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SuVolta成功獲得1060萬(wàn)美元風(fēng)險(xiǎn)投資

  • 2014年1月15日，致力于為低功耗、高性能的集成電路芯片開發(fā)可擴(kuò)展式半導(dǎo)體技術(shù)的SuVolta公司宣布其已獲得1060萬(wàn)美元的資金。
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  DRAM  物聯(lián)網(wǎng)  

存儲(chǔ)器模塊廠 樂(lè)觀本月營(yíng)運(yùn)

  • 　　存儲(chǔ)器模塊進(jìn)入春節(jié)前拉貨旺季，包括威剛(3260)、創(chuàng)見(jiàn)、宇瞻等存儲(chǔ)器模塊樂(lè)觀看待元月營(yíng)收開始升溫。 　　存儲(chǔ)器模塊廠去年拜DRAM價(jià)格回升，均繳出比前年還佳的成績(jī)單。威剛?cè)ツ耆旰喜I(yíng)收335.2億元，年增63.7%，創(chuàng)三年來(lái)新高;宇瞻去年合并營(yíng)收98.34億元，年增27.67%，也是近三年新高紀(jì)錄。創(chuàng)見(jiàn)去年全年合并營(yíng)收261.15億元，年減0.39%。 　　法人預(yù)估，威剛?cè)ツ甑?季獲利優(yōu)前去年第3季，去年全年每股純益可望逾一個(gè)股本。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)3190億美元 成長(zhǎng)4.9%

  • 　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2012年衰退2.5%后，2013年恢復(fù)成長(zhǎng)，年成長(zhǎng)率達(dá)4.9%。2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額達(dá)3190億美元，較2012年的3029億美元成長(zhǎng)4.9%，成長(zhǎng)主要?jiǎng)恿κ怯蒁RAM及NANDFlash帶動(dòng)，DRAM及NAND在2013年的年成長(zhǎng)率分別為35%及27.7%。 　　營(yíng)業(yè)額前3甲連莊 　　2013年全球半導(dǎo)體公司營(yíng)業(yè)額，英特爾(Intel)、三星(Samsung)及高通(Qualcomm)繼蟬聯(lián)前3名，2013年?duì)I業(yè)額合計(jì)977.6億美元，占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)額30.8%
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美光科技第一財(cái)季凈利潤(rùn)3.58億美元 同比扭虧

  • 　　美國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周二發(fā)布了該公司2014財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受產(chǎn)品銷售改進(jìn)的推動(dòng)，美光科技第一財(cái)季的業(yè)績(jī)超過(guò)了市場(chǎng)預(yù)期。 　　在截至11月28日的第一財(cái)季，美光科技營(yíng)收為40.42億美元，高于上一季度的28.43億美元，高于上年同期的18.34億美元。美光科技第一財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為5.51億美元，上一財(cái)季的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)2.07億美元，上年同期的運(yùn)營(yíng)虧損9700萬(wàn)美元。美光科技第一財(cái)季凈利潤(rùn)為3.58億美元，合每股攤薄收益0.30美元。美光科技上一季度凈利潤(rùn)為17.08億美元，合每股攤
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DRAM今年全年缺貨 威剛可望賺1個(gè)股本

  • 　　記憶體模組廠威剛(3260-TW)董事長(zhǎng)陳立白表示，今年DRAM全年仍處于缺貨的情況，從第1季就會(huì)開始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當(dāng)，將可再賺進(jìn)1個(gè)股本。威剛2日股價(jià)受到激勵(lì)，最高來(lái)到74.7元，漲幅近5%，開盤不到2小時(shí)，成交量爆逾7000張，比前1交易日2872張大幅增加，帶動(dòng)創(chuàng)見(jiàn)(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價(jià)普遍上漲，其中，華亞科盤中最高來(lái)到23.1元，漲幅逾4%，開盤2小時(shí)，成交量逾2萬(wàn)張，超越前1交易日的成交量。 　　陳立白表示，DR
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DRAM今年全年缺貨 威剛可望賺1個(gè)股本

  • 　　記憶體模組廠威剛(3260-TW)董事長(zhǎng)陳立白表示，今年DRAM全年仍處于缺貨的情況，從第1季就會(huì)開始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當(dāng)，將可再賺進(jìn)1個(gè)股本。威剛2日股價(jià)受到激勵(lì)，最高來(lái)到74.7元，漲幅近5%，開盤不到2小時(shí)，成交量爆逾7000張，比前1交易日2872張大幅增加，帶動(dòng)創(chuàng)見(jiàn)(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價(jià)普遍上漲，其中，華亞科盤中最高來(lái)到23.1元，漲幅逾4%，開盤2小時(shí)，成交量逾2萬(wàn)張，超越前1交易日的成交量。 　　陳立白表示，DR
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三星推新DRAM芯片 手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存或?qū)⑸?GB

  • 　　近日，三星宣布已經(jīng)制造出了業(yè)界首款8GbLPDDR4移動(dòng)芯片，該芯片不僅將比目前市面上的同類產(chǎn)品運(yùn)行速度更快，而且體積更小能耗也更低。 　　該8GbLPDDR4芯片采用了20nm制程工藝，每塊芯片的內(nèi)存容量為1GB，這意味著2014年推出的智能手機(jī)如果能搭載四塊這樣的芯片話，那么將具有容量為4GB的RAM內(nèi)存。 　　三星電子內(nèi)存銷售及市場(chǎng)副總裁Young-HyunJun表示：“新一代LPDDR4DRAM將會(huì)在2014拉動(dòng)全球移動(dòng)DRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)，并且很快將占據(jù)DRAM市場(chǎng)的大
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Hynix無(wú)錫DRAM廠傳明年1月完全復(fù)工

  • 　　韓國(guó)記憶體廠SK Hynix無(wú)錫廠9月發(fā)生大火，令全球DRAM供應(yīng)吃緊、價(jià)格水漲船高，但分析師調(diào)查顯示，Hynix無(wú)錫廠可能明(2014)年1月便能完全復(fù)工，這對(duì)三個(gè)月來(lái)嘗了不少漲價(jià)甜頭的美光(Micron)恐怕不太有利。 　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，MKM Partners分析師Ada Menaker 11日發(fā)表研究報(bào)告指出，在與Hynix高層談話后，她認(rèn)為無(wú)錫廠到了明年1月中旬就能完全恢復(fù)產(chǎn)量與不錯(cuò)的良率，估計(jì)每個(gè)月的矽晶圓供應(yīng)量將達(dá)12-13萬(wàn)片、良率則會(huì)達(dá)到80%。 　　Menaker表示，無(wú)錫廠全面恢復(fù)
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半導(dǎo)體業(yè)10月報(bào) 高端需求不佳 bb值低于1

  • 　　美國(guó)、臺(tái)灣、中國(guó)大陸電子行業(yè)指數(shù)9月跑贏大盤：9月費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲7.24%，道瓊斯指數(shù)上漲2.16%;臺(tái)灣電子零組件指數(shù)上漲2.4%，臺(tái)灣加權(quán)指數(shù)上漲1.89%;大陸CSRC電子行業(yè)指數(shù)上漲4.81%，滬深300指數(shù)上漲4.11%。 　　8月全球半導(dǎo)體銷售額再創(chuàng)新高：8月全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額258.7億美元，是自2013年以來(lái)的月度最高值，同比上漲6.4%，環(huán)比上漲1.3%。按地區(qū)來(lái)看，4大地區(qū)再次同時(shí)實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，其中日本環(huán)比增幅最大，預(yù)示著下半年半導(dǎo)體銷售額將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。9月北美半導(dǎo)體設(shè)
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DRAM火災(zāi)后遺癥：海力士三星死杠搶芯片市場(chǎng)

  • 　　DRAM短缺，合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出，主流模組4GB10月價(jià)格較9月成長(zhǎng)6.25%，預(yù)計(jì)在下旬合約價(jià)公布后，現(xiàn)貨與合約顆粒價(jià)格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過(guò)后，韓商三星半導(dǎo)體藉擴(kuò)張產(chǎn)能欲奪回PC-DRAM市場(chǎng)主導(dǎo)地位，2家韓商已打起PC-DRAM市占率的爭(zhēng)奪保衛(wèi)戰(zhàn)。 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，受到SK海力士火災(zāi)影響，供給面出現(xiàn)短缺使得合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，主流模組4GB最高價(jià)格已經(jīng)站上34美元，與9月相較
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Q2全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率27%創(chuàng)三年新高

  • 　　根據(jù)市調(diào)公司IHS表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)近來(lái)歷經(jīng)快速成長(zhǎng)，寫下近三年來(lái)的利潤(rùn)率新高記錄。全球DRAM的營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率從今年第一季的11%大幅成長(zhǎng)，最近在第二季已經(jīng)達(dá)到27%了──這也是自2010年以來(lái)的最高水準(zhǔn)。事實(shí)上，IHS強(qiáng)調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率已經(jīng)持續(xù)六個(gè)月的穩(wěn)步成長(zhǎng)了。 　　IHS指出，多年來(lái)PC一直是DRAM的主要應(yīng)用，隨著近來(lái)PC市場(chǎng)下滑，2012年時(shí)首度出現(xiàn)PC在DRAM應(yīng)用的比重不到50%的窘境。在后PC時(shí)代，許多裝置──特別是行動(dòng)裝置──每單位用量更少，使得整個(gè)DRAM市場(chǎng)
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全球DRAM營(yíng)利率11% 創(chuàng)3年新高

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS17日發(fā)布報(bào)告指出，拜高平均售價(jià)(ASP)之賜，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)近三年新高，自第一季的11%倍增至27%，僅次于2010年第三季的33%。 　　在連6季衰退之后，且面對(duì)PC市場(chǎng)持續(xù)萎靡的狀況下，DRAM獲利表現(xiàn)連續(xù)2季攀升，期間DRAM產(chǎn)品平均單價(jià)第一季漲4%，而第二季更是跳增12%。IHS看好DRAM這股逆轉(zhuǎn)氣勢(shì)將可一直持續(xù)至2013年底。 　　當(dāng)季表現(xiàn)最亮眼當(dāng)屬南韓的SK海力士，該公司營(yíng)利率達(dá)33%，而居次的爾必達(dá)(Elpida)也有32%，兩者都優(yōu)于DR
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DRAM雙雄 營(yíng)收高歌

  • 　　DRAM雙雄報(bào)喜，南科與華亞科7日公布9月營(yíng)收，南科為38.05億元，月增8.3%。華亞科為59.76億元，月增7.3%，且連七個(gè)月增長(zhǎng)，也創(chuàng)歷史新高。 　　華亞科月營(yíng)收是以客戶前三個(gè)月產(chǎn)品均價(jià)來(lái)計(jì)算，因此9月業(yè)績(jī)是以6月至8月的價(jià)格為估算基礎(chǔ)，尚未納入SK海力士無(wú)錫廠受災(zāi)后，DRAM價(jià)格上漲所帶來(lái)的利益。華亞科指出，9月營(yíng)收增加，主要是產(chǎn)品組合變化，與產(chǎn)品平均單價(jià)(ASP)上揚(yáng)帶動(dòng)。 　　華亞科已連四個(gè)月單月營(yíng)收在50億元以上水平，外界估算，DRAM價(jià)格飆漲后，華亞科10月業(yè)績(jī)還會(huì)更好，預(yù)期可突
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SK海力士無(wú)錫大火余波：DRAM芯片漲價(jià)42%

  • 　　9月4日，SK海力士無(wú)錫工廠發(fā)生大火，暫時(shí)關(guān)閉并停止生產(chǎn)。由于無(wú)錫工廠占SK海力士總產(chǎn)量一半，SK海力士又是全球第二大DRAM制造商，因此，這場(chǎng)大火造成全球芯片價(jià)格大幅上漲，創(chuàng)出兩年來(lái)新高;有業(yè)內(nèi)人士表示，智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)廠商成本的提高或?qū)⑦M(jìn)一步推高電子類產(chǎn)品價(jià)格的上漲。 　　DRAM芯片價(jià)已大漲42% 　　公開資料顯示，SK海力士是全球第二大DRAM芯片制造商，全球DRAM市場(chǎng)占有率達(dá)到24.6%，僅次于三星的50%，無(wú)錫工廠的產(chǎn)量占到了SK海力士總產(chǎn)量的一半。 　　9月4日，SK海力士無(wú)錫工
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DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)趨向成熟

  • 據(jù)市調(diào)公司IC Insights今年7月發(fā)表的一份名為“Global Wafer Capacity 2013 report”報(bào)告稱，2012年末存儲(chǔ)器和代工(主要生產(chǎn)邏輯和混合信號(hào)電路)所用晶圓(以200mm晶圓計(jì))已超過(guò)世界每月晶圓產(chǎn)能的一半，計(jì)共922.7萬(wàn)片，占64%(其中存儲(chǔ)器占36.1%，代工27.5%)，隨后邏輯電路占12.4%，微芯片(MPU，MCU和DSP)10.3%，模擬電路9.6%，其他4.1%。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  晶圓  DRAM  201310  
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