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176 層 nand
176 層 nand 文章 進(jìn)入176 層 nand技術(shù)社區(qū)
運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)
- 今年,半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲(chǔ)器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù),從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲(chǔ)設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲(chǔ)器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求,促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微,推升了對(duì)新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下,對(duì)厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級(jí)層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備,對(duì)于制造多層堆疊存儲(chǔ)單元來說至關(guān)重要。此外,隨著越來越多支持圖案
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND
國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國(guó)半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外,主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位,也將成為下一波中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。 TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,在營(yíng)運(yùn)上中國(guó)國(guó)產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外,多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場(chǎng)應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、政府機(jī)關(guān)與國(guó)防軍工等原先合作關(guān)系密切,或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個(gè)世代
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
慧榮科技攜嵌入式存儲(chǔ)和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì)
- 在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國(guó)紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會(huì),在1號(hào)廳160號(hào)展臺(tái)向業(yè)界展示其針對(duì)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲(chǔ)及圖形解決方案?! 』蹣s科技展臺(tái)將展出如下產(chǎn)品: Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 慧榮科技 NAND
存儲(chǔ)器接連刷新歷史最高紀(jì)錄,768Gbit 3D NAND亮相
- 在“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日于美國(guó)舊金山舉行)會(huì)議上,NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化,以及DRAM的高帶寬化等存儲(chǔ)器 技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展,接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲(chǔ)器的“正常推進(jìn)”之外,此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM,內(nèi)容 豐富?! 〈鎯?chǔ)器會(huì)議共有3個(gè)。分別以非易失存儲(chǔ)器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì)議共有14項(xiàng)發(fā)表。其中有12項(xiàng)來自亞洲,日本有2項(xiàng)(內(nèi)容均為非易失存儲(chǔ)器)。下面來介紹
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 NAND
3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀 中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場(chǎng)先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計(jì)下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是,預(yù)測(cè)隨著中國(guó)公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場(chǎng),DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計(jì)在2015年下降11.6%,并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。 DRAM市場(chǎng)2016年供過于求 近期,我們對(duì)于DRAM市場(chǎng)的預(yù)測(cè)不會(huì)發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場(chǎng)總體營(yíng)收下滑,而在
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Toshiba準(zhǔn)備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- 根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢?cái)經(jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日?qǐng)?bào)導(dǎo),大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù),僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價(jià)的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。 未來東芝將專注并強(qiáng)化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營(yíng),該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長(zhǎng)支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商,這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。 將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類
- 關(guān)鍵字: Toshiba NAND
手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存,為何實(shí)際卻少于16G
- 摘要:現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì),就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機(jī)內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下: 我們接觸到的16G、32G等手機(jī),為何實(shí)際存儲(chǔ)容量卻總是小于這些值呢?難道
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH eMMC
慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品
- 慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強(qiáng)的控制器解決方案將有助加快推進(jìn)最具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能SSD產(chǎn)品在市場(chǎng)上的應(yīng)用。此次2016年拉斯維加斯消費(fèi)電子展期間(2016 Consumer Electronics Show),慧榮科技也將展出其使用了升級(jí)版SM2246EN
- 關(guān)鍵字: 慧榮科技 3D NAND
韓廠進(jìn)入14納米平面NAND時(shí)代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)
- 韓國(guó)兩大存儲(chǔ)器廠前進(jìn)14納米平面NAND Flash時(shí)代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn),而SK海力士(SK Hynix)則預(yù)定在新的一年結(jié)束研發(fā)作業(yè),并導(dǎo)入量產(chǎn)體制。 韓媒ET News報(bào)導(dǎo),三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成,將于2016年上半投產(chǎn)。三星預(yù)定于新年1月31日在美國(guó)舊金山所舉辦的ISSCC上,公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士,也進(jìn)入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
中國(guó)下個(gè)購(gòu)并標(biāo)的:NAND Flash控制芯片
- 中國(guó)政府近來積極透過中資集團(tuán)陸續(xù)收購(gòu)或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。現(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì)MIC認(rèn)為,中資集團(tuán)下一波購(gòu)并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會(huì)MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國(guó)近期積極透過購(gòu)并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國(guó)在本土邏輯IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、邏輯IC封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 芯片
美光科技業(yè)務(wù)狀況有望在2016年好轉(zhuǎn)
- 個(gè)人電腦(PC)需求放緩嚴(yán)重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過60%的收入來自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過去一年里,美光科技股價(jià)跌去了60%。利潤(rùn)和收入大幅下滑。利潤(rùn)率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財(cái)季業(yè)績(jī)料將凸顯出艱難的經(jīng)營(yíng)環(huán)境。 不過從歷史角度看,美光科技股價(jià)一直波動(dòng)較大,周期性驅(qū)動(dòng)的電腦芯片業(yè)務(wù)推動(dòng)其股價(jià)起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱,過去一年里,美光科技的客戶一直在消化內(nèi)存庫(kù)存,預(yù)計(jì)這一
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
東芝擬分拆NAND存儲(chǔ)器事業(yè)部 其他部門或裁員
- 昨(18)日消息,被東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來,并考慮讓其上市、籌措研發(fā)所需的巨額資金;另外,大分、巖手兩縣的工廠將藉由替其他廠商代工、來強(qiáng)化收益能力。 報(bào)導(dǎo)指出,東芝將在12 月21日公布以電視、PC 以及家電等事業(yè)為中心的合理化措施,可能將裁撤數(shù)千名員工,而半導(dǎo)體事業(yè)和核能、醫(yī)療用機(jī)器部門皆被東芝定位為核心事業(yè),故東芝正急
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
TrendForce:經(jīng)濟(jì)前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限
- 全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明,各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守,TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長(zhǎng),2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(zhǎng)44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會(huì)加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(zhǎng)率將大幅增長(zhǎng)50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Fl
- 關(guān)鍵字: NAND Flash TLC
掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時(shí)是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯(cuò)誤位元,因此在實(shí)際應(yīng)用時(shí),須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理,以及利用錯(cuò)誤更正編碼(ECC)演算法修正錯(cuò)誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲(chǔ)存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速,平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來降低成本,在售價(jià)大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢(shì),取代原本使用的NOR型快閃記
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
176 層 nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條176 層 nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)176 層 nand的理解,并與今后在此搜索176 層 nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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