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ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術還是另辟蹊徑？

  • ASML首席財務官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術路線發(fā)展受歐美限制，且光刻機已接近技術極限，此一技術路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進行技術跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術路徑？將面臨艱難的抉擇。 據(jù)《芯智訊》報導，臺積電已經訂購了High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關設備訂單。ASML預測其設備的市場需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
  • 關鍵字： ASML  EUV  光刻機  

臺積電今年將拿到最新款光刻機

  • 6月6日消息，據(jù)外媒報道稱，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進的光刻機，單臺造價達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師，公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經訂購了最新的高NA EUV設備，第一臺設備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時會收到設備。據(jù)悉，這些機器每臺造價3.5億歐元（3.8億美元），重量相當于兩架空中客車A
  • 關鍵字： ASML  光刻機  高NA EUV  

EUV光刻機“忙瘋了”

  • 據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關鍵設備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當?shù)貢r間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營。推動摩爾定律關鍵因素：High NA EUV技術據(jù)業(yè)界信息，High NA EUV技術是
  • 關鍵字： EUV  光刻機  EDA設計  

ASML和IMEC啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室

  • 自ASML官網獲悉，6月3日，比利時微電子研究中心（imec）與阿斯麥（ASML）宣布在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同運營。聲明中稱，經過多年的構建和集成，該實驗室已準備好為領先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進材料和設備供應商提供第一臺原型高數(shù)值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周圍的處理和計量工具。據(jù)悉，該聯(lián)合實驗室的開放是High-NA EUV大批量生
  • 關鍵字： 阿斯麥  ASML  EUV  

臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？

  • 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現(xiàn)未來
  • 關鍵字： 臺積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機  

美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

  • 據(jù)日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。去年，日本經濟產業(yè)省曾表示，將利用這筆經費協(xié)助美光科技生產芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術發(fā)展的關鍵。
  • 關鍵字： 美光  DRAM  日本  EUV  

High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機

  • 上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。
  • 關鍵字： High-NA  EUV  光刻機  英特爾  芯片  半導體  

臺積電美國設廠貴又慢？工程師揭關鍵：EUV機臺組裝超乎想象

  • 臺積電熊本廠已在2月底開幕，美國亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產，美國一名結構工程師撰文指出，在美國蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地區(qū)高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復雜，以ASML的一臺先進EUV曝光機為例，可能裝在40個貨柜中，需要漫長而仔細的組裝過程。美國進步中心（Institute of Progress）學者、結構工程師波特（Brian Potter）以如何建造一座價值200億美元的半導體廠為題撰文指出，隨著摩爾定律的發(fā)展，芯片已變得越來越小、越來越便宜
  • 關鍵字： 臺積電  美國設廠  EUV  機臺  

財經專家揭秘臺積電「抗震神器」：1鈴聲預告出大事

  • 花蓮外海3日上午發(fā)生規(guī)模7.2大地震，臺積電昨晚間發(fā)聲明，震后10小時內，晶圓廠設備的復原率已超過70％，雖少數(shù)設備受損并影響部分產線生產，但主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無受損。對此，財經專家黃世聰表示，臺積電晶圓廠的機臺，使用的是美國航天等級、連美軍都在用的阻尼器，且下方還有抗震減壓的機臺，把地震影響降到最小，且臺積電工程師訓練有素，只要發(fā)生地震、聽到公司手機響起臺積電之歌的鈴聲，就知道出大事、要趕回公司。臺積電產能牽動全球科技業(yè)，強震后外界關注影響。臺積電昨晚發(fā)布聲明，在3日地震發(fā)生后僅
  • 關鍵字： 臺積電  抗震神器  EUV  強震  

臺積電曝EUV主要機臺沒受損 美媒示警：強震后面臨考驗

  • 昨日花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，外媒高度關注是否對中國臺灣護國神山臺積電造成影響，臺積電表示，部分廠區(qū)的少數(shù)設備受損，但所有極紫外（EUV）光刻設備等主要機臺皆無受損?！度A爾街日報》撰文指出，臺積電坐落在世界上最大地震熱點之一的中國臺灣，在昨日強震后將受到考驗。報導指出，在此次地震中臺積電是幸運的，因為其主要設施地點位在北、中、南部，與東部的震央距離相對較遠，這次臺積電新竹、龍?zhí)逗椭衲系瓤茖W園區(qū)的最大震度為5級 ，臺中和臺南科學園區(qū)的最大震度4級。雖然臺積電工廠建筑物完好無損，但用于制造半導體的設備和材料非常
  • 關鍵字： 臺積電  EUV  強震  

中國臺灣地震影響全球半導體業(yè) 一文看懂如何撼動芯片供應鏈

  • 3日早上7點58分左右，中國臺灣花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，擾亂臺積電在內的公司營運，臺積電對此表示，雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設備受損并影響部分產線生產，但主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無受損。許多外媒則示警，這凸顯了臺積電和全球芯片供應鏈處在地震的風險與威脅之中。 根據(jù)《商業(yè)內幕》報導，這場7.2強震凸顯了全球芯片供應鏈和臺積電的脆弱性，臺積電是世界上最大的芯片制造商，全球大約90%的最先進處理器芯片都是臺積電生產，而且中國臺灣也是小型芯片生產商的所在地。報導示警，如果大地震能夠擾亂臺積電，那么更具破
  • 關鍵字： 半導體  芯片供應鏈  臺積電  EUV  

High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？

  • 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導體產業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
  • 關鍵字： High-NA EUV  

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術

  • 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
  • 關鍵字： ASM  NXE:3800E EUV  光刻機  High-NA  

ASML正計劃搬離荷蘭？向外擴張轉移業(yè)務成為最優(yōu)解

  • 據(jù)路透社報道，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個名為“貝多芬計劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領導，以確保ASML繼續(xù)在荷蘭發(fā)展。消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴張或遷移，法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對媒體稱他們在考慮公司的未來，但沒有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭？憑借先天的地理位置及海港內陸網絡，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國家經濟高度依賴國際貿易，2022年最新出口額占全國GDP之比超
  • 關鍵字： ASML  荷蘭  EUV  佳能  光刻機  

韓國芯片巨頭SK海力士計劃升級在華工廠

  • 據(jù)韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，對其中國半導體工廠進行技術提升改造。這被外界解讀為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。韓國《首爾經濟》13日的報道援引韓國業(yè)內人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產設備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠
  • 關鍵字： SK海力士  芯片  EUV  
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