首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d dram

08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)

  •   2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡,資本開(kāi)支預(yù)計(jì)下滑超過(guò)3%。Hosseini預(yù)測(cè),前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年,而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿變數(shù)。   他在報(bào)告中指出,“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化,由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn),2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑,下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度?!彼瑫r(shí)表示,“從2007年第3季度到2008年第3季度,預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑,之后有望重現(xiàn)恢復(fù)?!?   他最大的擔(dān)憂在DRAM行業(yè),預(yù)計(jì)“整
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  DRAM  芯片  元件  制造  

美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì):近期半導(dǎo)體市場(chǎng)不會(huì)衰退

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)表示,近期內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)不大可能出現(xiàn)衰退。它認(rèn)為今年全球芯片的銷售額將增長(zhǎng)3%,在隨后三年中的增長(zhǎng)速度會(huì)更高一些。   SIA表示,它預(yù)計(jì)全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長(zhǎng)至2571億美元,增長(zhǎng)速度低于今年年初時(shí)預(yù)期的10%。   6月份,SIA將今年芯片銷售額的增長(zhǎng)速度預(yù)期下調(diào)到了1.8%,主要原因是幾種關(guān)鍵市場(chǎng)的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后,微處理器的銷售出現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng),迫使SIA提高了對(duì)芯片銷售額增長(zhǎng)速度的預(yù)期。   S
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  芯片  DRAM  模擬IC  電源  

三星DRAM銷售穩(wěn)居冠軍,但市場(chǎng)份額不保

  •   據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli公布的調(diào)查報(bào)告顯示,韓國(guó)三星電子在今年第三季度全球DRAM儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的銷售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座,但其部分市場(chǎng)份額卻被位居第二的Hynix奪走。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,iSuppli在上周四發(fā)布的報(bào)告中表示,在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn),它的成長(zhǎng)速度相當(dāng)迅猛,并在逐步縮小與三星的差距。據(jù)悉,第三季度三星的市場(chǎng)份額為27.7%,位居全球第一,其銷售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix,其第三季度收入比第二季度增長(zhǎng)了15.4%達(dá)到1
  • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  三星  DRAM  冠軍  嵌入式  

晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存

  •   研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過(guò)DRAM內(nèi)存。   根據(jù)SMA報(bào)告,閃存產(chǎn)能從2000年以來(lái)已經(jīng)增長(zhǎng)了四倍,達(dá)到相當(dāng)于290萬(wàn)片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下,DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(zhǎng)225%。   報(bào)告表示,從2005年到2008年底的三年間,閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。   預(yù)計(jì)2008年和2009年,將有另外超過(guò)十座晶圓廠上線。SMA預(yù)計(jì),當(dāng)設(shè)備裝機(jī)完成時(shí),將帶來(lái)每月相當(dāng)于150萬(wàn)片2
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  內(nèi)存  晶圓  MCU和嵌入式微處理器  

第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益

  •   對(duì)全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn),在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢(shì)。不過(guò),雖然需求旺盛,但是由于代工產(chǎn)品種類及技術(shù)水平的差別,各代工廠在凈利潤(rùn)方面卻是冷暖自知,中芯國(guó)際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損,但是通過(guò)與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下,不久中芯國(guó)際有望走出低迷。   第三季度代工需求旺盛   綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào),可以發(fā)現(xiàn)(見(jiàn)表“全球前
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  中芯國(guó)際  IC  DRAM  模擬IC  

IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增

  •   IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè),2007年全球芯片銷售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè),2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。   報(bào)告指出,如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu),這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。   IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對(duì)各
  • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  芯片  DRAM  NAND  EDA  IC設(shè)計(jì)  

應(yīng)用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動(dòng)視頻是關(guān)鍵

  •   美國(guó)和歐洲市場(chǎng)強(qiáng)勁的季節(jié)銷售,以及緊隨其后的中國(guó)新年銷售旺季,將有助于決定DRAM是否供過(guò)于求、邏輯芯片供應(yīng)正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。   應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter預(yù)測(cè),如果情況不是很好,2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會(huì)太強(qiáng)勁。2007年,半導(dǎo)體設(shè)備資本開(kāi)支增長(zhǎng)率為0到5%之間,而半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)預(yù)計(jì)為5%到10%之間。   Splinter表示,“尚未為止,2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因?yàn)殇N售沒(méi)有增加,而是由于遭遇沉重的價(jià)格壓力。粗略估計(jì),邏輯芯片
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  芯片  半導(dǎo)體  MCU和嵌入式微處理器  

IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無(wú)利潤(rùn)繁榮局面

  •   最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%,略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。   1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  IC  DRAM  NAND  模擬IC  

2007年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%

  •   市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長(zhǎng)率從原來(lái)的8%提升到了10%。   這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng),如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%,NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%,界面集成電路出貨量增長(zhǎng)60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%,汽車模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。   ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量成長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng),這是前所未有的大牛市。  
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  集成電路  IC  DRAM  消費(fèi)電子  

從過(guò)去到未來(lái)

  • 如果你認(rèn)為過(guò)去的歸過(guò)去,未來(lái)的歸未來(lái),那么你就錯(cuò)了,因?yàn)闆](méi)有過(guò)去就不會(huì)有現(xiàn)在,沒(méi)有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來(lái)。然而過(guò)去、現(xiàn)在、未來(lái)之間是如何相互依存的呢?從某方面來(lái)說(shuō)這是神秘難以解答的一件事,但簡(jiǎn)單來(lái)講就是靠記憶的作用,過(guò)去雖然不存在了,卻可以回想,未來(lái)雖然還沒(méi)有決定,現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
  • 關(guān)鍵字: NVM  SRAM  DRAM  

DRAM十月價(jià)格持續(xù)下跌;ETT現(xiàn)貨價(jià)急漲12%

  •   上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場(chǎng)eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見(jiàn)的急漲局面,DDR2512MbeTT價(jià)格收在1.17美元,漲幅約11.9%;相較之下,品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢(shì),上漲至1.37美元,幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出,上周DDR2eTT的強(qiáng)勁漲勢(shì),是因?yàn)閑TT主要的供貨商進(jìn)行70nm轉(zhuǎn)進(jìn),供給量減少,部份買主逢低買進(jìn)拉抬買氣,進(jìn)而帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng),因此這波價(jià)格上揚(yáng)主要是短期市場(chǎng)操作結(jié)果,而非市場(chǎng)終端需求帶動(dòng);此外,這波投機(jī)性買盤(pán)主要集中在DDR2eTT的顆粒,并沒(méi)有
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  集邦  DRAM  ETT  MCU和嵌入式微處理器  

DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱 合約市場(chǎng)交易冷清

  •   現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤(pán)堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后,暫時(shí)止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng),DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。   十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認(rèn)為,倘若預(yù)期十一
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DDR2  DRAM  NAND  MCU和嵌入式微處理器  

1美元失守!臺(tái)DRAM廠難逃虧損百億

  •       全球DRAM現(xiàn)貨價(jià)16日正式跌破1美元重要心理關(guān)卡,以目前現(xiàn)貨報(bào)價(jià)及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估,臺(tái)DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計(jì)將蒙受約1億美元損失,且未來(lái)虧損數(shù)字恐持續(xù)擴(kuò)大,若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價(jià)無(wú)法翻揚(yáng),初步估計(jì)臺(tái)DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺(tái)幣100億元以上,其中,以力晶處境最為不利。           
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  1美元  MCU和嵌入式微處理器  

本田投資500萬(wàn)美元于3D傳感器技術(shù)

  • 日本汽車制造商本田把3維傳感器技術(shù)用于提高汽車安全性。本田汽車宣布對(duì)Canesta公司的電子感知技術(shù)投資500萬(wàn)美元。本田在過(guò)去三年中一直對(duì)Canesta進(jìn)行投資,近日表示它將采用該技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)避撞系統(tǒng)這樣的汽車安全應(yīng)用。     Canesta的圖像傳感器可以被隱藏在車身、汽車裝飾品或汽車儀表盤(pán)中?!八峁┮环N成本比較低的芯片級(jí)3D攝像方案,可以一種安裝來(lái)提供多種應(yīng)用,”本田戰(zhàn)略風(fēng)險(xiǎn)投資的領(lǐng)導(dǎo)人ToshinoriArita在一次發(fā)言中說(shuō)。
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  本田  3D  傳感器  傳感器  

今年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支將達(dá)437億美元

  • 據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱,全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支增長(zhǎng)速度正在減緩,這種低迷的狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支總額將達(dá)到437億美元,比2006年增長(zhǎng)4.1%。2008年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)始預(yù)計(jì)將比2007年增長(zhǎng)0.3%。  Gartner分析師稱,2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支的增長(zhǎng)將影響到2008年的增長(zhǎng)。2008年半導(dǎo)體大型設(shè)備的開(kāi)支將勉強(qiáng)實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng),晶圓加工設(shè)備的開(kāi)支將出現(xiàn)小幅度的負(fù)增長(zhǎng)。后端設(shè)備市場(chǎng)的前景仍是正增長(zhǎng)。 Gar
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  晶圓加工  DRAM  
共2436條 158/163 |‹ « 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 »

3d dram介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473