗(yàn)。為滿足客戶的不同需求，三星的UFS 3.1（通用閃存）將推出128、256和512千兆字節(jié)（GB）三種容量。在未來的汽車（電動(dòng)汽車或自動(dòng)駕駛汽車）應(yīng)用中，增強(qiáng)的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中，256GB容量的產(chǎn)品，功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%，還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]