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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1β dram

力成科技布局先進封裝技術(shù)

  • 　　力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預(yù)計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示，實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計開發(fā)時程約1年，屆時新竹廠正好開始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵?！?/li>
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華芯預(yù)計內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過億元

  • 　　華芯半導(dǎo)體公司市場營銷部經(jīng)理殷和國6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對《第一財經(jīng)日報》透露，預(yù)計今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。 　　
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iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

  • 　　據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預(yù)計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
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爾必達宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

  • 　　日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： DDR3  DRAM  

爾必達開發(fā)出全球最薄的DRAM

  • 　　日本半導(dǎo)體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。 　　超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。 　　
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Rambus指責(zé)海力士美光非法共謀

  • 　　據(jù)國外媒體報道，美國存儲芯片制造商Rambus在周一加利福尼亞州開審的反壟斷訴訟案中指出，韓國存儲芯片制造商海力士和美國存儲芯片制造商美光科技曾使用了“非法的陰謀”，欲將Rambus趕出計算機存儲芯片市場。Rambus在此訴訟案中，針對海力士和美光科技侵犯公司DRAM存儲芯片的行為，提出了高達129億美元的索賠要求。Rambus表示，依據(jù)加利福尼亞 州的相關(guān)法律，該公司43億美元的損害賠償將自動增加兩倍，達到129億美元。截至目前，海力士與美光科技對此報道未置可否。　
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DRAM產(chǎn)業(yè)：美日聯(lián)合抗三星

  • 　　DRAM價格持續(xù)處于跌價泥淖，不只臺系DRAM廠陸續(xù)轉(zhuǎn)型、退出，國際大廠也在尋求長遠生存之道，近日傳出爾必達(Elpida)、美光 (Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點，因此也傳出爾必達對華亞科的股權(quán)有興趣，為此和美光、臺塑接洽;業(yè)界認(rèn)為DRAM產(chǎn)業(yè)未來在技術(shù)、資金等門檻越來越高下，若要有效對抗三星電子(Samsung Electronics)，美日結(jié)盟勢為必走之路。 　　
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合之路迫在眉睫

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)走過2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠都把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做其它產(chǎn)品，如Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，PC DRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此集成的議題持續(xù)被討論;金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)不集成只有死路一條;某臺廠 DRAM廠高層即表示，整并最恰當(dāng)?shù)姆绞绞?家母廠(美光、爾必達)先自行整并，臺灣DRAM廠自然會集成?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

Mobile RAM防線恐失守

  • 　　行動裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 　　存儲器業(yè)者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
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爾必達2Gbit LPDDR2產(chǎn)品使用HKMG技術(shù)

  • 　　日本爾必達公司近日宣布成功開發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術(shù)的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術(shù)即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(shù)(縮寫為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術(shù)的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能。　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

DRAM廠搶進行動式存儲器

  • 　　根據(jù)集邦科技統(tǒng)計，隨著今年平板計算機與智能型手機的興起，PC出貨量已不若往年呈現(xiàn)高度成長，隨著后PC時代來臨，各DRAM廠也紛紛轉(zhuǎn)進行動式存儲器市場，不過，在產(chǎn)出量將于下半年大增，加上平板計算機出貨數(shù)字下修的影響，集邦預(yù)警，下半年行動式存儲器的價格走勢恐增添隱憂。　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  行動式存儲器  

臺灣爾必達高層異動　大舉整頓在臺PC DRAM代理策略

  • 　　日系存儲器大廠爾必達(Elpida)臺灣人事和營運布局大地震，總經(jīng)理謝俊雄6月初閃電退休，職缺暫由全球業(yè)務(wù)副總張士昌兼任，同時爾必達也著手整頓臺灣PC DRAM通路代理，由過去2~3家代理商的策略，收回由力晶關(guān)系人近期秘密成立的新通路商智勝統(tǒng)籌，另外也傳出爾必達將小幅入股智勝，象征與力晶之間的合作關(guān)系緊密;存儲器業(yè)者認(rèn)為，力晶年初宣布棄品牌投注爾必達代工麾下，對雙方營運層面的改變才正要開始而已。 　　2年前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)雖然沒有集成成功，但顯然地，爾必達已默默搜刮臺灣12寸晶圓產(chǎn)能，從茂德合作伙伴
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

晶圓代工決勝18寸廠

  • 　　從技術(shù)投資與市場競爭力的觀點來看，半導(dǎo)體業(yè)者從12寸廠拓展至18寸廠，以提升產(chǎn)能規(guī)模，已是不可避免的發(fā)展趨勢。然而，18寸廠的建置正面臨嚴(yán)峻考驗，因此未來全球半導(dǎo)體業(yè)者在18寸晶圓廠的布局結(jié)果，將進一步影響半導(dǎo)體市場版圖。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓代工  

臺DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  • 　　存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動，2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場，面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計畫性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟、市場波動沖擊?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  
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