1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
三星擴(kuò)產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限,加上20納米以下先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換難度提高,DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看,智慧型手機(jī)搭載容量快速增加,物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的需求亦進(jìn)入倍數(shù)成長階段。也因此,在供給吃緊情況下,DRAM價(jià)格由去年下半年一路漲到今年底,累計(jì)漲幅已將超過1倍。 以4GBDDR4模組合約價(jià)來看,去年第3季平均價(jià)格僅13美元,但今年第4季價(jià)格已大漲至30.5美元,不僅價(jià)格已連續(xù)6季度調(diào)漲,累計(jì)漲幅亦超過1.3倍。想當(dāng)然爾,DRAM價(jià)格大漲也明顯
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10%,下季料將續(xù)漲5%
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動(dòng)式DRAM產(chǎn)能,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下,標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨,第四季合約價(jià)順利再漲6~10%,業(yè)界對(duì)明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識(shí),法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲,加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出,昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)50.72億元,創(chuàng)下單月營收歷史新高,與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收,但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于43~4
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲(chǔ)器
DRAM風(fēng)云錄,國產(chǎn)廠商也要入局
- 三星、SK海力士和鎂光,這三家大佬目前占據(jù)了市場(chǎng)上95%的份額,現(xiàn)在國產(chǎn)存儲(chǔ)研發(fā)成功,但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實(shí)現(xiàn),也仍然存在較大不確定性,從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷售需要長達(dá)幾年時(shí)間。
- 關(guān)鍵字: DRAM
DRAM供不應(yīng)求短期難解 三星計(jì)劃下季再調(diào)漲報(bào)價(jià)3~5%
- DRAM供不應(yīng)求短期難解,全球DRAM制造龍頭韓國三星半導(dǎo)體通知渠道商,計(jì)劃明年第1季再調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià),漲幅3~5%,其中以行動(dòng)式DRAM漲幅較大,這也說明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下,仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利,推升集團(tuán)獲利表現(xiàn),有助破除讓近期市場(chǎng)擔(dān)心三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn),打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。 中國臺(tái)灣地區(qū)DRAM大廠也強(qiáng)調(diào),目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等,仍以升級(jí)制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向,預(yù)料即使三星調(diào)升部分產(chǎn)線,增加的DRAM產(chǎn)出仍無法滿足市場(chǎng)需求,預(yù)料明年DRAM還
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星
從Gartner預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)增長看行業(yè)投資線索
- 知名信息技術(shù)研究和分析公司Gartner發(fā)布預(yù)測(cè),2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總營收將達(dá)到4111億美元,較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機(jī)中復(fù)蘇且全球半導(dǎo)體營收增加31.8%之后,增長最為強(qiáng)勁的一次。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總營收在2014年~2016年的這3年間,規(guī)模在3400億美元左右。但2017年因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格逐季大漲,帶動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)強(qiáng)勁增長,這也是半導(dǎo)體市場(chǎng)年度總營收首度超過4000億美元大關(guān)。 Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示,以
- 關(guān)鍵字: DRAM 高通
國內(nèi)芯片廠商砸180億造內(nèi)存 不再看國外臉色!
- 去年雙11時(shí),一條8G DDR4 2400hz的內(nèi)存僅在300元左右,轉(zhuǎn)眼1年過去了,價(jià)格已經(jīng)飆升至900元,也就是說兩條8GB的內(nèi)存足以購買一塊中端顯卡了,這樣的價(jià)格很多年沒有看到過了,也導(dǎo)致了許多想更換內(nèi)存的朋友望而生畏。 其實(shí)內(nèi)存主要上漲的原因就是內(nèi)存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來瘋狂的上漲,其漲幅到達(dá)了111%,原材料的上漲導(dǎo)致內(nèi)存成本飆升。另一方面由于2016年時(shí)電腦市場(chǎng)內(nèi)存飽和,許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷售方向轉(zhuǎn)向了手機(jī),因?yàn)槭謾C(jī)在不斷的推出新產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 芯片 DRAM
三星考慮明年擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能,恐改變目前供給緊俏格局
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,由于DRAM廠近兩年來產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限,加上制程轉(zhuǎn)換的難度,DRAM供給成長明顯較往年放緩,配合著下半年終端市場(chǎng)消費(fèi)旺季的推波助瀾,DRAM合約價(jià)自2016年中開啟漲價(jià)序幕。然而,三星傳出在考慮提高競(jìng)爭(zhēng)者進(jìn)入門檻的情況下,可能將擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能,恐將改變DRAM供給緊俏格局。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價(jià)為例,從去年中開始起漲,由當(dāng)時(shí)的DDR4 4GB 13美元均價(jià)拉升至今年
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
全球2018年DRAM產(chǎn)業(yè)預(yù)估預(yù)測(cè)
- 本文介紹了2017年DRAM市場(chǎng)狀況,并對(duì)2018年的DRAM市場(chǎng)進(jìn)行了分析預(yù)測(cè)。2018年預(yù)計(jì)僅增長19.6%,無大規(guī)模增產(chǎn)計(jì)劃下,供給將延續(xù)吃緊走勢(shì)。
- 關(guān)鍵字: DRAM 市場(chǎng) 預(yù)測(cè) 201711
IC Insights:全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場(chǎng)預(yù)測(cè)提升至22%
- 據(jù)IC Insights預(yù)測(cè),2017年的IC市場(chǎng)增長率有望提高到22%,較今年年中預(yù)期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn),出貨量增長率預(yù)測(cè)也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。 此外,IC Insights同時(shí)調(diào)稿對(duì)O-S-D(光電子,傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)??傮w而言,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長達(dá)20%,比年中預(yù)期調(diào)高5個(gè)百分點(diǎn)。 2017年,IC Insights預(yù)測(cè)DRAM的平均售價(jià)將大漲77%,預(yù)計(jì)今年將推動(dòng)DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
2018年三大DRAM廠擴(kuò)產(chǎn)有限,整體價(jià)格漲勢(shì)依舊
- 近期,DRAM 價(jià)格持續(xù)大漲使許多廠商吃不消,陸續(xù)調(diào)漲產(chǎn)品價(jià)格,消費(fèi)者也抱怨連連。這波漲勢(shì)何時(shí)停止,目前看來短期幾乎不可能,只能期望價(jià)格不要一次漲太多就已萬幸了。 集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告指出,進(jìn)入第 4 季后,三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規(guī)劃好 2018 年的發(fā)展。由于資本支出都趨保守,意味著大規(guī)模產(chǎn)能擴(kuò)張已不可能,甚至制程技術(shù)前進(jìn)的腳步也會(huì)緩下來。DRAM 大廠在 2018 年的首要目標(biāo),就是獲得持續(xù)且穩(wěn)定的利潤,價(jià)格至少維持 2017
- 關(guān)鍵字: DRAM 晶圓
1β dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條1β dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)1β dram的理解,并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)1β dram的理解,并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473