- 東芝(Toshiba)財報不實風波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門，但日媒體日經Tech-On訪問日本半導體界人士，卻表示長期終將損害快閃存儲器產品競爭力。
目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產品，由于移動裝置需求持續(xù)成長，銷售量不斷增大，為日本少數仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產品;但這項產品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領先，受企業(yè)財務狀況影響比其他半導體產品更大。
現(xiàn)在東芝碰上財務問題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說新社長室町正志出身半導體事業(yè)，對這個
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東芝 NAND
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 內存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產能，市場似乎對內存前景不具信心，當日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。
美光財務長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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美光 NAND
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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英特爾 NAND
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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NAND 英特爾
- NAND閃存技術進入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
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東芝 NAND
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術不僅將導入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應商，2016年搶先導入SSD。不過，相關消息仍待慧榮正式對外宣布。
存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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DRAM NAND
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產階段，預計9月開始對客戶出貨。
快閃記憶體量產在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據日經新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產品明年才會投產。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士 NAND
- 幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進PC產業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構問世，SSD在價格方面已經逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進資料中心、數位看板、POS機等商用市場。
SanDisk：SSD全面進占資料中心
當云端應用已經成為重要產業(yè)趨勢，相關的基礎設備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
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SSD NAND
- 陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內魚兒游來游去。這里生產世界最先進技術的產品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。
對三星半導體來說，引導社會未來發(fā)展的不僅僅是生產全球最先進的產品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經營系統(tǒng)(G-EHS)。
形成半導體全產業(yè)鏈
三星半導體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產業(yè)基地。
西安是三星電子海外芯片生產線投資規(guī)模最大的一個
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三星 NAND
- 三星發(fā)展半導體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
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三星 NAND
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。
據韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產3D V-NAND業(yè)者。
據市調業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數量而言，2015年企業(yè)用SSD
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三星 V-NAND
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。
針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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NAND SK海力士
- 宜鼎和東芝成立臺灣首家進軍快閃存儲器陣列的供應商，分食云端儲存商機。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺美日聯(lián)手炒熱云端儲存商機，三大廠力拱的快閃存儲器儲存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲器儲存陣列與企業(yè)應用解決方案”研討會，邀請中華電信董事長蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
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東芝 NAND
- 南韓媒體中央日報日文版 19 日報導，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計劃把生產 3D NAND 的中國西安半導體工廠產量較現(xiàn)行擴增 50%。報導指出，據熟知三星事務的關系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產量為 4-5 萬片，而三星計劃于今年內將其產量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。
據 報導，三星于去年 5 月開始量產 3D NAND，為目前唯一導入量產的廠商，且三星計劃
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176 層 nand介紹
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