- 據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo),全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細制程轉(zhuǎn)換作業(yè),然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉(zhuǎn)換競爭中,一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida),可能會更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè),并動搖海力士數(shù)年來維持的競爭力。對此說法,海力士反駁道,目前皆依照計劃日程順利進行轉(zhuǎn)換中?!?/li>
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Hynix DRAM
- IHS iSuppli(IHS-US)最新研究報告指出,受惠于動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%,今年全球的DRAM模塊市場成長仍將持續(xù)增長,且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。
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三星電子 DRAM
- IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報告指出,受惠于動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%,今年全球的 DRAM 模塊市場成長仍將持續(xù)增長,且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。
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三星 DRAM
- 據(jù)IHSiSuppli公司的研究,目前形式的移動DRAM可能不足以滿足智能手機和平板電腦的需求,因其在處理各種應(yīng)用時...
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DRAM LLPDDR2 低功耗DDR2
- 全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況,記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫,市場五窮六絕跡象顯現(xiàn),使得記憶體模組廠營收恐再次探底,部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過,以毛利率角度來看,由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌,因此,模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
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NAND DRAM
- 據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo),韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細制程比重大占優(yōu)勢,維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán),尤其40納米等級微細制程擴大,使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大,在2011年第1季寫下不錯成績,其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時機較晚,第1季營收多不理想。
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三星電子 DRAM
- 日本爾必達存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計2011財年(2011年4月~2012年3月)的DRAM需求增幅將達到50%/年,但卻打算以較上財年減少30%的設(shè)備投資額(800億日元)來應(yīng)對。從40nm開始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計劃得以實現(xiàn)的關(guān)鍵。
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爾必達 DRAM
- DRAM產(chǎn)業(yè)景氣到底復(fù)蘇沒?同樣一個問題問上游芯片制造商和下游模組廠,可能會得到兩極化的答案,再看看國際大廠財報,對比一下臺灣DRAM廠財報,可能也會一頭霧水;現(xiàn)在DRAM價格比起2010年第4季水準(zhǔn),或許大幅改善,但臺系DRAM廠前債太多,成了繼續(xù)往前走最大的陰影和阻礙,退出品牌、賣廠止血都是被逼到絕路的招數(shù),但手上牌快出完,賽局卻越來越不利,茂德的困境便是臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的縮影。
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渝德科技 DRAM
- 臺系DRAM廠茂德由于資金窘迫,17日董事會通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技,全力將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠命脈;茂德指出,規(guī)劃將出售范圍是渝德科技、8寸晶圓廠,至于建筑物和土地仍是屬于重慶市政府,處分后至少暫時不需再認列渝德廠虧損,對于手上財務(wù)資金應(yīng)用可較寬裕。
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茂德 芯片 DRAM
- DRAM 廠茂德科技日前公告,為集中資源在臺灣母公司,董事會決議處分中國子公司重慶渝德科技股份,將暫時結(jié)束在大陸的投資。茂德是政府開放8吋晶圓廠赴大陸投資的3家公司之一,截至目前,除臺積電已順利在大陸量產(chǎn)運作外,力晶、茂德的西進路均不如預(yù)期順利。
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茂德 DRAM
- DRAM合約價再度喊漲成功,雖然5月上半漲幅僅2~3%,但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GBDDR3模塊價格拉升至19美元,成為這次拉升合約價主要推手,次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計問題,導(dǎo)致合約市場持續(xù)供給吃緊。不過,現(xiàn)貨市場需求卻再降溫,現(xiàn)貨和合約價格差距幅度逼近15%,是過去相當(dāng)少見差距?!?/li>
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三星 DRAM
- DRAM合約價再度喊漲成功,雖然5月上半漲幅僅2~3%,但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價格拉升至19美元,成為這次拉升合約價主要推手,次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計問題,導(dǎo)致合約市場持續(xù)供給吃緊。不過,現(xiàn)貨市場需求卻再降溫,現(xiàn)貨和合約價格差距幅度逼近15%,是過去相當(dāng)少見差距。
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三星 DRAM
- 創(chuàng)見董事長束崇萬看好下半年DRAM和NAND Flash市場景氣都不錯,對存儲器模塊廠而言,是風(fēng)險不大的一年,但談到臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景,他感慨表示,DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題的關(guān)鍵不是在于景氣波動,而是臺灣沒有自有DRAM技術(shù),但現(xiàn)在專利都被國際大廠把持,一切都為時已晚。
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創(chuàng)見 DRAM
- 日經(jīng)新聞12日報導(dǎo),全球第3大DRAM廠爾必達(Elpida)已放棄和全球第7大DRAM廠茂德就加強合作關(guān)系的談判。報導(dǎo)指出,爾必達于去年秋天就和臺灣當(dāng)局及臺灣銀行團針對包含入股茂德等方案在內(nèi)的救濟對策進行協(xié)商,惟未能獲得共識,故爾必達決議放棄和財務(wù)體質(zhì)惡化風(fēng)險高的茂德進行合作談判,轉(zhuǎn)而將資源集中于具成長性的行動裝置用DRAM事業(yè)。
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傳爾必 DRAM
- 據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉在三星主要首長團會議中表示,日本DRAM制造廠爾必達(Elpida)雖然公開表示已開發(fā)出25納米DRAM,但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn),表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。
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爾必達 DRAM
1β dram介紹
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